一种超临界CO2低温萃取植物油的方法与流程

文档序号:12643791阅读:2401来源:国知局

本发明涉及现代农业技术领域,特别涉及一种超临界CO2低温萃取植物油的方法。



背景技术:

目前市场上,从植物原料中提取植物油的方法有压力提取、溶剂萃取、蒸馏、磨浆浸取、精密压榨等,其中溶剂萃取法采用的溶剂有:乙醇、丙酮、环己烷、石油醚等,而且其精馏下艺在高温下进行,由于溶剂和高温精馏的特性,使该方法原工艺中提取温度高,破坏生物活性成分;提取过程易产生氧化作用,出油率低,一般传统压榨方式出油率仅为3-5%左右,成本高,设备能耗高;提取产物中有溶剂残留;成品有异味,品质低等。另外葡萄籽,沙棘籽,石榴籽,哈密瓜子,苍耳等种子外壳坚硬,也会增加出油成本。

故急需一种可提高出油率,减少资源浪费,降低能耗及提升油品质量的超临界低温萃取植物油的方法。



技术实现要素:

鉴于以上问题,本发明提供了一种可提高出油率,减少资源浪费,降低能耗及提升油品质量的超临界CO2低温萃取植物油的方法。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:一种超临界CO2低温萃取植物油的方法,包括如下步骤:

S1:清洗:将待萃取的植物种籽放置于超声波清洗机中,进行超声清洗;目的是更彻底的清洗掉附着在植物种籽表面及缝隙中的杂质;

S2:脱干:完成清洗后,将清洗过后的植物种籽取出沥水,低温通风干燥,至植物种籽含水量低于7%为止;

S3:破壳:将植物种籽进行破壳粉碎处理;

S4:超临界CO2萃取:在萃取釜中进行超临界CO2萃取过程,将萃取物进行气液分离,使得CO2气体与萃取物分离,将气液分离后的萃取物经精馏柱精馏;

S5:收集:最后进行脱水处理得植物油。经此工艺萃取的植物种籽出油率一般在7%以上,明显高于传统方法的出油率。

所述步骤S1中超声清洗的清洗液温度为30℃。

所述步骤S1中超声清洗的清洗时间为10min。

所述步骤S3中将植物种籽破壳粉碎至低于40目为止。

所述步骤S4中超临界CO2萃取温度低于40℃。

所述步骤S4中超临界CO2萃取压力为20-40Mpa。

所述植物种籽为葡萄籽,沙棘籽,石榴籽,哈密瓜籽,苍耳籽,亚麻籽,红花籽,紫苏籽,月见草籽。

本发明的优点和有益效果在于提供一种提高出油率,减少资源浪费,降低能耗及提升油品质量的超临界CO2低温萃取植物油的方法。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明萃取工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范同。

实施例1:葡萄籽油萃取法

S1:清洗:将待萃取的葡萄籽放置于超声波清洗机中,进行超声清洗,超声清洗的清洗液温度为30℃,超声清洗的清洗时间为10min。彻底的清洗掉附着在葡萄籽表面及缝隙中的杂质;

S2:脱干:完成清洗后,将清洗过后的葡萄籽取出沥水,低温通风干燥,至葡萄籽含水量为6%为止;

S3:破壳:将葡萄籽进行破壳粉碎处理,将葡萄籽破壳粉碎至40目为止;

S4:超临界CO2萃取:在萃取釜中进行超临界CO2萃取过程,超临界CO2萃取温度低于40℃,超临界CO2萃取压力为20-40Mpa。将萃取物进行气液分离,使得CO2气体与萃取物分离,将气液分离后的萃取物经精馏柱精馏;

S5:收集:最后进行脱水处理得植物油。经此工艺萃取的葡萄籽出油率一般在7%以上,明显高于传统方法的出油率。

实施例2:苍耳籽油萃取法

S1:清洗:将待萃取的苍耳籽放置于超声波清洗机中,进行超声清洗,超声清洗的清洗液温度为30℃,超声清洗的清洗时间为10min。彻底的清洗掉附着在苍耳籽表面及缝隙中的杂质;

S2:脱干:完成清洗后,将清洗过后的苍耳籽取出沥水,低温通风干燥,至苍耳籽含水量为6%为止;

S3:破壳:将苍耳籽进行破壳粉碎处理,将苍耳籽破壳粉碎至40目为止;

S4:超临界CO2萃取:在萃取釜中进行超临界CO2萃取过程,超临界CO2萃取温度低于40℃,超临界CO2萃取压力为20-40Mpa。将萃取物进行气液分离,使得CO2气体与萃取物分离,将气液分离后的萃取物经精馏柱精馏;

S5:收集:最后进行脱水处理得植物油。经此工艺萃取的苍耳籽出油率一般在6%以上。

本发明的优点和有益效果在于提供一种提高出油率,减少资源浪费,降低能耗及提升油品质量的超临界CO2低温萃取植物油的方法。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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