一种防氧化双坩埚结构的制作方法

文档序号:10400992阅读:336来源:国知局
一种防氧化双坩埚结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于单氟磷酸钠生产技术领域,尤其涉及一种防氧化双坩祸结构。
【背景技术】
[0002]单氟磷酸钠是一种高附加值无机功能性含氟材料,应用领域广泛,市场需求量逐步增加。单氟磷酸钠的制备方法较多,但归纳起来主要分为三类:熔融法、液相中和法和气相氟化法。其中,无论从研究重点还是从工业应用现状来说,熔融法均是较为传统且普遍选用的方法。
[0003]熔融法制备单氟磷酸钠的主要反应器为石墨容器,在生产过程中石墨容器在急剧加热和冷却的交替冲击下,使用寿命缩短,成本增高,热损失较大,且得到产品易氧化,石墨容器内的炉嘴易堵塞,清理不方便。
【实用新型内容】
[0004]为要解决的上述问题,本实用新型提供一种防氧化双坩祸结构。
[0005]本实用新型的技术方案:一种防氧化双坩祸结构,包括外坩祸、电阻丝、内坩祸、炉嘴、内双层坩祸盖和外层坩祸盖,其特征在于所述内坩祸设置在所述外坩祸内,所述外坩祸的外壁开设凹槽,所述电阻丝设置在所述外坩祸外的所述凹槽内,所述炉嘴设置在所述内坩祸内,所述内双层坩祸盖设置在所述内坩祸上,所述外层坩祸盖设置在所述外坩祸上,所述内双层坩祸盖包括内上层锅盖和内下层锅盖,所述内上层锅盖和内下层锅盖分别开有通孔,所述内上层锅盖和内下层锅盖上的通孔错开设置不连通,所述炉嘴包括炉嘴外壁、炉嘴内壁、进液通道、出液通道、检修口、保护塞、定位突起、连接通道和炉嘴口,所述炉嘴外壁与所述炉嘴内壁形成所述进液通道和所述出液通道,所述进液通道通过所述连接通道与所述出液通道连通,所述检修口设置所述炉嘴外壁上部并与所述进液通道连通,所述保护塞为设置在所述检修口内,所述炉嘴内壁长出所述炉嘴外壁的部分为炉嘴口,所述炉嘴口顶部设置有定位突起。
[0006]所述外坩祸和所述内坩祸为圆筒形结构。
[0007]所述外坩祸外部的所述凹槽为螺旋状。
[0008]所述电阻丝外接稳压器和控温器。
[0009]所述进液通道与所述出液通道平行设置。
[0010]本实用新型的有益效果:结构简单,耐高温,原料受热均匀,提高产品产量,延长内坩祸的使用寿命,减少生产成本,内双层坩祸盖和外层坩祸盖的设置合理,能够有效隔氧和防氧化。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的剖面结构图。
[0012]图2是本实用新型的炉嘴的剖面结构图。
[0013]图3是本实用新型的炉嘴去除保护塞后的剖面结构图。
[0014]图中,1、外坩祸,2、电阻丝,3、内坩祸,4、炉嘴,5、内双层坩祸盖,6、凹槽,7、炉嘴外壁,8、炉嘴内壁,9、进液通道,10、出液通道,11、检修口,12、保护塞,13、定位突起,14、连接通道,15、炉嘴口,16、外层坩祸盖。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型的一种【具体实施方式】做出说明。
