一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料及其制备方法与流程

文档序号:15574017发布日期:2018-09-29 05:08阅读:241来源:国知局

本发明涉及荧光晶体材料领域,具体为一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料及其制备方法。



背景技术:

随着科学技术的进步,人们对荧光的研究越来越多,荧光物质的应用范围越来越广。荧光物质除用作染料外,还在有机颜料、光学增白剂、光氧化剂、涂料、化学及生化分析、太阳能捕集器、防伪标记、药物示踪及激光等领域得到了更广泛的应用。荧光材料吸收一定波长的光,立刻向外发出不同波长的光,称为荧光,当入射光消失时,荧光材料就会立刻停止发光。更确切地讲,荧光是指在外界光照下,人眼见到的一些相当亮的颜色光,如绿色、橘黄色、黄色,人们也常称它们为霓虹光。

现有的荧光晶体材料存在以下缺陷:1.成分内所含的稀土元素较少,导致荧光效果较差。2.荧光晶体的材料在生产时颗粒度不均匀,导致荧光产生的也不均匀。3.生产过程中没有对原理进行除杂处理,导致荧光晶体材料纯度低,市场竞争力小。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料及其制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料,包括以下重量组份:卤化银10-20份、金属硫化物30-45份、卟啉类化合物5-10份、活性剂1-5份、稀土元素氧化物15-20份、辅助剂8-15份。

优选的,所述金属硫化物包含硫化镁、硫化钙、硫化锶、硫化钡、硫化锌和硫化铬其中任意一种或者多种的组合。

优选的,所述卟啉类化合物为氯化血红素。

优选的,所述活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。

优选的,所述稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐和氧化铕其中任意一种或者多种的组合。

优选的,所述辅助剂为去离子水和乙醇。

一种如上所述的基于卟啉类化合物的荧光晶体材料的制备方法,包括以下步骤:

s1:研磨,将卤化银材料放入研磨设备,进行研磨碾碎处理,控制研磨机转速为700-800转/分,研磨处理10-20分钟,然后对粉末进行筛选,筛网为400目,不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选,将符合要求的卤化银颗粒留取备用;

s2:加压混合,将上一步制得的卤化银颗粒投入到高压釜中,加入硫化镁、硫化钙、卟啉类化合物、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合,然后再加入去离子水,保持高压釜密闭,进行加压加热处理,加热温度为200-450摄氏度,压强控制为6-8个大气压强,反应时间为30-50分钟,制得浆料;

s3:淋洗烘干,将上一步制得的浆料使用造粒机进行喷浆造粒,将颗粒烘干,然后使用乙醇溶液进行淋洗,然后将颗粒放置到烘干机中通风烘干;

s4:冷却,将颗粒放入到充满氮气的冷却仓中进行自然冷却,即可制得荧光晶体材料。

优选的,所述步骤s3中采用的烘干方式为微波烘干法。

优选的,所述步骤s3中采用的乙醇溶液为质量浓度为85%的乙醇水溶液。

优选的,所述步骤s4种冷却过程中保持冷却仓处于封闭状态。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:1.本发明通过加入较多组分的稀土元素,能够增加荧光的效率,降低荧光所需的能耗,符合当前社会节能环保减排的主题。

2.本方案在生产过程中进行研磨处理、筛选处理,使荧光晶体材料能够均匀的产生荧光效果,因此质量更好。

3.本方案提出的制备方法,加入了淋洗工序,能够在淋洗的过程中出去内部的杂质,有效提高荧光晶体材料的纯度,因此更具市场竞争力。

综上所述,本发明的配方合理,制备工艺简单,制备的荧光晶体材料质量更好,具有较好的市场竞争力。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一

本实施例提供一种技术方案:一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料,包括以下重量组份:卤化银10份、金属硫化物30份、卟啉类化合物5份、活性剂1份、稀土元素氧化物15份、辅助剂8份。

其中,金属硫化物包含硫化镁、硫化钙、硫化锶、硫化锌和硫化铬的组合。卟啉类化合物为氯化血红素。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐和氧化铕的组合。辅助剂为去离子水和乙醇。

