技术总结
本发明公开了一种单晶硅片的清洗烘干装置，包括顶部、红外感应装置、化学清洗池、物理清洁池和烘干室，顶部的下方从左至右依次是取片室、化学清洗池、物理清洁池、烘干室和封装室，顶部包括顶板、传送装置和伸缩装置，通过伸缩装置和红外感应装置，完成硅片在清洗烘干过程。本发明的单晶硅片的清洗烘干装置，装置简单，操作安全稳定，一次性完成单晶硅片的清洗烘干过程，提高了清洗和烘干效率，并且单晶硅片经过两种清洗方式后，达到了更好的清洗效果。
技术研发人员：朱汪龙;朱玲
受保护的技术使用者：无锡乐东微电子有限公司
技术研发日：2019.10.31
技术公布日：2020.02.28