一种iv型埃替拉韦晶体及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种IV型埃替拉韦晶体及其制备方法。所述的IV型埃替拉韦晶体的X-射线粉末衍射谱图在如下2θ：9.98°、11.68°、17.05°、18.98°、23.12°、23.57°下具有特征衍射峰，测试误差为±0.2°。所述晶体的制备包括如下步骤：在20～60℃，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中；在10～20℃搅拌使析晶或滴加反溶剂后在0～10℃搅拌使析晶；过滤，干燥。本发明提供的IV型埃替拉韦晶体相对于现有晶型具有更优异的溶解性和优良的稳定性，更有利于制剂的制备；另外，本发明的制备方法简单、生产周期短、成本低、易于规模化生产。
【专利说明】一种IV型埃替拉韦晶体及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及埃替拉韦的一种新晶型及其制备方法，具体说，是涉及一种IV型埃替 拉韦晶体及其制备方法，属于药物合成【技术领域】。
【背景技术】
[0002] 埃替拉韦（elvitegravir)是由吉利德科学公司（Gilead Sciences, Inc.)开发的 新一类整合酶抑制剂，其主要是用于阻止HIV病毒将染色体整合到宿主细胞DNA中的药物， 现处于预注册阶段，其化学结构式如下所示：
[0003]
【权利要求】
1. 一种IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体的X-射线粉末衍射谱图在如下 2Θ :9.98°、11.68°、17.05°、18.98°、23.12°、23.57° 下具有特征衍射峰，测试误差为 ±0.2°。
2. 如权利要求1所述的IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体的X-射线粉末衍射 谱图在如下 2Θ :8.52。、9.98°、10.53。、11.68°、12.76°、13.93。、14.58°、15.98°、 17.05°、16.76°、18.98°、20.15°、21.28°、23.12°、23.57 °、24.65 °、25.84 °、 28. 42°、34. 68°、36. 57°下具有主衍射峰，测试误差为±0.2°。
3. 如权利要求1所述的IV型埃替拉韦晶体，其特征在于：所述晶体在30?200°C范围 内的差热-热重分析中的失重率为8. 5%?9. 5%。
4. 一种制备权利要求1至3中任一项所述的IV型埃替拉韦晶体的方法，其特征在于， 包括如下步骤： a) 在20?60°C，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中； b) 在10?20°C搅拌使析晶； c) 过滤，干燥。
5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤a)使lg无定型埃替拉韦溶解于1? 9mL的无水乙醇中。
6. 如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤c)中的干燥为真空干燥、热风干燥或 流化床干燥。
7. -种制备权利要求1至3中任一项所述的IV型埃替拉韦晶体的方法，其特征在于， 包括如下步骤： 1) 在20?60°C，使无定型埃替拉韦溶解于适量的无水乙醇中； 2) 滴加反溶剂：正己烷、正庚烷、乙醚、异丙醚、甲基叔丁基醚中的至少一种； 3) 滴毕，降温到0?10°C，搅拌使析晶； 4) 过滤，干燥。
8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤1)使lg无定型埃替拉韦溶解于1? 9mL的无水乙醇中。
9. 如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤2)中滴加的反溶剂体积与无水乙醇的 体积比为1:1。
10. 如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤4)中的干燥为真空干燥、热风干燥或 流化床干燥。
【文档编号】C07D215/56GK104151241SQ201310178458
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2013年5月15日 优先权日:2013年5月15日
【发明者】李金亮, 赵楠, 胡文军 申请人:上海迪赛诺化学制药有限公司