用于衬底涂布的上底漆材料的制作方法

本发明大体上涉及半导体领域，更具体地，涉及用于衬底涂布的上底漆材料。

背景技术：

半导体集成电路(IC)行业已经历快速成长。在IC发展过程中，功能密度(即，每芯片区的互连装置的数目)已大体增加，同时几何大小(即，可使用制造过程产生的最小组件(或管线))已减少。此按比例缩小过程通常通过增加生产效率和降低相关联成本来提供益处。然而，此按比例减小在并有这些IC的装置的设计及制造中还伴有增加的复杂度，且对于待认识到的这些进展，需要装置制造上的类似发展。

作为仅一个实例，许多制造步骤涉及形成于衬底或晶圆上的材料薄膜的形成及操纵。此等薄膜层中的瑕疵、缺陷、不规则性及污染物可暗中损害制造过程，且可突然地影响合格率及装置性能两者。作为薄膜的这些类型瑕疵化合物中的许多者在制造过程期间在彼此上方经分层。因此，不可过分强调均一性及精准涂覆的重要性。

旋涂为用于在衬底上形成薄材料层的一种技术，其在一些应用中已证明为令人满意的。旋涂可涉及在衬底的中心处沉积呈液体形式的材料及自旋衬底以将液体驱动至边缘。以此方式，旋涂充分利用液体的离心趋势以产生具有显著均匀厚度的薄膜。

然而，虽然现有旋涂技术通常已为足够的，但将来改良的可能仍存在。举例来说，最终薄膜的均一性可仍得到改良。作为另一实例，因为许多高级制造过程依赖于愈来愈昂贵的材料，因此使用较少液体的经改良覆盖可有意义地减小每单元的成本。由于此等原因及其它原因，对旋涂技术的额外改良保持改良制造合格率并减小成本及废料的可能。

技术实现要素：

根据本发明一实施例的薄膜形成方法包括：接收衬底；将上底漆材料涂覆到衬底，其中上底漆材料包含每分子具有至少六个碳原子的溶剂；将成膜材料涂覆到衬底的上底漆材料上；以及蒸发上底漆材料以及成膜材料以留下成膜材料的组分。

根据本发明的另一实施例，其中上底漆材料的涂覆包含旋转该衬底以在该衬底上径向分散上底漆材料，且其中成膜材料的涂覆包含旋转该衬底以在该衬底上径向分散成膜材料；其中上底漆材料包含以下各者中的至少一者：癸烷、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、环己酮CHN、又名甲基正戊基甲酮MAK的2-庚酮，或γ-丁内酯GBL；其中上底漆材料包含至少两种溶剂，其中至少两种溶剂中的不同溶剂经选择以达成蒸发速率目标、粘度目标或分子间力目标中的至少两个不同目标；其中至少两种溶剂包含以下各者中的至少一者：丙二醇甲醚乙酸酯PGMEA、丙二醇单甲醚PGME、γ-丁内酯GBL、乳酸乙酯EL、环己酮CHN、环戊酮、3-乙氧基丙酸乙酯EEP、甲基正戊基酮MAK、癸烷、乙酸戊酯或乙酸异戊酯；其中至少两种溶剂进一步包含以下各者中的至少一者：丙二醇甲基醚PGME、丙二醇乙基醚PGEE、PGMEA、乙酸正丁酯nBA、甲基异丁基甲醇MIBC、甲基异丁基酮MIBK、MAK、异丙醇、癸烷、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、CHN或GBL；其中至少两种溶剂包含经选择以具有以下各者中的至少一者的溶剂：基于成膜材料的氢亲和力的氢键供体基团或氢键受体基团；其中上底漆材料具有低于或等于乙酸正丁酯nBA的蒸发速率的约0.55倍的蒸发速率。

本发明的又一实施例还提供电路制造方法，该方法包括：执行第一涂布过程以将底漆涂覆到电路衬底，其中底漆包含基于以下各者中的至少一者选择的溶剂：底漆的蒸发速率、底漆的粘度，或底漆与成膜材料之间的分子间力；以及其后执行第二涂布过程以将成膜材料涂覆到电路衬底。

本发明的又一实施例还提供涂布底漆，其包括：每分子具有至少六个碳原子的溶剂。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下实施方式最佳地理解本发明。强调的是，根据业界中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1为根据本发明的各种方面的旋涂系统的侧视图。

