体具有(020)平面为特定的晶体生长表面 的晶体习性。具有上述晶体习性的晶体可通过W下制备，将卢立康挫溶于低级醇（如甲醇 等）中，同时加热（溶解溫度:60至70°C)，添加不良溶剂，然后进行冷却同时施用强烈揽拌， 将晶体沉积，通过过滤方式分离晶体，且干燥该晶体同时在30至40°C的低溫进行吹气。也可 在晶体沉积时添加晶种。对于结晶还优选的是，例如，对溶液施用震动，使得壁表面被摩擦。 在该过程中，优选待添加的不良溶剂的量为低级醇的体积的10至60%，原因如下。即，无论 不良溶剂的量大或小时，在一些情况下该(020)平面不变成特定的晶体生长表面。而且，对 于低级醇，优选使用具有多个碳原子或1至4个碳原子的醇，即，甲醇、乙醇、1-丙醇(丙醇）、 2-丙醇(异丙醇）、1-下醇(正下基醇）、2-下醇(仲下基醇）、2-甲基-1-丙醇(异下醇）、和2-甲 基-2-丙醇（叔下基醇）。除了甲醇，可优选例如，乙醇、异丙醇和正下基醇。上述醇可彼此适 当混合，和/或也可添加乙酸和/或二异丙基酸W调节溶解性。
[0044] 对于重结晶，该重结晶可用包含水的醇进行，或可使用不良溶剂。短语"使用不良 溶剂"是指W下事实。即，该短语是指足W沉积的一定量的水，添加至卢立康挫的醇溶液。
[0045] 该重结晶可根据任何常规重结晶技术进行。
[0046] 关于卢立康挫晶体，本发明者抓住了 W下事实，即根据制备晶体的制备步骤不同 获得了多种具有不同特征的晶体，例如，重结晶溶剂和重结晶方法的不同。而且，也存在描 述晶形的文献如上述专利文件8。为寻找其原因，本发明者进行了重结晶，同时改变重结晶 溶剂和重结晶方法，且本发明者通过使用CuKa作为X-射线源进行了粉末X-射线衍射测量。 与其相关的，附图显示了晶体的粉末X-射线衍射图，该晶体具有(020)平面为特定的晶体生 长表面的晶体习性，其中知晓2Θ特征峰的值存在于21.7°附近。在本发明者迄今进行的研究 中，已知晓对于卢立康挫晶体该峰存在于该位置。然而，该峰从未表现为特别大尺寸。已确 定发现了 一种新的晶体习性。
[0047]本文的晶体的特定的生长表面是指相比其它表面在该表面上的生长较容易发生。 晶体的特定的生长表面为属于W下峰的表面，所述峰具有显著大的峰强度(相比于当进行 粉末X-射线衍射测量时在测量的衍射角范围内其它衍射峰的峰强度的总和）。晶体的特定 的生长表面可被检测为，例如，在晶体的粉末X-射线衍射测量中具体具有高的衍射峰峰强 度的峰。
[004引在本文中，表述"2Θ值在21.7°附近提供"是指，例如，21.7° ±0.7°的范围，优选 21.7。±0.5。。
[0049] 表述"关于2Θ值在21.7°附近存在的峰特别大'是指"包括在1(日日1)、1(1日日)、1(1日-1)、 1(011)、1(110)、I(U-：L)、1(10-2)、I(U-2)、1 (020)、1(021)、1(20-2)、1(121)、1(013)、I(U-3)和1(22^ 中的1(020)， 在从具有高的峰强度的那些峰开始的顺序中排第一位或第二位;和1(日2日)相对1(日日1)、1(100)、 I (10-1)、1(011)、1(110)、I(U-1)、1(10-2)、I(U-2)、1(020)、1(021)、1(20-2)、1(121)、1(013)、I(U-3)和 1(221)的总 和不小于1/5,条件是：