[0016]本实用新型涉及一种防氧化双坩祸结构,包括外坩祸1、电阻丝2、内坩祸3、炉嘴4、内双层坩祸盖5和外层坩祸盖16,内坩祸3设置在外坩祸I内,内坩祸3采用石墨坩祸,外坩祸I采用碳化硅坩祸,外坩祸I和内坩祸3联合使用,有效减弱急剧加热和冷却对内坩祸即石墨坩祸的交替冲击,有效延长使用寿命,降低成本,减少维修所需时间,外坩祸I的外壁开设凹槽6,电阻丝2设置在外坩祸I外的凹槽6内,有效为坩祸加热,内双层坩祸盖5设置在内坩祸3上,外层坩祸盖6设置在外坩祸I上,外层坩祸盖6能够初步减少产品与氧的接触机会,内双层坩祸盖5包括内上层锅盖和内下层锅盖,内上层锅盖和内下层锅盖分别开有通孔,内上层锅盖和内下层锅盖分的有通孔错开设置不连通,内双层坩祸盖5和外层坩祸盖6的设置十明显地减少了产品与氧的接触机会,能有效地避免产品中的氟被氧置换,在内坩祸上面的内双层坩祸盖5放置有一层氟化氢氨或氟化物与氟化氢氨的混合物,在高温下氟化氢氨可以分解出氟化氢,氟化氢可以通过内双层坩祸盖5的通孔到达原料或产品的表面,即使产品中出现少量的氧化物,分解出氟化氢可能对其表层甚至内部产生进一步氟化作用,因此内双层坩祸盖5和外层坩祸盖6的设置具有双重功能,即隔氧功能和氟化作用。炉嘴4设置在内坩祸3内,炉嘴4包括炉嘴外壁7、炉嘴内壁8、进液通道9、出液通道10、检修口 11、保护塞12、定位突起13、连接通道14和炉嘴口 15,炉嘴外壁7与炉嘴内壁8形成进液通道9和出液通道10,进液通道通9过连接通道14与出液通道9连通,检修口 11设置炉嘴外壁7上部并与进液通道10连通,所述炉嘴内壁8长出所述炉嘴外壁7的部分为炉嘴口 15,所述炉嘴口 15顶部设置有定位突起13,起到定位作用,使炉嘴4与内坩祸3的位置固定,使进液通道9与内坩祸3底保持一定距离,保证液态产品进入进液通道通9的空间,保护塞12为2个分别设置在检修口 11内,与直通式炉嘴相比,炉嘴外壁7能够有效保护进液通道9,使其原料不易进入进液通道9造成堵塞,提高工作效率,定位突起13的直径大于炉嘴口 15的直径,起到定位作用。
[0017]外坩祸1、内坩祸3为圆筒形结构,结构简单,易于生产。
[0018]外坩祸I外部的凹槽6为螺旋状,易于生产,方便电阻丝2的盘放。
[0019]电阻丝2外接稳压器和控温器,确保生产条件稳定。
[0020]进液通道与9和出液通道10平行设置。
[0021]使用例:外坩祸I和内坩祸3之间加入高熔点填充材料,如氧化铝,内双层坩祸盖5设置在内坩祸3上,外层坩祸盖6设置在外坩祸I上,外层坩祸盖6能够初步减少产品与氧的接触机会,在内坩祸上面的内双层坩祸盖5放置有一层氟化氢氨或氟化物与氟化氢氨的混合物,内上层锅盖和内下层锅盖分的有通孔错开设置不连通,氟化氢氨或氟化物与氟化氢氨的混合物不会掉入内坩祸3内,内双层坩祸盖5和外层坩祸盖6的设置十明显地减少了产品与氧的接触机会,能有效地避免产品中的氟被氧置换,在内坩祸上面的内双层坩祸盖5放置有一层氟化氢氨或氟化物与氟化氢氨的混合物,在高温下氟化氢氨可以分解出氟化氢,氟化氢可以通过内双层坩祸盖5的通孔到达原料或产品的表面,即使产品中出现少量的氧化物,分解出氟化氢可能对其表层甚至内部产生进一步氟化作用,以偏磷酸钠(或正、焦、聚磷酸钠等)和氟化钠为原料,将原料经干燥、破碎、混合等预处理后加入内坩祸3内,通过加热缠绕在外坩祸I外部凹槽内的电阻丝2,外接稳压器和控温器,确保生产条件稳定,温度控制在910°C上下浮动不超过5°C,使得内坩祸3中加热到熔融状态下反应得到液态产品单氟磷酸钠,通过炉嘴4流出冷却得到单氟磷酸钠成品,炉嘴4的炉嘴外壁7能够防止粉末装原料进入进液通道9,液态产品单氟磷酸钠从两侧进入进液通道9,当液面达到连接通道14时液态产品单氟磷酸钠通过出液通道10从出液通道10流出,收集后用于下部生产。
