专利名称：四配位钯络合物的合成及其在光发射设备中的应用的制作方法
技术领域：
本公开涉及能够吸收和/或发射光并且因此在设备中用作放射性或吸收材料的钯络合物。
背景技术：
能够吸收和/或发射光的化合物非常适合用于许多光学和电光设备中，包括光吸收设备(例如太阳能和光敏设备)、光发射设备(例如有机光发射二极管(OLED))或能够吸收和发射光的设备。许多研究已经致力于发现并优化用于光学和电光设备中的有机和有机金属材料。通常，该领域中的研究旨在实现许多目标，包括提高吸收和发射效率，以及提高加工能力等。尽管在致力于光学和电光材料的研究中有重大进展，但是包括有机或有机金属材料的许多当前设备尚待优化。当前用于光学和电光设备中的许多材料有很多缺点，包括加工能力差、发射或吸收无效和稳定性不够理想等。因此，需要在光学和电光设备中表现出改进性能的新材料。本发明的组合物和方法满足了这种需要和其它需要。发明概述本发明涉及显示出光吸收和光发射的钯络合物，制备此类化合物的方法及其应用，包括包含所述化合物的光学设备。在一个实施方案中，所述化合物由下式表示
权利要求
1.一种化合物，所述化合物由下式表示 其中(R1)2和(R2)2中的每个R1和R2独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氣基、硝基或硫醇基； R3表不甲基、乙基、丙基或丁基； Yla表示O、S、NR4a,其中R4a表示经任选取代的C1-C4烷基；Si (R4b)2，其中(R4b)2中的每个R4b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基；或C (R4c；) 2，其中(R4c；) 2中的每个俨表示氢或经任选取代的C1-C4烷基；n为整数O或I ; Ylb，存在时，表示0、S、NR5a，其中R5a表示经任选取代的C1-C4烷基；Si (R5b)2，其中(R5b)2中的每个R5b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基；或C (俨)2，其中(R5e) 2中的每个俨表示氢或经任选取代的C1-C4烷基； Y2\ Y2b、Y2。和Y2d各自独立地表示N、NR6a或CR6b,其中R6a和R6b各自独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基；Y3\ Y3\ Y3。、Y3\ Y3\ Y4\ Y4\ Y4c 和 Y4d 各自独立地表示 N、O、S、NR6a、CR6b,其中 R6a 和 R6b各自独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基；或Z(R6c)2，其中Z为C或Si，并且其中(Rfk)2中的每个R6c；独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基； 其中m为整数I或2; 其中开口虚线圆D指与之缔合的环部分或完全不饱和； 条件是如果m为I，Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2。各自为N，则Y4a、Y4b、Y3a或Y3d中的至少一个不为N ;并且 条件是如果n为O，m为2，Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2c各自为N，则Y3b或Y3c中的至少一个不为N。
2.根据权利要求I所述的化合物，所述化合物由下式表示
3.根据权利要求I所述的化合物，所述化合物由下式表示
4.根据权利要求I所述的化合物，所述化合物由下式表示
5.根据权利要求I所述的化合物，所述化合物由下式表示
6.根据权利要求I所述的化合物,所述化合物由下式表示
7.—种有机光发射二极管(OLED),所述有机光发射二极管包含作为放射性材料的由下式表示的化合物
8.一种有机光伏设备，所述有机光伏设备包含作为供体或受体材料的由下式表示的化合物其中(R1)2和(R2)2中的每个R1和R2独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氣基、硝基或硫醇基； R3表不甲基、乙基、丙基或丁基； Yla表示O、S、NR4a,其中R4a表示经任选取代的C1-C4烷基；Si (R4b)2，其中(R4b)2中的每个R4b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基；或C (R4c；) 2，其中(R4c；) 2中的每个俨表示氢或经任选取代的C1-C4烷基；n为整数O或I ; Ylb，存在时，表示0、S、NR5a，其中R5a表示经任选取代的C1-C4烷基；Si (R5b)2，其中(R5b)2中的每个R5b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基；或C (俨)2，其中(R5e) 2中的每个俨表示氢或经任选取代的C1-C4烷基； Y2a、Y2b、Y2。和Y2d各自独立地表示N、NR6a或CR6b,其中R6a和R6b各自独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基；Y3a、Y3b、Y3。、Y3d、Y3e、Y4a、Y4b、Y4c 和 Y4d 各自独立地表示 N、O、S、NR6a、CR6b,其中 R6a 和 R6b各自独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基；或Z(R6c)2，其中Z为C或Si，并且其中(Rfk)2中的每个R6c；独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基； 其中m为整数I或2; 其中开口虚线圆D指与之缔合的环部分或完全不饱和； 条件是如果m为I，Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2。各自为N，则Y4a、Y4b、Y3a或Y3d中的至少一个不为N ;并且 条件是如果n为O，m为2，Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2c各自为N，则Y3b或Y3c中的至少一个不为N。
全文摘要
公开了能够吸收和/或发射光的钯络合物，以及制备和使用所述钯络合物的方法。
文档编号C07D213/63GK102971396SQ201180023966
公开日2013年3月13日 申请日期2011年5月2日 优先权日2010年4月30日
发明者健·李, 埃里克·特纳 申请人:代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会