1.一种激光接合结构，其特征在于：
通过将包含结晶性树脂和非结晶性树脂的、被合金化了的热可塑性的聚合物合金构成的树脂成型体，与由金属构成的金属体激光接合来形成，
所述非结晶性树脂的玻化转变温度比所述结晶性树脂的熔融开始温度低。
2.一种激光接合结构，其特征在于：
通过将在结晶性树脂包含其它树脂的、被合金化了的热可塑性的聚合物合金构成的树脂成型体，与由金属构成的金属体激光接合来形成，
所述聚合物合金的结晶化速度比所述结晶性树脂的结晶化速度低，或者，所述聚合物合金的再结晶化温度比所述结晶性树脂的再结晶化温度低。
3.如权利要求1所述的激光接合结构，其特征在于：
所述聚合物合金的结晶化速度比所述结晶性树脂的结晶化速度低，或者，所述聚合物合金的再结晶化温度比所述结晶性树脂的再结晶化温度低。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，其特征在于：
至少在所述树脂成型体的与所述金属体的接合面实施了使含氧官能团增大的处理。
5.如权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，其特征在于：
在所述聚合物合金中包含所述结晶性树脂的共聚物。
6.如权利要求1所述的激光接合结构，其特征在于：
所述聚合物合金中含有的所述非结晶性树脂的含有率为5～40％。
7.如权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，其特征在于：
在所述聚合物合金中添加有无机填料。
8.如权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，其特征在于：
所述金属体的与所述树脂成型体的接合面的表面粗糙度为Ra0.1％～5.0％μm。
9.如权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，其特征在于：
至少所述金属体的一部分被埋入所述树脂成型体。
10.一种电子控制装置，其具有权利要求1～3中的任一项所述的激光接合结构，该电子控制装置的特征在于：
所述电子控制装置包括收纳在由所述金属体和所述树脂成型体划分成的收纳空间中的电子电路部，
通过将所述树脂成型体与所述金属体激光接合来密封所述收纳空间。
11.如权利要求10所述的电子控制装置，其特征在于：
所述树脂成型体是一体地形成覆盖所述电子电路部的覆盖部和保持与所述电子电路部电连接的端子的连接器而成的一体成型体。
12.如权利要求10所述的电子控制装置，其特征在于：
包括：覆盖所述电子电路部的覆盖部；和与所述覆盖部分体地形成的、保持与所述电子电路部电连接的端子的连接器，
所述覆盖部和所述连接器分别为所述树脂成型体并且彼此结合。
13.一种激光接合结构的制造方法，其特征在于：
准备包含结晶性树脂和非结晶性树脂的、被合金化了的热可塑性的聚合物合金构成的树脂成型体，和由金属构成的金属体，
所述非结晶性树脂的玻化转变温度比所述结晶性树脂的熔融开始温度低，
至少在所述树脂成型体的与所述金属体激光接合的部分实施使含氧官能团增大的处理，
将所述树脂成型体加热至所述非结晶性树脂的玻化转变温度以上的温度，
在使所述树脂成型体和所述金属体彼此按压接触的状态下，将所述树脂成型体与所述金属体激光接合。
14.如权利要求13所述的激光接合结构的制造方法，其特征在于：
所述树脂成型体与所述金属体，在将所述树脂成型体加热至所述聚合物合金的再结晶化温度以上且所述聚合物合金的熔融开始温度以下的温度的状态下被激光接合。