镀膜，完成后对第一层二氧化硅层进行高真空加热干燥处理；
[0029]步骤三，在真空镀膜机内，在第一层二氧化硅层上进行氮化硅层镀膜，完成后对氮化硅层镀层进行高真空加热干燥处理；
[0030]步骤四，在真空镀膜机内，在氮化硅层上进行第二层二氧化硅层镀膜，完成后对第二层二氧化硅层镀层进行高真空加热干燥处理。
[0031]具体的，所述步骤一具体为，对玻璃基板的清洗干燥过程包括:利用洗涤液对玻璃基板进行清洗，洗净后依次用去离子水和酒精二次冲洗，用氮气吹干后将所述玻璃基板放入洁净干燥空间。
[0032]所述步骤二至步骤四中，均包括真空镀膜机内抽真空、控制玻璃基板温度、蒸镀及高真空干燥处理的步骤。其中所述第一、第二层二氧化硅层及层氮化硅层的厚度相同，本实施例中优选为lOOnm，具体如下:
[0033]上述步骤二具体为，对玻璃基板进行第一层二氧化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5X10-4Pa，控制玻璃基板温度在180±5°C，S12在玻璃基板上的沉积速率在
0.1?0.5nm/So蒸镀时间为20s左右，镀膜完成后在镀膜机内进行高真空干燥处理30min。
[0034]上述步骤三具体为，对第一层二氧化硅层上进行氮化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5X10-4Pa，控制玻璃基板温度在180±5°C，Si3N4在S1^层上的沉积速率在0.1?0.5nm/So蒸镀时间为20s左右，镀膜完成后在镀膜机内进行高真空干燥处理30mino
[0035]上述步骤四具体为，在氮化硅层上进行第二层二氧化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5X10-4Pa左右，控制玻璃基板温度在180±5°C，3丨02在Si 3N4镀层上的沉积速率在0.1?0.5nm/So蒸镀时间为20s左右，镀膜完成后在镀膜机内进行高真空干燥处理30min。最后自然冷却至室温后取出。
[0036]对于镀膜后的玻璃基板10进行样品测试，测试方案如下:在温度30°C，相对湿度为65%，摩擦半径为R= 14cm，在SIC砂纸上以转速n = 200r/min对所述减反射膜进行耐磨性测试。如果测试结果达到预设值，每摩擦2000r，用放大镜对试样表面进行观察，发现试样无损坏，无擦痕，即可通过。
[0037]本发明的一种玻璃基板10上设置通过上述方法制作的减反射膜20与玻璃基板10结合牢固，减反射膜20采用高低折射率层交替的多膜层结构，耐磨性和抗划伤性提高。该方法工艺比较简单，成膜速度快，适合产线规模化生产。
[0038]以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1.一种减反射膜，用于玻璃基板上，其特征在于:包括两层二氧化硅层及一层氮化硅层，其中一层二氧化硅层覆盖于所述玻璃基板上，所述氮化硅层形成于所述两层二氧化硅层之间。2.一种如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其步骤包括: 步骤一，提供玻璃基板，进行清洗后并干燥； 步骤二，将所述玻璃基板和第一层二氧化硅层放入真空镀膜机，对玻璃基板进行第一层二氧化硅层镀膜，完成后对第一层二氧化硅层进行高真空加热干燥处理； 步骤三，在真空镀膜机内，在第一层二氧化硅层上进行氮化硅层镀膜，完成后对氮化硅层镀层进行高真空加热干燥处理； 步骤四，在真空镀膜机内，在氮化硅层上进行第二层二氧化硅层镀膜，完成后对第二层二氧化硅层镀层进行高真空加热干燥处理。3.如权利要求2所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，对玻璃基板的清洗干燥过程包括:利用洗涤液对玻璃基板进行清洗，洗净后依次用去离子水和酒精二次冲洗，用氮气吹干后将所述玻璃基板放入洁净干燥空间。4.如权利要求2所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二至步骤四中，均包括真空镀膜机内抽真空、控制玻璃基板温度、蒸镀及高真空干燥处理的步骤。5.如权利要求4所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，上述步骤二中对玻璃基板进行第一层二氧化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5X10-4Pa，控制玻璃基板温度在180±5°C，S12在玻璃基板上的沉积速率在0.1?0.5nm/So6.如权利要求4所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，上述步骤三中对第一层二氧化硅层上进行氮化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5X10-4Pa，控制玻璃基板温度在180±5°C，Si3N4在S1 2镀层上的沉积速率在0.1?0.5nm/s。7.如权利要求4所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，上述步骤四中在氮化硅层上进行第二层二氧化硅层镀膜时，真空镀膜机内抽真空达到5.5 X 10-4Pa左右，控制玻璃基板温度在180±5°C，S1^ Si 3N4镀层上的沉积速率在0.1?0.5nm/s。8.如权利要求5-7任一项所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二至步骤四中，第一、第二层二氧化硅层及层氮化硅层蒸镀时间为20s，镀膜完成后在镀膜机内进行高真空干燥处理30min。9.如权利要求8所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述第一、第二层二氧化硅层及层氮化硅层的厚度相同。10.一种玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板包括如权利要求2-8任一项所述的减反射膜。
【专利摘要】本发明提供一种减反射膜，用于玻璃基板上，其包括两层二氧化硅层及一层氮化硅层，其中一层二氧化硅层覆盖于所述玻璃基板上，所述氮化硅层形成于所述两层二氧化硅层之间。本发明还提供一种减反射膜制作方法及玻璃基板。
【IPC分类】B32B17/06, C03C17/34
【公开号】CN105585252
【申请号】CN201410566416
【发明人】徐鹏, 程芸, 唐彬
【申请人】南昌欧菲光学技术有限公司, 南昌欧菲光科技有限公司, 深圳欧菲光科技股份有限公司, 苏州欧菲光科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月22日