芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的 制造方法。
【背景技术】
[0002] 以往，在半导体装置的制造过程中有时使用芯片接合膜（例如参照专利文献1)。 芯片接合膜在将半导体芯片固定于引线框等被粘物时使用。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1 :日本特开平05-179211号公报
【发明内容】
[0006] 发明要解决的课题
[0007] 但是，芯片接合膜中，在将带有芯片接合膜的半导体芯片在引线框等上进行芯片 接合时，具有在芯片接合膜与半导体芯片之间、芯片接合膜与被粘物之间产生气泡（空隙） 的问题。
[0008] 本发明鉴于所述问题而进行，其目的在于提供即使在芯片接合膜与半导体芯片之 间、芯片接合膜与被粘物之间产生空隙，也能够降低空隙的影响的芯片接合膜、以及带有切 割片的芯片接合膜。另外在于提供使用该芯片接合膜、或该带有切割片的芯片接合膜而制 造的半导体装置。另外在于提供使用该带有切割片的芯片接合膜的半导体装置的制造方 法。
[0009] 解决课题的方法
[0010] 本发明人为了解决所述问题，进行了深入研宄。结果发现，通过采用下述构成的芯 片接合膜，由此即使在芯片接合膜与半导体芯片之间、芯片接合膜与被粘物之间产生空隙， 也能够降低空隙的影响，并且完成了本发明。
[0011] 即，本发明所涉及的芯片接合膜，其特征在于，加热处理前在150°C下的储存弹性 模量E' 1为0.1 MPa~lOMPa，所述E' 1与在150°C下加热1小时后在150°C下的储存弹性 模量E' 2之差即E' 2-E' 1为5MPa以下。
[0012] 根据所述构成，加热处理前在150°C下的储存弹性模量E' 1为IOMPa以下，比较具 有柔软性。因此，即使在芯片接合工序中产生空隙，也可以利用密封工序（利用密封树脂密 封半导体芯片的工序）中的压力，使该空隙在不发生膨胀的情况下分散在树脂中，从而使 其在视觉上消失。结果，能够降低空隙的影响。
[0013] 另外，所述E' 1与在150°C下加热1小时后在150°C下的储存弹性模量E' 2之差 (E' 2-E' 1)为5MPa以下，具有不易因密封工序前的热历史而变硬的性质。因此，即使在经 历芯片的多段化等所致的长的热历史后，也能够通过密封工序中的压力使空隙在视觉上消 失。结果，能够降低空隙的影响。
[0014] 另外，加热处理前在150°C下的储存弹性模量E' 1为0.1 MPa以上，因此能够防止 丝焊时的芯片破裂。
[0015] 所述构成中，优选所述E' 1与所述E' 2之比（E' 1/E' 2)为0. 2~1。
[0016] 若所述比（E' 1/E' 2)为0. 2以上，则具有不易因密封工序前的热历史而变硬的性 质。因此，即使在经历芯片的多段化等所致的长的热历史后，也能够通过密封工序中的压力 使空隙在视觉上消失。结果，能够进一步降低空隙的影响。
[0017] 所述构成中，加热处理前在150°C下的损失弹性模量E"1与在150°C下加热1小时 后在150°C下的损失弹性模量E"2之差（E"2-E" 1)为IMPa以下，
[0018] 优选所述E"1与所述E"2之比（E"l/E"2)为0.2~1。
[0019] 若所述差（E"2-E"l)为IMPa以下，并且所述比（E"l/E"2)为0.2以上，则具有 不易因密封工序前的热历史而变得更硬的性质。因此，即使在经历芯片的多段化等所致的 长的热历史后，也能够利用密封工序中的压力使空隙在视觉上消失。结果，能够进一步降低 空隙的影响。
[0020] 所述构成中，加热处理前的损耗角正切tan δ 1的峰值温度与在150°c下加热1小 时后的损耗角正切tan δ 2的峰值温度之差（tan δ 2-tan δ 1)优选为KTC以内。
[0021] 若所述差（tan δ 2-tan δ 1)为l〇°C以内，则具有不易因密封工序前的热历史而引 起反应的性质。因此，即使在经历芯片的多段化等所致的长的热历史后，也能够保持具有柔 软性的状态，也能够利用密封工序中的压力使空隙在视觉上消失。结果，能够进一步降低空 隙的影响。
[0022] 所述构成中，加热处理前在25°C下的拉伸断裂伸长率Ll与在150°C下加热1小时 后在25°C下的拉伸断裂伸长率L2之比（L2/L1)优选为0. 5~1. 0。
[0023] 若所述比（L2/L1)为0. 5以上，则即使施加某种程度的热，拉伸断裂伸长率的变化 也少。因此，具有不易因密封工序前的热历史而引起反应的性质。因此，即使在经历芯片的 多段化等所致的长的热历史后，也能够保持具有柔软性的状态，也能够利用密封工序中的 压力使空隙在视觉上消失。结果，能够进一步降低空隙的影响。
[0024] 所述构成中，优选含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通过将含有丙烯酸 烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯、和1重量％~30重量％的丙烯腈的单体原料聚合而得到，并 且具有环氧基或羧基作为官能团。
[0025] 若含有具有作为官能团的环氧基、或羧基的丙烯酸系共聚物，则能够利用交联形 成工序中的加热通过所述官能团而形成交联。另外，若所述丙烯酸系共聚物为通过将含有 丙烯腈的单体原料聚合而得到的共聚物，则能够提高交联形成工序中的凝聚力。结果，能够 提尚交联形成工序后的粘接力。
