磷光发射体的制作方法与工艺

文档序号:12006833阅读:来源:国知局
磷光发射体的制作方法与工艺

技术特征:
1.杂配位铱化合物Ir(L1)n(L2)3-n,其具有下式:其中n=1或2;其中为L1;其中为L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示单、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢和烷基;和其中R1为烷基。2.权利要求1的化合物,其中n=1。3.权利要求1的化合物,其中该化合物具有下式:其中R4是氢或甲基。4.权利要求1的化合物,其中R2、R3和R5各自为氢。5.权利要求1的化合物,其中L1选自:6.权利要求1的化合物,其中L2选自:7.权利要求5的化合物,其中L2选自:8.权利要求2的化合物,其中L1选自:9.权利要求1的化合物,其中L2选自:10.权利要求8的化合物,其中L2选自:11.权利要求1的化合物,其中该化合物是:12.权利要求1的化合物,其中该化合物具有比更窄的半峰全宽。13.权利要求1的化合物,其中该化合物具有比更低的升华温度。14.有机发光器件,其包含:阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含具有下式的杂配位铱化合物Ir(L1)n(L2)3-n化合物:其中n=1或2;其中为L1;其中为L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示单、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢和烷基;和其中R1是烷基。15.权利要求14的器件,其中该有机层是发光层,并且具有式的化合物是发光化合物。16.权利要求14的器件,其中该发光层进一步包含主体。17.权利要求16的器件,其中该主体具有下式:其中R1和R2独立地表示选自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基的单、二、三或四取代,或者无取代;并且其中R1和R2的至少之一包括苯并[9,10]菲基团。18.权利要求16的器件,其中该主体具有下式:其中R1、R2和R3各自独立地为氢、具有一个或多个间位取代基的非稠合的杂芳基或非稠合的芳基,其中R1、R2和R3的至少之一不为氢;并且其中每个间位取代基为非稠合的芳基或杂芳基,所述芳基或杂芳基任选地被选自非稠合的芳基、非稠合的杂芳基和烷基的进一步的取代基取代。19.消费产品,其包含器件,该器件进一步包含:阳极;阴极;以及位于该阳极和该阴极之间的有机层,该有机层进一步包含具有下式的杂配位铱化合物Ir(L1)n(L2)3-n化合物:其中n=1或2;其中为L1;其中为L2;其中R2、R3、R4和R5可以表示单、二、三或四取代;并且其中R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢和烷基;和其中R1为烷基。
当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1