图2为根据本发明的各种方面的旋涂系统的俯视图。

图3为根据本发明的各种方面的用于涂覆薄膜到衬底的方法的流程图。

图4到8为根据本发明的各种方面的执行将薄膜涂覆到衬底的方法的旋涂系统的侧视图。

具体实施方式

本发明大体上涉及IC装置制造，且更明确而言涉及用于利用改良的上底漆材料的旋涂的改良的技术。

以下揭示内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本发明。当然，这些组件以及布置仅为实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征之上或上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本揭示内容可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，例如“底下”、“以下”、“下部”、“上方”、“上部”及其类似者的空间相关术语本文中为易于描述而使用，以描述如图中所说明的一个器件或特征与另一器件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相关术语意欲涵盖装置在使用或操作中的不同定向。举例来说，如果图中的装置经翻转，则描述为在其它器件或特征“以下”或“底下”的器件将接着定向在其它器件或特征“上方”。因此，例示性术语“以下”可涵盖在上方及在下方两种定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相关描述词同样可相应地进行解释。

本发明涉及使用旋涂或类似技术将材料涂覆到例如半导体衬底的工件。适合于执行此技术的旋涂系统100的实例参看图1及图2来描述。为此，图1为根据本发明的各种方面的旋涂系统100的侧视图，且图2为根据本发明的各种方面的旋涂系统100的俯视图。为了解释清楚且容易起见，已简化了图的一些器件。

旋涂系统100利用衬底102的旋转来越过表面分布液体。因此，系统100可包含旋转夹盘104，其可操作以保持并旋转衬底102。夹盘104可使用任一方法来保持衬底102，且在一些例示性实施例中，夹盘104为真空夹盘104。因此，在所说明的实施例中，夹盘104内的中心空腔连接至真空泵。夹盘104与衬底102的背面相抵地密封，且空腔内的空气经抽空以将衬底102固持于适当地方。

一旦紧固了衬底102，夹盘104便围绕中心轴线106旋转，从而使得所保持的衬底102又旋转。转速基于应用可达或超出3,000rpm。因为增加的紊流及旋转不稳定性，用于较大晶圆的最大转速倾向于较慢，且针对300mm衬底102的典型最大转速可在约800rpm与约4,000rpm之间。夹盘104的转速(且通过延伸衬底102的转速)可贯穿旋涂技术发生变化，以便控制正涂覆的液体的分散。

为了供应液体，旋涂系统100可包含一或多个喷嘴108及安装于可移动电枢110上的关联供电管线。可移动电枢110可将喷嘴在加载衬底102期间脱离加载路径而再定位至“本地”位置，且一旦紧固了衬底102便在衬底102的中心部分上方将喷嘴移动至位置。在一些实施例中，可移动电枢也允许喷嘴108在旋涂过程期间沿着衬底102的半径定位于任何地方。除液体供应喷嘴108外，系统100可包含电枢110上的一或多个气体递送喷嘴108，并旨在朝向正涂布的衬底表面导向空气。气体递送喷嘴108可在衬底表面上吹动环境空气或例如氮、氩及/或氦的一或多个指定气体，且可移动电枢110可越过表面吹扫喷嘴108，同时衬底正在自旋且气体正在供应以便向外驱动液体。由气体递送喷嘴108提供的空气可经加热以便控制提供于衬底上的液体的粘度、厚度、蒸发及/或凝固。举例来说，在一些实施例中，由气体递送喷嘴108供应的空气维持于约23℃以便保持液体为粘稠的而不过度干燥。

除气体递送喷嘴108外或作为对所述气体递送喷嘴的替代例，旋涂系统100可包含下降气流装置112，其朝向衬底102的正形成薄膜的表面导向空气。类似于气体递送喷嘴108，气流装置112可在衬底表面处吹动环境空气或例如氮、氩及/或氦的一或多个指定气体。由气流装置112提供的空气可经加热以便控制提供于衬底上的液体的粘度、厚度、蒸发及/或凝固。为此，涂覆过程期间的某蒸发程度可为所要的，以便产生较厚薄膜，同时过度干燥可防止液体在凝固之前充分覆盖衬底102。

为了进一步控制蒸发，旋涂系统100可包含经控制以将衬底及安置于上面的任何液体维持于指定温度的一或多个加热元件114。在一些实例中，加热元件114根据负载回流炉温度曲线来控制，其贯穿旋涂过程使衬底102的温度发生变化。以此方式，加热元件114可用以控制提供于衬底上的液体的粘度、厚度、蒸发及/或凝固。