[0026] 所述构成中，优选实质上不含有热交联催化剂。
[0027] 若实质上不含有热交联催化剂，则能够抑制因密封工序前的热历史而导致的交联 结构的形成。
[0028] 所述构成中，相对于全部有机树脂组合物，优选含有0~15重量％的热交联剂。
[0029] 若相对于全部有机树脂组合物，含有0~15重量％的热交联剂，则能够利用交联 形成工序中的加热与热塑性树脂所具有的官能团形成交联结构。结果，能够在交联形成工 序中以抑制反应性的方式进行固化。
[0030] 所述构成中，所述热交联剂优选为选自环氧系热交联剂、酚系热交联剂、酸酐系热 交联剂中的至少1种以上。
[0031] 若所述热交联剂为选自环氧系热交联剂、酚系热交联剂、酸酐系热交联剂中的至 少1种以上，则可得到高的凝聚力，能够在回流焊评价中得到高的耐热性。
[0032] 另外，本发明所涉及的带有切割片的芯片接合膜的特征在于，在切割片上设置有 所述芯片接合膜。
[0033] 另外，本发明所涉及的半导体装置的特征在于，使用所述的带有切割片的芯片接 合膜而制造。
[0034] 另外，本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，包括：
[0035] 准备工序，准备所述的带有切割片的芯片接合膜；
[0036] 贴合工序，将所述带有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜与半导体晶片的背面贴 合；
[0037] 切割工序，将所述半导体晶片与所述芯片接合膜一起切割，形成芯片状的半导体 芯片；
[0038] 拾取工序，将所述半导体芯片与所述芯片接合膜一起从所述带有切割片的芯片接 合膜拾取；
[0039] 芯片接合工序，通过所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半导体芯片；
[0040] 密封工序，在所述芯片接合工序之后，利用密封树脂将所述半导体芯片密封。
[0041] 根据所述构成，由于使用了所述带有切割片的芯片接合膜，因此即使在芯片接合 工序中产生空隙，也可以利用密封工序中的压力，使该空隙在不发生膨胀的情况下分散在 树脂中，从而使其在视觉上消失。结果，能够降低空隙的影响。
[0042] 另外，所述E' 1与在150°C下加热1小时后在150°C下的储存弹性模量E' 2之差 (E'2-E'l)为5MPa以下，具有不易因密封工序前的热历史而变得更硬的性质。因此即使在 经历芯片的多段化等所致的长的热历史后，也能够利用密封工序中的压力使空隙在视觉上 消失。结果，能够降低空隙的影响。
【附图说明】
[0043] 图1为示出本发明的一个实施方式所涉及的带有切割片的芯片接合膜的剖面示 意图。
[0044] 图2为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的一个制造方法的剖面示意图。
[0045] 符号说明
[0046] 10带有切割片的芯片接合膜
[0047] 11切割片
[0048] 12 基材
[0049] 14粘合剂层
[0050] 16芯片接合膜
[0051] 4半导体晶片
[0052] 5半导体芯片
[0053] 6被粘物
[0054] 7 焊线
[0055] 8密封树脂
【具体实施方式】
[0056] (带有切割片的芯片接合膜）
[0057] 以下对于本发明的一个实施方式所涉及的芯片接合膜、及带有切割片的芯片接合 膜进行说明。关于本实施方式所涉及的芯片接合膜，可举出以下说明的带有切割片的芯片 接合膜中未贴合切割片的状态的芯片接合膜。因此，以下中，对带有切割片的芯片接合膜进 行说明，在其中说明芯片接合膜。图1为示出本发明的一个实施方式所涉及的带有切割片 的芯片接合膜的剖面示意图。
[0058] 如图1所示，带有切割片的芯片接合膜10具有在切割片11上层叠有芯片接合膜 16的构成。切割片11通过在基材12上层叠粘合剂层14而构成，芯片接合膜16设置在粘 合剂层14上。
[0059] 需要说明的是，本实施方式中，对切割片11存在未被芯片接合膜16覆盖的部分 14b的情况进行说明，但本发明所涉及的带有切割片的芯片接合膜并不限定于该例，也可以 以覆盖整个切割片的方式在切割片层叠芯片接合膜。
[0060] 芯片接合膜16在加热处理前在150°C下的储存弹性模量E' 1为0.1 MPa~lOMPa， 优选为〇. 2MPa~8MPa，更优选为0. 2MPa~5MPa。
[0061] 另外，关于芯片接合膜16,所述E'l与在150°C下加热1小时后在150°C下的储存 弹性模量E' 2之差（E' 2-E' 1)为5MPa以下，优选为4MPa以下，更优选为3MPa以下。
[0062] 关于芯片接合膜16,在加热处理前在150°C下的储存弹性模量E'l为IOMPa以下， 比较具有柔软性。因此，即使在芯片接合工序中产生空隙，也可以利用密封工序（利用密封 树脂密封半导体芯片的工序）中的压力，使该空隙在不发生膨胀的情况下分散在树脂中， 从而使其在视觉上消失。结果，能够降低空隙的影响。
[0063] 另外，关于芯片接合膜16,所述差（E' 2-E' 1)为5MPa以下，具有不易因密封工序 前的热历史而变硬的性质。因此，即使在经历芯片的多段化等所致的长的热历史后，也能够 利用密封工序中的压力使空隙在视觉上消失。结果，能够降低空隙的影响。
[0064] 另外，关于芯片接合膜16,加热处理前在150°C下的储存弹性模量E' 1为0.1