一种用于石墨烯生长的载具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及石墨烯制备技术领域，尤其涉及一种用于石墨烯生长的载具。
【背景技术】
[0002]石墨烯薄膜产业化中，石墨烯生长多采用半导体产业的炉管设备，部分生长基底因厚度薄导致柔软无硬度，半导体产业炉管设备的承载载具无法承载，而且高温下，部分生长基底会软化容易导致部分生长基底与部分生长基底之间的粘连。半导体产业炉管的载具都是采用托举方式设计，依赖于硅片自身的硬度和厚度，硅片厚度为2mm到6_，整个硅片质地坚硬，不能卷曲。石墨稀生长用的金属箔片厚度在25um到80um之间，金属箔片硬度相对较小，柔软，易成卷，使得炉管载具无法支撑住金属箔片，金属箔片生长基底在制备石墨烯的过程中容易出现相互粘连的现象，影响石墨烯的制备，同时造成材料的浪费。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能避免金属箔片生长基底在制备石墨烯的过程中出现粘连现象的用于石墨烯生长的载具。
[0004]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种用于石墨烯生长的载具，包括立方体框架，所述立方体框架的底端上设有底挡板，所述立方体框架相对的两个侧面的内侧上均设有侧挡板，两个所述侧挡板相互朝向的一面上均设有若干均匀排布的侧挡板槽，两个所述侧挡板上的所述侧挡板槽分别一一对应，在所述立方体框架设有所述侧挡板的两个侧面的顶边上均设有若干固定槽，所述立方体框架的顶端设有若干横向石英棒，所述横向石英棒的两端分别设在两个不同侧面顶边上的所述固定槽内，相邻的两个所述横向石英棒之间设有碳碳复合材料薄板，所述碳碳复合材料薄板的两侧边分别设在两个侧挡板的侧挡板槽内。
[0005]本实用新型的有益效果是:将生长基底铺设在碳碳复合材料薄板上，将纵向石英棒依次穿过碳碳复合材料薄板和生长基底后，将生长基底置于载具上，使得所述纵向石英棒置于所述横向石英棒的定位槽内，所述生长基底的两个侧边分别置于两个所述侧挡板上的所述侧挡板槽内，通过槽壁对生长基底进行隔壁，有效防止生长基底粘连，节省空间和重量，提升炉体加工产能，不用其他工具，可减轻载具整体重量，固定槽的是设置能很好地对横向石英棒进行定位，避免横向石英棒在立方体框架的顶端上移动。
[0006]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
[0007]进一步，所述碳碳复合材料薄板的上表面上设有若干水平设置的纵向石英棒，所述纵向石英棒与所述横向石英棒垂直设置。
[0008]进一步，所述侧挡板槽为倾斜设置的条形槽。
[0009]进一步，所述侧挡板槽倾斜角度为15度至25度。
[0010]采用上述进一步方案的有益效果是:所述侧挡板槽和所述底挡板槽采用竖直设置或倾斜设置的条形槽均能实现对生长基底的隔离。
[0011]进一步，所述碳碳复合材料薄板上均匀设有若干定位槽，所述纵向石英棒置于所述碳碳复合材料薄板的定位槽内。
[0012]采用上述进一步方案的有益效果是:通过定位槽能避免纵向石英棒在横向石英棒上移动。
[0013]进一步，相邻的两个所述侧挡板槽之间的槽间距为4.5mm至6.0mm。
[0014]进一步，所述侧挡板槽的槽深为25mm至55mm。
[0015]进一步，所述立方体框架的材质为石英。
[0016]一种制备石墨烯的方法，该方法通过使用上述载具制备石墨烯，包括以下步骤:
[0017]步骤一，在切好的生长基底的上部与所述纵向石英棒相对应的位置上打孔；
[0018]步骤二，将所述生长基底铺设在所述碳碳复合材料薄板上，所述纵向石英棒穿过所述生长基底的上部的固定孔后将所述纵向石英棒放置在所述碳碳复合材料薄板上，使得所述生长基底的两侧分别与所述碳碳复合材料薄板的两侧置于两个所述侧挡板上的同一所述侧挡板槽内；
[0019]步骤三，将装载有生长基底的载具放置于石墨烯生长装置中，使得载具设有侧挡板的一面朝向石墨烯生长装置的进气口，采用化学气相沉积法沉积石墨烯薄膜；
[0020]步骤四，待石墨烯生长完成后，将载具从石墨烯生长装置中取出，将所述生长基底从载具上取下，即得生长有石墨烯的生长基底。
[0021]采用上述进一步方案的有益效果是:将纵向石英棒穿过生长基底后，将生长基底置于载具上，使得所述横向石英棒的两端分别设在两个不同侧边的顶边上的所述固定槽内，纵向石英棒置于所述横向石英棒上，所述生长基底的两个侧边分别置于两个所述侧挡板上的所述侧挡板槽内，通过槽壁对生长基底进行隔壁，有效防止生长基底在制备石墨烯的过程中发生粘连，节省空间和重量，提升炉体加工产能，不用其他工具，可减轻载具整体重量。
[0022]进一步，所述步骤一中所述生长基底上孔的数量为两个或两个以上，且与所述纵向石英棒的数量相同。
[0023]采用上述进一步方案的有益效果是:通过两个或两个以上孔能对生长基底有效固定。
[0024]进一步，所述步骤二中相邻的所述生长基底的顶部通过所述横向石英棒进行隔离。
[0025]进一步，所述步骤一中的所述生长基底为铜箔。
[0026]进一步，所述步骤一中所述生长基底上的孔的孔径为3mm至7mm。
[0027]进一步，所述步骤一中所述生长基底上的孔的孔距为60mm至80mm。
【附图说明】
[0028]图1为本实用新型的结构示意图；
[0029]图2为本实用新型的碳碳复合材料薄板的结构示意图；
[0030]图3为本实用新型的生长基底的结构示意图；
[0031]图4为本实用新型使用示意图；
[0032]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0033]1、立方体框架，2、底挡板，3、侧挡板，4、侧挡板槽，5、固定槽，6、横向石英棒，7、碳碳复合材料薄板，8、定位槽，9、固定孔，10、纵向石英棒，11、生长基底。
【具体实施方式】
[0034]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0035]如图1、图2、图3所示，本实用新型包括立方体框架1，所述立方体框架I的底端上设有底挡板2，所述立方体框架I相对的两个侧面的内侧上均设有侧挡板3，两个所述侧挡板3相互朝向的一面上均设有均匀