随着衬底102旋转，沉积于衬底上的某液体可自衬底102射出。许多射出液体将来自衬底102的圆周边缘，但某液体将沿着衬底102的表面在其它地方射出。为了捕获此液体，旋涂系统100可包含包围夹盘104及所保持衬底102的涂布机杯子116或盘子。杯子116经塑形以捕获液体且防止所射出的液体滴落或以其它方式重新沉积于衬底102上。重新沉积于衬底102上的向后泼溅液体已确定为引起可不利地影响合格率的斑点及其它缺陷。取决于污染的程度，所捕获液体中的一些可经回收及再使用，但液体亦可经捕获以供弃置。

参看图3至8来描述用于利用旋涂系统100的技术，所述旋涂系统给予以减少体积的液体的改良的覆盖。所述技术适用于在衬底102上形成广泛的多种薄膜中的任一者中，其中例示性薄膜包含光致抗蚀剂薄膜、抗反射涂层薄膜(例如，底部抗反射涂层(BARC) 薄膜)、硬式掩模薄膜及/或其它合适薄膜。如下文更详细地解释，上底漆材料首先涂覆到衬底以通过改良成膜液体的流动及覆盖来促进成膜液体的后续涂覆。上底漆材料在成膜液体的涂覆及干燥期间可蒸发，从而仅留下呈具有受控厚度的均匀层的成膜液体(呈固体形式)。图3为根据本发明的各种方面的用于涂覆薄膜至衬底102的方法300的流程图。应理解，可在方法300之前、期间及之后提供额外步骤，且对于方法300的其它实施例可替换或消除所描述步骤中的一些。图4至8为根据本发明的各种方面的执行将薄膜涂覆到衬底102的方法300的旋涂系统100的侧视图。图4至8的旋涂系统100可实质上类似于图1的旋涂系统，且可包含实质上如上文所描述的衬底102、夹盘104、喷嘴108及/或其它元件。为了解释清楚及容易，已简化了图的一些元件，且已夸示了图的一些元件。

参考图3的框302且参考图4，将衬底102并紧固于旋涂系统100的夹盘104内。衬底102为上面可形成其它材料的任一材料的例示，且可表示用于电路制造的半导体衬底、掩模衬底及/或用于任何其它合适应用的任何其它合适衬底。在各种实例中，衬底102包括基本(单一元件)半导体，例如结晶结构中的锗；复合半导体，例如硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟及/或锑化铟；非半导体材料，例如碱石灰玻璃、熔融硅石、熔融石英、及/或氟化钙(CaF₂)；和/或其组合。衬底102亦可包含形成于所述衬底上的各种材料层。举例来说，衬底102可包含半导体层、电介质层、导电层及/或其它材料层。在一些此等实例中，衬底102包含一或多个电介质材料，例如半导体氧化物、半导体氮化物、半导体氮氧化物及/或半导体碳化物。

部分地基于对衬底102已执行的处理步骤，衬底102可具有平坦或实质上平坦的顶表面，在所述顶表面上涂覆上底漆材料及/或成膜液体。然而，旋涂同样良好地适合于衬底102具有不规则表面的那些实例，所述不规则表面具有特征、突出部、空腔及其它有挑战性表面形状。在此等实例中，液体粘度及其它旋涂参数可经配置成用于最佳流动及填隙性质。

参看图3的框304，选择上底漆材料。所选择上底漆材料在成膜液体之前涂覆到衬底102，且可经选择以在旋涂过程期间控制成膜液体的流动。经由调查及实验已确定，上底漆材料的蒸发速率可影响用以涂覆上底漆材料的参数(例如，温度、自旋速度、自旋时间等)。对于具有较高蒸发速率的上底漆材料，旋涂可必然伴有较高转速以便覆盖衬底102，特定而言较大衬底。然而，也已确定，低于阈值的蒸发速率，具体来说，低于或等于乙酸丁酯的蒸发速率的约0.55倍的蒸发速率出乎意料地产生后续成膜层的良好流动及覆盖。包含在此范围内的溶剂的许多上底漆材料能够覆盖300nm晶圆而无通过具 有较大蒸发速率的上底漆材料产生的干燥斑点。这些出乎意料地有利的上底漆材料中的许多者也具有低于阈值的粘度，具体而言在将涂覆上底漆材料的温度下低于或等于约3cp的粘度。如下文进一步描述，这两个因素单独并组合地提供明确地优良的旋涂性能。