[0022]当炉嘴4发生堵塞时,从内坩祸3内取出炉嘴4,利用透针插入进液通道9或出液通道10清除堵塞,若连通通道14堵塞,可取下设置在检修口 11内的保护塞12利用透针清除堵塞,清除堵塞后再将保护塞12放入检修口 11,将清除堵塞后的炉嘴4放回内坩祸3内进行后续生产。
[0023]以上对本实用新型的一个实例进行了详细说明,但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
【主权项】
1.一种防氧化双坩祸结构,包括外坩祸、电阻丝、内坩祸、炉嘴、内双层坩祸盖和外层坩祸盖,其特征在于所述内坩祸设置在所述外坩祸内,所述外坩祸的外壁开设凹槽,所述电阻丝设置在所述外坩祸外的所述凹槽内,所述炉嘴设置在所述内坩祸内,所述内双层坩祸盖设置在所述内坩祸上,所述外层坩祸盖设置在所述外坩祸上,所述内双层坩祸盖包括内上层锅盖和内下层锅盖,所述内上层锅盖和内下层锅盖分别开有通孔,所述内上层锅盖和内下层锅盖上的通孔错开设置不连通,所述炉嘴包括炉嘴外壁、炉嘴内壁、进液通道、出液通道、检修口、保护塞、定位突起、连接通道和炉嘴口,所述炉嘴外壁与所述炉嘴内壁形成所述进液通道和所述出液通道,所述进液通道通过所述连接通道与所述出液通道连通,所述检修口设置所述炉嘴外壁上部并与所述进液通道连通,所述保护塞为设置在所述检修口内,所述炉嘴内壁长出所述炉嘴外壁的部分为炉嘴口,所述炉嘴口顶部设置有定位突起。2.根据权利要求1所述的一种防氧化双坩祸结构,其特征在于所述外坩祸和所述内坩祸为圆筒形结构。3.根据权利要求1所述的一种防氧化双坩祸结构,其特征在于所述外坩祸外部的所述凹槽为螺旋状。4.根据权利要求1所述的一种防氧化双坩祸结构,其特征在于所述电阻丝外接稳压器和控温器。5.根据权利要求1所述的一种防氧化双坩祸结构,其特征在于所述进液通道与所述出液通道平行设置。
【专利摘要】本实用新型属于单氟磷酸钠生产技术领域,尤其涉及一种防氧化双坩埚结构,内坩埚设置在外坩埚内,外坩埚的外壁开设凹槽,电阻丝设置在外坩埚外的凹槽内,炉嘴设置在内坩埚内,内双层坩埚盖设置在内坩埚上,外层坩埚盖设置在外坩埚上,内双层坩埚盖包括内上层锅盖和内下层锅盖,内上层锅盖和内下层锅盖分别开有通孔,内上层锅盖和内下层锅盖上的通孔错开设置不连通,炉嘴包括炉嘴外壁、炉嘴内壁、进液通道、出液通道、检修口、保护塞、定位突起、连接通道和炉嘴口。本实用新型的有益效果:结构简单,耐高温,原料受热均匀,提高产品产量,延长内坩埚的使用寿命,减少生产成本,内双层坩埚盖和外层坩埚盖的设置合理,能够有效隔氧和防氧化。
【IPC分类】F27B14/14, F27B14/12, C01B25/455
【公开号】CN205313096
【申请号】CN201520966255
【发明人】刘建, 李力
【申请人】天津开发区信达化工技术发展有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年11月27日
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