具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法以及利用该制造方法得到的具有降冰片烷骨架的...的制作方法

文档序号:3505767阅读:355来源:国知局
专利名称:具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法以及利用该制造方法得到的具有降冰片烷骨架的 ...的制作方法
技术领域
本发明涉及作为具有高耐热性和透明性的聚合物有用的、具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法。此外,本发明涉及利用该制造方法得到的具有降冰片烷骨架的聚酰胺。
背景技术
以往,对于光电子仪器等中所用的光学部件用树脂而言,从向电子基板等的安装工艺、高温工作下的耐热性、机械特性或其通用性考虑,一直广泛使用环氧树脂。但是,近年来,在光电子仪器领域中,高强度的激光、蓝色光、近紫外光的利用也扩大,从而需求透明性、耐热性和耐光性比以往更优异的树脂。 通常,环氧树脂在可见光下的透明性高,但在紫外至近紫外区域得不到充分的透明性。此外,由脂环族环氧树脂和酸酐形成的固化物虽然在近紫外区域的透明性较高,但存在因热、光而容易着色等问题。另外,出于提高耐热、耐紫外线着色性的需求,研究了各种环氧树脂(例如,参见专利文献I 4)。另一方面,聚酰胺等耐热性树脂在耐热性、绝缘性、耐光性、机械特性方面优异,并且可溶于多种溶剂、操作性优异,因此在电子领域中广泛用作半导体元件的表面保护膜、层间绝缘膜等。其中,具有脂环族结构的聚酰胺在紫外区域的透明性优异,因此开始将其作为光电子仪器、各种显示器等的材料进行研究(例如,参见专利文献5)。现有技术文献专利文献专利文献I:日本特开2007 - 308683号公报专利文献2:日本特开2006 - 131867号公报专利文献3:日本特开2003 - 171439号公报专利文献4:日本特开2004 - 75894号公报专利文献5:日本专利第3091784号公报

发明内容
发明要解决的问题然而,虽然专利文献5中所记载的聚酰胺是通过使二胺与羧酸或其衍生物聚合来制造的,但由于二胺与二羧酸的反应需要240°C 350°C这样的高温,因此正在寻求工业上简便的制造方法。本发明是为了解决上述问题而作出的发明。具体地说,涉及一种简便制造耐热性和透明性优异的、具有降冰片烷骨架的聚酰胺的方法以及利用该方法得到的具有降冰片烷骨架的聚酰胺。解决问题的方法SP,本发明如下。
本发明涉及一种具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,其特征在于,使下述通式(I)所表示的降冰片烷二羧酸化合物与二异氰酸酯化合物在极性溶剂中反应。[化I]
权利要求
1.一种具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,其特征在于,使下述通式(I)所表示的降冰片烷二羧酸化合物与二异氰酸酯化合物在极性溶剂中反应,
2.根据权利要求I所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,其特征在于,所述二异氰酸酯化合物为下述通式(II)所表示的二异氰酸酯化合物, 其中,式中X为选自碳原子数为4 16的二价脂肪族基团和碳原子数为4 16的二价脂环族基团中的二价有机基团。
3.根据权利要求I所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,其特征在于,所述二异氰酸酯化合物为下述通式(III)所表示的二异氰酸酯化合物, 其中,式中Y为二价芳香族基团。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,其特征在于,所述通式(I)所表示的降冰片烷二羧酸化合物利用包括下述(I) (2)工序的方法来得到, (1)工序在含有钌化合物、钴化合物和卤化物盐的催化剂体系的存在下,使下述通式(IV)所表示的降冰片烯单羧酸衍生物与甲酸酯(HC00R2)反应,制成下述通式(V)所表示的降冰片烷二羧酸衍生物,
5.根据权利要求4所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述钌化合物为在分子内兼具羰基配体和卤素配体的钌络合物。
6.根据权利要求4或5所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述卤化物盐为季铵盐。
7.根据权利要求4 6中任一项所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述催化剂体系进一步含有碱性化合物。
8.根据权利要求7所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述碱性化合物为叔胺化合物。
9.根据权利要求4 8中任一项所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述催化剂体系进一步含有酚化合物。
10.根据权利要求4 9中任一项所述的具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法,所述催化剂体系进一步含有有机卤素化合物。
11.一种具有降冰片烷骨架的聚酰胺,其利用权利要求I 10中任一项所述的制造方法来得到。
全文摘要
在具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法中,使下述通式(I)所表示的降冰片烷二羧酸化合物与二异氰酸酯化合物在极性溶剂中反应。由此,提供耐热性和透明性优异的、具有降冰片烷骨架的聚酰胺的新的制造方法以及利用该方法得到的具有降冰片烷骨架的聚酰胺。(其中,式中R1为氢或甲基。)
文档编号C07C51/09GK102812063SQ201080065650
公开日2012年12月5日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年3月29日
发明者川上广幸 申请人:日立化成工业株式会社
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