已另外确定，上底漆材料与成膜液体之间的分子间力可影响上底漆材料的合适性。具体来说，上底漆材料与成膜液体之间的分子粘着力可显现薄膜材料越过衬底102的流动。此情形可影响薄膜厚度以及覆盖的质量。因此，上底漆材料也可基于在上底漆材料与成膜液体之间的低分子间粘着力而选择。

基于所要蒸发速率、粘度、分子间粘着力及/或其它考量，选择上底漆材料。在一些例示性实施例中，上底漆材料包含有或无一或多种表面活性剂的单一溶剂。合适溶剂包含具有至少一官能基的烃，例如饱和、不饱和、直链、分支链或环状烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、羰基、羟基、羧基、酯、醚、酰胺、胺、亚胺、酰亚胺、硝酸盐、腈及/或硫醇官能基。合适溶剂可每分子包含六个或六个以上碳原子，所述碳原子以碳链布置或以无或有键合到碳环的碳环布置。含链溶剂可含有不间断的碳链，或在乙酸戊酯的状况下包含例如氧的其它元素的链。在此等单一溶剂实施例中，溶剂可经选择以具有低于或等于乙酸正丁酯的蒸发速率的约0.55倍的相对蒸发速率(相较于乙酸正丁酯(nBA))，且经选择以使得总体上底漆材料在25℃下具有低于或等于约3cp的粘度。在一个此类实施例中，溶剂为癸烷，且在其它此类实施例中，溶剂为乙酸戊酯、乙酸异戊酯、环己酮(CHN)、2-庚酮(又名甲基正戊基酮(MAK))或γ-丁内酯(GBL)。

在一些例示性实施例中，上底漆材料包含有或无一或多个表面活性剂的两种或两种以上溶剂。多种溶剂的使用允许不同溶剂来达成不同目标(例如，蒸发速率、粘度及/或分子间力目标以及其它材料考量)。构成溶剂中每一者的合适溶剂包含具有至少一官能基的烃，例如，饱和、不饱和、直链、分支链或环状烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、羰基、羟基、羧基、酯、醚、酰胺、胺、亚胺、酰亚胺、硝酸盐、腈及/或硫醇官能基。

在一些实施例中，上底漆材料包含第一溶剂以达成目标蒸发速率，以及第二溶剂以达成分子间力目标。溶剂中的第一溶剂具有长链烃以控制蒸发速率。举例来说，第一溶剂可包含以碳链或以有或无碳链的碳环布置的六个或六个以上碳原子。含链溶剂可含有不间断的碳链，或在乙酸戊酯的状况下包含例如氧的其它元素的链。由于分子量，第一溶剂可具有低于或等于乙酸正丁酯的蒸发速率的约0.55倍的相对蒸发速率。第一溶剂的合适溶剂包含丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、γ-丁内酯(GBL)、乳酸乙酯(EL)、环己酮(CHN)、环戊酮、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)、甲基正戊基酮(MAK)、癸烷、乙酸戊酯及/或乙酸异戊酯。

上底漆材料的第二溶剂可经选择以具有至少一氢键供体基团或氢键受体基团以与随后沉积的薄膜材料的氢亲和力(例如疏水性、亲水性等)匹配。在一些实施例中，选择第二溶剂，此是因为第二溶剂结合第一溶剂形成二聚体。第二溶剂的合适溶剂包含丙二醇甲基醚(PGME)、丙二醇乙基醚(PGEE)、PGMEA、乙酸正丁酯(nBA)、甲基异丁基甲醇(MIBC)、甲基异丁基酮(MIBK)、MAK、异丙醇、癸烷、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、CHN及/或GBL。由于溶剂中的一些适合于用作第一溶剂及/或第二溶剂(例如，PGMEA、PGME、癸烷、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、CHN及GBL)两者，因此在各种实施例中，上底漆材料排外地包含这些溶剂作为第一溶剂、排外地包含这些溶剂作为第二溶剂，或包含这些溶剂作为第一溶剂及第二溶剂两者。上底漆材料的第一溶剂、第二溶剂及任何剩余溶剂可经选择，使得总上底漆材料在25℃下具有低于或等于约3cp的粘度。在一个例示性实施例中，上底漆材料包含约60％乙酸戊酯及约40％PGMEA。在另一实施例中，上底漆材料包含60％PGMEA及40％CHN。

