带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 以往，在半导体装置的制造过程中有时使用在切割片上设置有芯片接合膜的带有 切割片的芯片接合膜（例如参照专利文献1)。
[0003] 芯片接合膜在放置于高温、高湿的环境并且在施加有载荷的状态下长期保存时， 有时发生固化。而且，由此会导致流动性的降低、对半导体晶片的保持力降低、切割后剥离 性的降低。因此，带有切割片的芯片接合膜多在-30~-10°c的冷冻、或-5~10°C的冷藏 状态下保存的同时进行运送，由此，能够实现膜特性的长期保存。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开平05-179211号公报
【发明内容】
[0007] 发明要解决的课题
[0008] 但是，在低温状态下运送时，存在芯片接合膜产生裂纹、伤痕的问题。另外，存在切 割片与芯片接合膜剥离的问题。
[0009] 本发明鉴于所述问题而进行，其目的在于提供在低温状态下运送时能够抑制产生 裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。另外，其 目的在于提供使用该带有切割片的芯片接合膜制造的半导体装置。另外，其目的在于提供 使用了该带有切割片的芯片接合膜的半导体装置的制造方法。
[0010] 解决课题的方法
[0011] 本发明人为了解决所述问题，进行了深入研宄。结果发现，通过采用下述构成的带 有切割片的芯片接合膜，由此在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕，并且能够抑制 切割片与芯片接合膜剥离，并且完成了本发明。
[0012] 即，本发明所涉及的带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合 膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在〇°c下的损失弹性模量为 20MPa以上且500MPa以下。
[0013] 根据所述构成，芯片接合膜在0°C下的损失弹性模量为500MPa以下，因此在低温 状态下具有某种程度的柔软性。因此，在低温状态下运送时，能够抑制芯片接合膜产生裂 纹、伤痕。另外，由于芯片接合膜在低温状态下具有某种程度的柔软性，因此与切割片的密 合性提高。结果，在低温运送等时，能够抑制切割片与芯片接合膜剥离。
[0014] 另外，芯片接合膜在0°C下的损失弹性模量为20MPa以上，因此能够保持作为膜的 形状。
[0015] 所述构成中，优选所述切割片在0°C下的损失弹性模量为IOMPa以上且500MPa以 下。
[0016] 所述切割片在0°C下的损失弹性模量为500MPa以下时，在低温状态下具有某种程 度的柔软性。因此，在低温状态下运送时，能够抑制切割片产生裂纹、伤痕。另外，由于切割 片在低温状态下具有某种程度的柔软性，因此与芯片接合膜的密合性提高。结果，在低温状 态下，能够进一步抑制切割片与芯片接合膜剥离。
[0017] 另外，切割片在0°C下的损失弹性模量为IOMPa以上，因此能够保持作为膜的形 状。
[0018] 所述构成中，优选在测定温度0°C、拉伸速度300mm/分钟、T型剥离试验的条件下 从所述切割片剥离所述芯片接合膜时的剥离力为〇. 01N/20mm以上且2N/20mm以下。
[0019] 在测定温度(TC、拉伸速度300mm/分钟、T型剥离试验的条件下从所述切割片剥离 所述芯片接合膜时的剥离力为〇. 01N/20mm以上时，在低温状态下运送时，能够进一步抑制 切割片与芯片接合膜剥离。另外，所述剥离力为2N/20mm以下时，在拾取时能够适合地进行 剥离。
[0020] 所述构成中，优选在测定温度〇°C、拉伸速度300mm/分钟、T型剥离试验的条 件下从所述切割片剥离所述芯片接合膜时的剥离力在〇°C下放置72小时前后的变化率 在-75%~75%的范围。
[0021] 所述变化率为-75%~75%的范围时，可以说在0°C下保存时膜特性的变化少。因 此，能够实现长期保存。
[0022] 需要说明的是，所述变化率由下述式得到。
[0023] [(放置后的剥离力）_(放置前的剥离力）V(放置前的剥离力）X 100(% )
[0024] 所述构成中，优选所述芯片接合膜在0°C下的拉伸断裂伸长率为10%以上且 500%以下。
[0025] 所述芯片接合膜在0°C下的拉伸断裂伸长率为10%以上时，在低温运送中能够进 一步不易断裂。另外，所述芯片接合膜在〇°C下的拉伸断裂伸长率为500%以下时，能够防 止芯片接合膜与切割片的剥离。
[0026] 所述构成中，优选相对于全部有机树脂成分，所述芯片接合膜含有85重量％以上 的丙烯酸系共聚物。
[0027] 相对于全部有机树脂成分，所述芯片接合膜含有85重量％以上的丙烯酸系共聚 物时，在低温状态下运送时，能够进一步抑制产生裂纹、伤痕。
