技术特征：
技术总结
本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。本发明的清洗剂的制备方法，其包括下列步骤，将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本发明的制备方法制得的清洗剂在清洗刻蚀灰化后的半导体芯片中的应用中，清洗质量和效果好。
技术研发人员：王溯;蒋闯;冯强强
受保护的技术使用者：上海新阳半导体材料股份有限公司
技术研发日：2017.07.25
技术公布日：2017.11.10