参考图3的框306且参看图5，所选择上底漆材料502安置于衬底102的中心部分上。在一些实施例中，喷嘴108自适合于加载衬底102的本地位置移动至直接在衬底102的中心上方的位置，且上底漆材料502经由喷嘴108施配于衬底102上。夹盘104在施配上底漆材料502之前、期间及/或之后的任何时间开始旋转衬底102。在例示性实施例中，衬底102在施配的初始部分期间保持静止，直至上底漆材料502的第一部分已经施配，且夹盘104在已施配了上底漆材料502的第一部分之后开始旋转衬底102。在实例中，喷嘴108继续施配上底漆材料502的剩余部分，同时衬底102自旋。由衬底102的旋转引起的离心趋势使得上底漆材料502自衬底102的中心汲取到周边。

施配上底漆材料502可包含涂覆热及/或气体至衬底102以控制上底漆材料502的分散及蒸发。举例来说，附接到电枢110或下降气流装置112的喷嘴108可在衬底表面上提供例如氮、氦或氩的惰性气体以帮助分布上底漆材料502。此外，在施配上底漆材料502之前、期间及/或之后的任何时间，旋涂系统100的加热器件114可将热涂覆到衬底102，以控制旋涂过程的底漆粘度、蒸发及/或其它方面。这些机构及其它结构用以在涂覆成膜液体之前在不使上底漆材料502过度干燥的情况下达成基本102的良好覆盖。在上底漆材料502可为最薄的衬底周边处，可特别关注上底漆材料502的覆盖。

参考图3的框308且参考图6，成膜液体602施配于衬底102的中心部分上。成膜液体602可由与上底漆材料502相同的喷嘴来施配，或可使用不同喷嘴108。夹盘104在施配成膜液体602之前、期间及/或之后的任何时间可旋转衬底102。在例示性实施例中，衬底102保持静止，直至成膜液体602的第一部分已被施配，且开始旋转衬底102， 同时喷嘴108继续施配成膜液体602的剩余部分。可在旋转衬底同时施配剩余部分。衬底102的旋转使得成膜液体602自衬底102的中心驱动至周边。

类似于上底漆材料502，施配成膜液体602可包含将热及/或气体涂覆到衬底102，以控制成膜液体602的分散及蒸发。举例来说，喷嘴108或下降气流装置112可供应例如氮的惰性气体以越过衬底102来分布成膜液体602。同样，在施配上底漆材料之前、期间及/或之后的任何时间，旋涂系统100的加热元件114可将热涂覆到衬底102以控制成膜液体602的蒸发。此等机构及其它机构用以特别在成膜液体602可为最薄的周边处达成衬底102的良好覆盖。

通过使用上底漆材料502，成膜液体602可越过衬底102的表面更均匀地分散。具体来说，具有最佳蒸发速率的上底漆材料502在涂覆成膜液体602期间保持于衬底102上以促进均匀分散。同样，具有到成膜液体602的低分子吸引力的上底漆材料502亦促成成膜液体602的分散。结果，成膜液体602干燥之后剩余的材料在衬底102缺少任何薄膜材料之处具有具很少干燥斑点或无干燥斑点的更一致厚度。此外，使用上底漆材料502可大大减小用以涂布衬底的成膜液体602的量。在一个例示性测试中，1立方厘米(1cm³)的如本文中所描述涂覆于上底漆材料502上方的光致抗蚀剂成膜液体602用以覆盖衬底102达所要厚度而无干燥斑点。相比而言，在无上底漆材料情况下，需要5立方厘米(5cm³)以上的同一成膜液体602以产生相同程度的覆盖。因为上底漆材料502相比而言为低廉的，所以节省成本可为实质的。当然，此等优点为仅例示性的，且无优点为任何特定实施例的特性，或为任何特定实施例所要求。

参考图3的框310且参考图7，成膜液体602通过蒸发成膜液体602内的溶剂且蒸发上底漆材料502的任何剩余部分来凝固。凝固留下成膜液体602的组分作为具有所要厚度的材料薄膜702(例如，光致抗蚀剂薄膜、抗反射涂层薄膜、硬掩模薄膜等)。蒸发及凝固可在分散及自旋过程及框308期间发生，且可在自旋后阶段期间继续。在自旋后阶段期间，热及/或气体可涂覆到衬底102以控制蒸发。举例来说，气体递送喷嘴108或下降气流装置112可提供环境空气及/或例如氮、氦或氩的惰性气体于衬底表面上。所供应气体可经加热至指定温度，所述指定温度可贯穿所述过程而发生变化。类似地，旋涂系统100的加热元件114可涂覆热至衬底102以控制衬底温度。

