1.一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：包括晶体生长装置与恒温冷壁炉，所述晶体生长装置设置在恒温冷壁炉内；所述晶体生长装置包括pbn坩埚（1）、石英管（2）、加热器（3），所述pbn坩埚（1）固定在石英管（2）内，所述石英管（2）内设置有石英帽（4），石英管（2）放置在炉芯（5）上，炉芯内设置有玻璃棒（6）；所述晶体生长装置外设置有保温装置（7），所述保温装置（7）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（7）内壁镶嵌有加热器（3）；所述恒温冷壁炉包括顶壁（8）、侧壁（9）与底壁（10），所述顶壁（8）、侧壁（9）与底壁（10）在关闭时通过橡胶条密闭；所述顶壁（8）、侧壁（9）与底壁（10）为中空结构，内部分别设置有冷却介质，所述冷却介质温度、流量可通过外界控制。
2.根据权利要求1所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：所述加热器（3）设置为六组。
3.根据权利要求1所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：所述恒温冷壁炉还设置有气压控制系统，所述气压控制系统包括进气阀（11）、出气阀（12）和气压控制装置。
4.根据权利要求1所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：所述顶壁（8）、侧壁（9）与底壁（10）中冷却介质温度、流量分别独立控制。
5.根据权利要求1所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：所述侧壁（9）设置为1-3个，多个侧壁（9）上下叠加，相邻侧壁（9）固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，其特征在于：所述侧壁（9）中冷却介质温度、流量分别独立控制。
7.一种炉体温度可调的冷壁单晶炉用于砷化镓晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1、将籽晶固定于pbn坩埚（1）的锥部，将gaas多晶料放入pbn坩埚（1）内；
s2、将pbn坩埚（1）放入石英管（2）内，将石英帽（4）盖合于pbn坩埚（1）上端，抽真空后，用氢氧火焰密封焊接石英帽（4）和pbn坩埚（1）；
s3、控制炉芯（5）温度为1220℃，加热器（3）温度为1250℃，在晶体生长过程中通过控制恒温冷壁炉温度提供稳定温度场；根据石英管需要的压力，通过控制恒温冷壁炉压力调整，使得石英管内压力于炉内压力相同；
s4、待籽晶顶端熔化接种完成后，控制晶体的生长速率为0.5-5mm/h，直至全部结晶。
8.根据权利要求7所述的一种炉体温度可调的冷壁单晶炉用于砷化镓晶体生长方法，其特征在于，所述恒温冷壁炉温度与压力控制具体为：
（1）恒温冷壁炉温度控制：
长晶冲空期，维持恒温冷壁炉各处进水温度25±0.1℃，进水水压0.1mpa，稳定恒定提供不随环境变化的稳定的晶体生长环境；
晶体等径生长及收尾期，恒温冷壁炉底壁（10）与侧壁（9）下部的流体进水压力逐步增大到0.5mpa，其它管路流体进水压力维持在0.1mpa，进水水温不变，只增加底部的走热量，维持晶体生长需要的稳定的生长界面；
晶体降温期，增大恒温冷壁炉顶壁（8）中流体进水压力至0.5mpa，维持其它各路冷却水的压力不变；
（2）恒温冷壁炉压力控制：
升温期：冷壁炉内压力随石英管内砷压的升高而增大，冷壁炉的压力设置为砷在该温度下的饱和蒸气压，当石英管内在该温度维持压力需要的砷量超过砷添加量时，依据砷添加量设定炉内压力以维持石英管内外压力平衡；
晶体生长期：炉内压力根据石英管内压力的需要维持在一个恒定的压力；
晶体降温期：炉内的压力随着石英管内砷蒸汽压力的下降而降低，维持石英管内外压力的平衡。