一种如上所述的基于卟啉类化合物的荧光晶体材料的制备方法,包括以下步骤:

s1:研磨,将卤化银材料放入研磨设备,进行研磨碾碎处理,控制研磨机转速为700转/分,研磨处理10分钟,然后对粉末进行筛选,筛网为400目,不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选,将符合要求的卤化银颗粒留取备用;

s2:加压混合,将上一步制得的卤化银颗粒投入到高压釜中,加入硫化镁、硫化钙、卟啉类化合物、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合,然后再加入去离子水,保持高压釜密闭,进行加压加热处理,加热温度为200摄氏度,压强控制为6个大气压强,反应时间为30分钟,制得浆料;

s3:淋洗烘干,将上一步制得的浆料使用造粒机进行喷浆造粒,将颗粒烘干,然后使用乙醇溶液进行淋洗,然后将颗粒放置到烘干机中通风烘干;

s4:冷却,将颗粒放入到充满氮气的冷却仓中进行自然冷却,即可制得荧光晶体材料。

其中,步骤s3中采用的烘干方式为微波烘干法。步骤s3中采用的乙醇溶液为质量浓度为85%的乙醇水溶液。步骤s4种冷却过程中保持冷却仓处于封闭状态。

实施例二

本实施例提供一种技术方案:一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料,包括以下重量组份:卤化银16份、金属硫化物38份、卟啉类化合物6份、活性剂3份、稀土元素氧化物17份、辅助剂13份。

其中,金属硫化物包含硫化钙、硫化钡、硫化锌和硫化铬的组合。卟啉类化合物为氯化血红素。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化钐和氧化铕的组合。辅助剂为去离子水和乙醇。

一种如上所述的基于卟啉类化合物的荧光晶体材料的制备方法,包括以下步骤:

s1:研磨,将卤化银材料放入研磨设备,进行研磨碾碎处理,控制研磨机转速为760转/分,研磨处理16分钟,然后对粉末进行筛选,筛网为400目,不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选,将符合要求的卤化银颗粒留取备用;

s2:加压混合,将上一步制得的卤化银颗粒投入到高压釜中,加入硫化镁、硫化钙、卟啉类化合物、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合,然后再加入去离子水,保持高压釜密闭,进行加压加热处理,加热温度为360摄氏度,压强控制为7个大气压强,反应时间为40分钟,制得浆料;

s3:淋洗烘干,将上一步制得的浆料使用造粒机进行喷浆造粒,将颗粒烘干,然后使用乙醇溶液进行淋洗,然后将颗粒放置到烘干机中通风烘干;

s4:冷却,将颗粒放入到充满氮气的冷却仓中进行自然冷却,即可制得荧光晶体材料。

其中,步骤s3中采用的烘干方式为微波烘干法。步骤s3中采用的乙醇溶液为质量浓度为85%的乙醇水溶液。步骤s4种冷却过程中保持冷却仓处于封闭状态。

实施例三

本实施例提供一种技术方案:一种基于卟啉类化合物的荧光晶体材料,包括以下重量组份:卤化银20份、金属硫化物45份、卟啉类化合物10份、活性剂5份、稀土元素氧化物20份、辅助剂15份。

其中,金属硫化物包含硫化镁、硫化锌和硫化铬的组合。卟啉类化合物为氯化血红素。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钐和氧化铕的组合。辅助剂为去离子水和乙醇。

一种如上所述的基于卟啉类化合物的荧光晶体材料的制备方法,包括以下步骤:

s1:研磨,将卤化银材料放入研磨设备,进行研磨碾碎处理,控制研磨机转速为800转/分,研磨处理20分钟,然后对粉末进行筛选,筛网为400目,不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选,将符合要求的卤化银颗粒留取备用;

s2:加压混合,将上一步制得的卤化银颗粒投入到高压釜中,加入硫化镁、硫化钙、卟啉类化合物、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合,然后再加入去离子水,保持高压釜密闭,进行加压加热处理,加热温度为450摄氏度,压强控制为8个大气压强,反应时间为50分钟,制得浆料;

s3:淋洗烘干,将上一步制得的浆料使用造粒机进行喷浆造粒,将颗粒烘干,然后使用乙醇溶液进行淋洗,然后将颗粒放置到烘干机中通风烘干;

s4:冷却,将颗粒放入到充满氮气的冷却仓中进行自然冷却,即可制得荧光晶体材料。

其中,步骤s3中采用的烘干方式为微波烘干法。步骤s3中采用的乙醇溶液为质量浓度为85%的乙醇水溶液。步骤s4种冷却过程中保持冷却仓处于封闭状态。

综上所述,本发明的材料成分配比合理,工艺更加精简,并且能够有效提高荧光晶体材料的荧光效率和产品质量,具有较好的市场价值。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

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