半导体晶圆的制作方法

技术特征：

1.一种半导体晶圆，其具备：

以si作为主要成分的基板，

在所述基板上形成的、以aln层作为最下层的缓冲层，以及

在所述缓冲层上形成的、包含ga的氮化物半导体层，

所述aln层的上表面的凹坑密度大于0且小于2.4×10¹⁰cm^-2。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，

所述aln层的上表面的凹坑密度为5.5×10⁹cm^-2以下。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆，其中，

所述aln层的上表面的凹坑密度为1.4×10⁹cm^-2以下。

技术总结
作为一个实施方式，提供一种半导体晶圆(1)，其具备：以Si作为主要成分的基板(10)，在基板(10)上形成的、以AlN层(11a)作为最下层的缓冲层(11)，以及在缓冲层11上形成的、包含Ga的氮化物半导体层12，AlN层(11a)的上表面的凹坑密度大于0且小于2.4×1010cm‑2。

技术研发人员：山本大贵;池尻圭太郎
受保护的技术使用者：住友化学株式会社
技术研发日：2019.02.06
技术公布日：2020.09.22