[0050] 对应于(001)平面、（100)平面、（10-1)平面、（011)平面、（110)平面、（11-1)平面、 (10-2)平面、（11-2)平面、（020)平面、（021)平面、（20-2)平面、（121)平面、（013)平面、（11-3)平面和（221)平面的衍射峰的峰强度，分别称为1(日日1)、1(1日日)、1(10-1)、1(011)、1(110)、1(11-:1)、 I (10-2)、1(11-2)、1 (020)、1(021)、1(20-2)、1(121)、1(013)、I(U-3)和I (221)''。换句话说，其是指。包括在 1(001)、1(100)、1(10-1)、1(011)、1(110)、I(U-l)、1(10-2)、I(U-2)、1 (020)、1(021)、1(20-2)、1(121)、1(013)、 1(11-3)和1(221)中的1(020)，在从具有高的峰强度的那些峰开始的顺序中排第一位或第二位； 和1 (020)相对1(001)、I (100)、1(10-1)、1(011)、I (110)、I(U-l)、1(10-2)、I(U-2)、1 (020)、I (021)、1(20-2)、 1(121)、1(013)、1(11-:3)和I(22：L)的总和不小于20%"。该数值参考之后实施例中提及的晶体作用 而提供。
[0051] 可将卢立康挫W用于制备具有上述晶体习性的晶体的卢立康挫使用而不考虑其 晶系，条件是其纯度不小于90%且更优选不小于95%。上述卢立康挫可根据，例如，日本专 利申请公开No.60-218387所述的方法合成。即，1-(氯基甲基）咪挫和二硫化碳反应得到式 (III)的化合物，其与具有离去基团的通式（II)化合物反应，从而可得到具体的通式（1)表 示的化合物。对应于R=x=ci且包括在通式（1)表示的化合物中的化合物为卢立康挫。上述 离去基团Y和Y '可优选示例为，例如，甲烧横酷基氧基、苯横酷基氧基、对甲苯横酷基氧基或 面素原子。R和X表示氨原子或面素原子。
[0化2]
[0053]在式中，Y和Y'表示离去基团，且Μ表示碱金属原子。
[0054] (2)本发明的药物活性成分
[0055] 除了卢立康挫晶体，本发明的药物活性成分可包括在许可范围内的物质、杂质和 类似物作为药物活性成分。然而，尤其优选本发明的药物活性成分基本上由卢立康挫晶体 组成。
[0056] 具有(020)平面的晶体习性作为本发明的晶体的晶体，预期在极性溶剂(如醇等） 中的溶解性优异。认为其机理为对极性溶剂具有高亲和力的分子(如氯原子等)排列在晶体 与溶剂的接触表面。如下文所述，对于具有(020)平面为特定的晶体生长表面的晶体习性的 晶体，硫原子排列在平面上。存在运样一种可能性，即运种排列可有助于反应，即使在固态 情况下（就硫原子为活性位点的反应而言）。在运个意义上，认为在一些情况下其生理作用 也不同于具有任何其它晶体习性的晶体。例如，认为硫醇的加成反应是上述反应。本发明者 认为待发挥的作用可能根据晶体习性而有不同，例如，关于其中半脫氨酸为重要的反应性 分子的毛滴虫。上述特定的表面性质也与其它药物制剂组分相互作用，其与糖(saccharide 或sugar)相互作用，尤其是乳糖。当将活性成分加工成片剂时，可获得具有高硬度的片剂。 上述性质意味着提供了具有高稳定性的阴道片剂，其在隔离酸性组分和碱性组分的性能方 面优异(关于阴道片剂，假定为泡沫片剂(泡腾片剂））。对于药物制剂组分的糖，除了乳糖可 优选示例葡萄糖和薦糖。还可使用两种或更多种糖的组合。
[0057] 当具有卢立康挫的(020)平面为特定的生长表面的晶体习性的晶体用于溶解步骤 中时，例如，当制备卢立康挫含量为0.1至3 0 %质量(相对于药物制剂的总量）的药物制剂 时，在极性溶剂中溶解步骤所需的时间，根据例如，溶解条件、药物制剂中卢立康挫的含量 和处理条件而不同。然而，相对于使用具有（11-1)平面为特定的生长表面的晶体习性的晶 体时的溶解步骤所需时间，该时间大约不大于其70%，优选不大于其60%，且更优选不大于 其 50%。
[0058] 例如，当具有卢立康挫的（020)平面为特定的生长表面的晶体习性的晶体用于卢 立康挫含量为0.1至30%质量(相对于药物制剂的总量）的药物制剂时，施加于病原体