技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于提高β晶相含量的PVDF‑HFP/GO复合薄膜制备方法，涉及在PVDF‑HFP/Graphene oxide复合薄膜中提高β晶相含量的复合薄膜的制备方法，其目的在于提供一种提高PVDF‑HFP压电复合薄膜β晶相含量方法，解决单一PVDF‑HFP复合薄膜结晶度不高，β晶相含量低的问题。PVDF‑HFP/Graphene oxide复合薄膜由压电材料PVDF‑HFP、氧化石墨烯材料通过刮膜工艺制备出复合薄膜。该方法不但成膜简单便捷，同时成本低廉。制备方法包括以下步骤：平板玻璃的清洗；配置PVDF‑HFP压电材料和氧化石墨烯材料混合前驱液；真空脱泡；通过刮膜工艺将压电复合薄膜生长在平板玻璃基片上；将压电复合薄膜进行拉伸极化。
技术研发人员：太惠玲;叶学亮;袁震;蒋亚东;谢光忠;杜晓松
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.11.28
技术公布日：2018.04.24