多级异型缓流装置的制作方法

本实用新型涉及氧化硼合成技术领域，更具体地说，是涉及一种多级异型缓流装置。

背景技术：

近年来，砷化镓半导体在发光器件和高频器件需求旺盛，业内公司除积极扩产外，晶体良品率的提升也将极大推动产能扩大满足市场需求。目前，国内生产砷化镓的晶体生长良品率一般在70％以下，与国外相关技术的晶体生长良品率达80％以上存在明显差距；因此，开发新技术以提高砷化镓的晶体生长良品率，进而提高半导体晶体电性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

作为砷化镓单晶生长的重要原料，高纯氧化硼对提高砷化镓的晶体生长良品率具有重要作用。但是，现有技术中高纯氧化硼的制备方法中原料硼酸的脱水工艺非常简陋，具体为：将水解高纯硼酸混合液依次经过滤、100℃蒸发干燥，得到初级脱水高纯硼酸，再用40cm×30cm的平底不锈钢托盘装盘，依次经110℃～160℃烘烤箱烘烤8h～14h、静置冷却至常温，得到干燥的高纯硼酸包装捆扎；该工艺虽然设备成本低(仅用烘烤箱)、操作简单，但是存在脱水不均匀、不充分且效率低的缺点，这是由于平底不锈钢托盘放置的初级脱水高纯硼酸不便翻动，仅靠长时间烘烤脱水，脱水效率低，且结块部分或料块内部脱水不充分，而料块外部或疏松部位的原料则已比较干燥。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种多级异型缓流装置，能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：

炉体；

自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；

所述储料盘包括：

盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；

通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；

设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。

优选的，所述储料盘连接炉体内壁的一侧设有连接孔，用于将所述储料盘固定在炉体上。

优选的，所述边框为圆弧型，圆弧面向所述盘体外侧凸出。

优选的，所述出料口为开口缩窄的出料口。

优选的，所述楔形溢流口沿所述开口缩窄的出料口开口渐宽。

优选的，所述储料盘的个数为3个～6个。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：炉体；自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；所述储料盘包括：盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。与现有技术相比，本实用新型提供的多级异型缓流装置采用特定结构，能够延长溶解的物料在炉体中的滞留时间，有效扩大物料与热气流的接触面积，从而能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的俯视图；

图3为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的侧视图；

图4为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的俯视图；

图6为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的剖面图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例，对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：

炉体；

自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；

所述储料盘包括：

盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；

通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；

设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。

请参阅图1～3，图1为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的俯视图；图3为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的侧视图；其中，1为炉体，2为储料盘。

在本实用新型中，所述炉体(1)为锥柱形空腔结构，外部为保温层，能够避免热量散失。

在本实用新型中，所述若干个储料盘(2)自上而下沿炉体(1)内壁两侧交替设置；所述储料盘(2)连接炉体(1)内壁的一侧设有连接孔，用于将所述储料盘(2)固定在炉体(1)上。

请参阅图4～6，图4为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的结构示意图；图5为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的俯视图；图6为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置中储料盘的剖面图；其中，3为盘体，4为边框，5为出料口，6为楔形溢流口。

在本实用新型中，所述储料盘(2)包括：

盘体(3)，用于承接溶解的物料；所述盘体(3)边缘设有边框(4)，连接炉体(1)内壁的另一侧设有出料口(5)，从而使所述盘体(3)中承接的溶解的物料只能从出料口(5)流出盘体(3)。本实用新型对所述溶解的物料没有特殊限制，优选为溶解的四硼酸(h2b4o7)。

在本实用新型中，所述边框(4)优选为圆弧型，所述圆弧型的边框(4)的圆弧面向所述盘体(1)外侧凸出，从而可以在一定程度上增加储料盘的盘体(1)的储料面积。

在本实用新型中，所述楔形溢流口(6)通过所述出料口(5)与所述盘体(1)相连。在本实用新型中，所述出料口(5)优选为开口缩窄的出料口，从而能够控制溶解物料以较少的出料溢流。在本实用新型中，所述楔形溢流口(6)优选沿所述开口缩窄的出料口开口渐宽，能够扩大物料与热气流的接触面积并延长其在溢流口的滞留时间，有利于充分脱水。

在本实用新型中，所述储料盘(1)的个数优选为3个～6个，更优选为4个；多层结构有利于增加溶解的物料与高温的储料盘(1)的接触面积，更有利于蒸发水蒸汽。

在本实用新型中，设置在上方的储料盘(1)的楔形溢流口(6)与设置在下方的储料盘(1)的盘体(3)垂直相对；溶解的物料首先承接到炉体(1)中最上层的储料盘(2)，通过开口缩窄的出料口(5)控制溶解物料以较少的出料溢流，并通过楔形溢流口(6)流下至下一层储料盘(1)，以此类推，实现逐层承接；从而能够延长溶解的物料在炉体中的滞留时间，有效扩大物料与热气流的接触面积，最终实现对硼酸充分、均匀脱水，提高脱水效率。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：炉体；自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；所述储料盘包括：盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。与现有技术相比，本实用新型提供的多级异型缓流装置采用特定结构，能够延长溶解的物料在炉体中的滞留时间，有效扩大物料与热气流的接触面积，从而能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

为了进一步说明本实用新型，下面通过以下实施例进行详细说明。

实施例1

参见图1～6，其中，1为炉体，2为储料盘，3为盘体，4为边框，5为出料口，6为楔形溢流口。

炉体(1)为锥柱形空腔结构，外部为保温层；4个储料盘(2)自上而下沿炉体(1)内壁两侧交替设置；储料盘(2)连接炉体(1)内壁的一侧设有连接孔，通过连接孔将储料盘(2)固定在炉体(1)上。

储料盘(2)包括盘体(3)，盘体(3)边缘设有边框(4)，连接炉体(1)内壁的另一侧设有开口缩窄的出料口(5)；边框(4)为圆弧型，圆弧面向盘体(1)外侧凸出；楔形溢流口(6)通过开口缩窄的出料口(5)与盘体(1)相连，并沿所述开口缩窄的出料口(5)开口渐宽。

在实际应用中，加热溶解的四硼酸由炉体(1)顶部投料，首先承接到炉体(1)中最上层的储料盘(2)，通过开口缩窄的出料口(5)控制溶解的四硼酸以较少的出料溢流，并通过楔形溢流口(6)流下至下一层储料盘(1)，以此类推，实现逐层承接；从而能够延长四硼酸在炉体中的滞留时间，有效扩大其与热气流的接触面积，最终实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。