参考图3的框312且参考图8，边缘珠粒移除过程可对薄膜702执行。虽然薄膜702倾向于朝向衬底102的周边为更薄的同时，在极端边缘处，成膜液体602的表面张力及粘度可在衬底102的边缘处产生凸出部分或珠粒802。边缘珠粒可通过涂覆溶剂及酸至薄膜702同时自旋衬底102来移除。另外或在替代例中，感光性薄膜702可进行珠粒802 曝露于光刻能量的光学珠粒移除。因为其已曝露，所以珠粒802在显影感光性薄膜702时将被移除。

参考图3的框314，提供含有薄膜702的衬底102用于进一步制造。在光致抗蚀剂薄膜702的状况下，进一步制造可包含光刻曝露。例示性光刻图案化过程包含光致抗蚀剂薄膜702的软焙烤、掩模对准、曝露(例如，KrF、ArF、ArF浸没、EUV、EB及/或X射线曝露)、曝露后焙烤、显影薄膜702、冲洗及干燥(例如，硬焙烤)。在抗反射涂层薄膜702或硬掩模薄膜702的状况下，进一步制造可包含对薄膜702执行的任何合适蚀刻过程、沉积过程、布植过程、磊晶过程及/或任何其它制造过程。在各种实例中，薄膜702用以制造栅极堆叠、制造互连结构、通过蚀刻以曝露鳍片或通过磊晶地生长鳍片材料来形成非平坦装置，及/或其它合适应用。举例来说，为此，衬底102及薄膜702可用以制造集成电路芯片、系统单芯片(SOC)及/或其一部分，且因此后续制造过程可形成各种被动及作用中微电子装置，例如电阻器、电容器、电感器、二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、互补型金属-氧化物半导体(CMOS)晶体管、双极性接合晶体管(BJT)、侧向分散MOS(LDMOS)晶体管、高电力MOS晶体管、其它类型的晶体管及/或其它电路器件。

因此，本发明提供一种旋涂技术，及一种用于形成薄膜的上底漆材料，所述上底漆材料以减小的流体利用给予优良覆盖。在一些实施例中，所提供方法包含接收具有用于涂布的顶表面的衬底(其可为实质上平坦或不规则的)，及涂覆上底漆材料至顶表面从而至衬底，所述顶表面包含每分子具有至少六个碳原子的溶剂。所述上底漆材料的所述涂覆包含使所述衬底旋转以在所述衬底上径向分散所述上底漆材料。成膜材料在上底漆材料上涂覆到衬底，且涂覆成膜材料包含旋转衬底以将成膜材料径向分散于衬底上。所述上底漆材料及所述成膜材料经蒸发以留下所述成膜材料的呈固态形式的组分。在一些此类实施例中，上底漆材料包含至少两种溶剂，其中所述至少两种溶剂的不同溶剂经选择以达成蒸发速率目标、粘度目标或分子间力目标中的至少两个不同目标。

在另外实施例中，方法包括执行第一旋涂过程以将底漆涂覆到电路衬底的平坦或地形复杂表面。底漆包含基于以下各者中的至少一者选择的溶剂：底漆的蒸发速率、底漆的粘度，或底漆与成膜材料之间的分子间力。其后，执行第二旋涂过程以将所述成膜材料涂覆到电路衬底。在一些此类实施例中，上底漆材料具有低于或等于约乙酸丁酯的蒸发速率的约0.55倍的蒸发速率，且在一些此类实施例中，上底漆材料基于成膜材料的氢亲和力具有氢键供体基团或氢键受体基团中的一者。

在又其它实施例中，提供旋涂底漆。旋涂底漆包含每分子具有至少六个碳原子的溶 剂。在一些此类实施例中，溶剂包含以下各者中的至少一者：丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、γ-丁内酯(GBL)、乳酸乙酯(EL)、环己酮(CHN)、环戊酮、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)、甲基正戊基酮(MAK)、癸烷、乙酸戊酯及/或乙酸异戊酯。在一些此类实施例中，旋涂底漆进一步包含第二溶剂，其不同于第一溶剂且包含以下各者中的至少一者：丙二醇甲基醚(PGME)、丙二醇乙基醚(PGEE)、PGMEA、乙酸正丁酯(nBA)、甲基异丁基甲醇(MIBC)、甲基异丁基酮(MIBK)、MAK、异丙醇、癸烷、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、CHN及/或GBL。

前文概述若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应理解，其可易于使用本发明作为用于设计或修改用于实现本文中所引入的实施例的相同目的和/或获得相同优点的其它过程和结构的基础。本领域技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离本发明的精神和范围，且其可在不脱离本发明的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替代和更改。