[0028] 所述构成中，所述芯片接合膜优选含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通 过将含有丙烯酸丁酯及丙烯腈的单体原料聚合而得到，并且具有环氧基或羧基作为官能 团。
[0029] 若含有具有作为官能团的环氧基、或羧基的丙烯酸系共聚物，则能够利用交联形 成工序中的加热通过所述官能团而形成交联。另外，若所述丙烯酸系共聚物为通过将含有 丙烯腈的单体原料聚合而得到的共聚物，则能够提高交联形成工序中的凝聚力。结果，能够 提尚交联形成工序后的粘接力。
[0030] 所述构成中，所述芯片接合膜优选含有软化点为o°c以下的热交联剂。
[0031] 若含有软化点为0°C以下的热交联剂，则在低温状态下也能够抑制固定成分的含 量，因此在低温状态下运送时，能够得到不易因冲击等造成开裂的芯片接合膜。
[0032] 另外，本发明所涉及的半导体装置的特征在于使用所述所述的带有切割片的芯片 接合膜而制造。
[0033] 另外，本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于包括：
[0034] 准备工序，准备上述的带有切割片的芯片接合膜；
[0035] 贴合工序，将所述带有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜与半导体晶片的背面贴 合；
[0036] 切割工序，将所述半导体晶片与所述芯片接合膜一起切割，形成芯片状的半导体 芯片；
[0037] 拾取工序，将所述半导体芯片与所述芯片接合膜一起从所述带有切割片的芯片接 合膜拾取；和
[0038] 芯片接合工序，通过所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半导体芯片。
[0039] 根据所述构成，通过使用所述带有切割片的芯片接合膜，由此能够抑制芯片接合 膜、切割片产生裂纹、伤痕。另外，在低温运送等时，能够抑制切割片与芯片接合膜剥离。结 果，使用该带有切割片的芯片接合膜制造的半导体装置的成品率提高。
【附图说明】
[0040] 图1为示出本发明的一个实施方式所涉及的带有切割片的芯片接合膜的剖面示 意图。
[0041] 图2为用于说明本实施方式所涉及的半导体装置的一个制造方法的剖面示意图。
[0042] 符号说明
[0043] 10带有切割片的芯片接合膜
[0044] 11切割片
[0045] 12 基材
[0046] 14粘合剂层
[0047] 16芯片接合膜
[0048] 4半导体晶片
[0049] 5半导体芯片
[0050] 6被粘物
[0051] 7 焊线
[0052] 8密封树脂
【具体实施方式】
[0053] (带有切割片的芯片接合膜）
[0054] 以下对本发明的一个实施方式所涉及的带有切割片的芯片接合膜进行说明。图1 为示出本发明的一个实施方式所涉及的带有切割片的芯片接合膜的剖面示意图。
[0055] 如图1所示，带有切割片的芯片接合膜10具有在切割片11上层叠有芯片接合膜 16的构成。切割片11通过在基材12上层叠粘合剂层14而构成，芯片接合膜16设置在粘 合剂层14上。
[0056] 需要说明的是，本实施方式中，对切割片11存在未被芯片接合膜16覆盖的部分 14b的情况进行说明，但本发明所涉及的带有切割片的芯片接合膜并不限定于该例，也可以 以覆盖整个切割片的方式在切割片层叠芯片接合膜。
[0057] 芯片接合膜16在(TC下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下，优选18MPa 以上且400MPa以下，更优选15MPa以上且300MPa以下。芯片接合膜16在0°C下的损失弹 性模量为500MPa以下，因此在低温状态下具有某种程度的柔软性。因此，在低温状态下运 送时，能够抑制芯片接合膜16产生裂纹、伤痕。另外，芯片接合膜16在低温状态下具有某 种程度的柔软性，因此与切割片11的密合性提高。结果，在低温运送等时，能够抑制切割片 11与芯片接合膜16剥离。
[0058] 另外，芯片接合膜16在(TC下的损失弹性模量为20MPa以上，因此能够保持作为膜 的形状。
[0059] 需要说明的是，芯片接合膜在0°C下的损失弹性模量通过实施例记载的方法得到。
[0060] 所述损失弹性模量可以通过构成芯片接合膜16的材料进行控制。例如，可以通过 适当选择构成芯片接合膜16的热塑性树脂的种类、含量，填料的平均粒径、含量来进行控 制。
[0061] 芯片接合膜16在0°C下的拉伸断裂伸长率优选为10%以上且500%以下，更优选 为12%以上且400%以下，进一步优选为15%以上且300%以下。芯片接合膜16在0°C下 的拉伸断裂伸长率为10%以上时，在低温运送中能够进一步不易断裂。另外，芯片接合膜 16在0°C下的拉伸断裂伸长率为500%以下时，能够防止芯片接合膜与切割片的剥离。
[0062] 所述拉伸断裂伸长率可以通过构成芯片接合膜16的材料进行控制。例如，可以通 过适当选择构成芯片接合膜16的热塑性树脂的种类、含量，填料的平均粒径、含量来进行 控制。
[0063] 作为构成芯片接合膜16的材料，可举出热塑性树脂。
[0064] 作为所述热塑性树脂