一种单晶硅片的清洗烘干装置的制作方法

文档序号:20034939发布日期:2020-02-28 10:59阅读:154来源:国知局
一种单晶硅片的清洗烘干装置的制作方法

本发明涉及一种单晶硅片领域,具体是一种单晶硅片的清洗烘干装置。



背景技术:

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,单晶硅片在加工过程中需要经常进行清洗。

现有的清洗设备有为独立的个体,需要在多个设备上进行不同方式的清洗,清洗效率低下,导致生产成本较高;传送设备用气缸的,在传送的过程中,稳定性和安全性都不够。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种单晶硅片的清洗烘干装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种单晶硅片的清洗烘干装置包括顶部、红外感应装置、化学清洗池、物理清洁池和烘干室,顶部的下方从左至右依次是取片室、化学清洗池、物理清洁池、烘干室和封装室,取片室、化学清洗池、物理清洁池、烘干室和封装室位于同一水平线上;顶部包括顶板、传送装置、和伸缩装置,在顶板的下方设有传送装置,传送装置包括两个电机、两个卷轮、传送带,电机分别固定在顶板的两头,每个电机下方连接有卷轮,传送带套链在两个卷轮上;伸缩装置安装在传送带上,伸缩装置包括一根固定轴、两个滑轮、电机、卷绳和夹子,两个滑轮分别套装在固定轴的两侧,固定轴的中心安装有电机,两个滑轮与电机连通,固定轴嵌装在传送带上,卷绳顺时针缠绕在滑轮上,卷绳上端固定滑轮上,卷神下端设有夹子;红外感应装置包括信号发射器和信号接收器,信号发射器的两端水平安装在夹子的上方卷绳上,信号接收器安装在取片室、化学清洗池、物理清洁池、烘干室和封装室的内侧底部;化学清洗池内侧有超声波发生器,化学清洗池的外侧设有进液阀和排液阀;物理清洁池的外侧设有进水阀和排水阀;烘干室的内侧右边设有热风机,热风机的出风口贯穿烘干室的内部。

进一步的,所述伸缩装置的固定夹上设有振动器。

进一步的,所述化学清洗池的超声波发生器内设有多个超声波振子。

进一步的,所述烘干室的热风机的左侧设有导风板,导风板上均匀设有透气孔。

一种单晶硅片的清洗烘干装置,工作步骤如下:

本发明具有如下有益效果:

本发明的一种单晶硅片的清洗烘干装置,装置简单,操作安全稳定,一次性完成单晶硅片的清洗烘干过程,提高了清洗和烘干效率,并且单晶硅片经过两种清洗方式后,达到了更好的清洗效果。

附图说明

图1是本发明一种单晶硅片的清洗烘干装置的结构示意图。

其中有:1.顶板;21.电机;22.卷轮;23.传送带;31.固定轴;32.滑轮;33.电机;34.卷绳;35.夹子;41.信号发射器;42.信号接收器;5.取片室;6.化学清洗池;61.超声波发生器;62.进液阀;63.排液阀;7.物理清洁池;71.进水阀;72.排水阀;8.烘干室;81.热风机;82.导风板;9.封装室;10.单晶硅片。

具体实施方式

下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明的描述中,需要理解的是,术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度,因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案,并不限制本发明的保护范围。

如图1所示,一种单晶硅片的清洗烘干装置包括顶部、红外感应装置、化学清洗池、物理清洁池和烘干室,顶部的下方从左至右依次是取片室5、化学清洗池6、物理清洁池7、烘干室8和封装室9,取片室5、化学清洗池6、物理清洁池7、烘干室8和封装室9位于同一水平线上。

顶部包括顶板1、传送装置和伸缩装置,在顶板的下方设有传送装置,传送装置包括两个电机21、两个卷轮22、传送带23,电机21分别固定在顶板1的两头,每个21下方连接有卷轮22,传送带23套链在两个卷轮22上;伸缩装置安装在传送带23上,伸缩装置包括一根固定轴31、两个滑轮32、电机33、卷绳34和夹子35,两个滑轮32分别套装在固定轴31的两侧,固定轴31的中心安装有电机33,两个滑轮32与电机33连通,固定轴31嵌装在传送带上,卷绳34顺时针缠绕在滑轮32上,卷绳34上端固定滑轮32上,卷神34下端设有夹子35,夹子35上设置振动器,振动器接通固定轴31上的电机33;红外感应装置包括信号发射器41和信号接收器42,信号发射器41的两端水平安装在夹子35的上方卷绳34上,信号接收器42安装在取片室5、化学清洗池6、物理清洁池7、烘干室8和封装室9的内侧底部中央;化学清洗池6内侧有超声波发生器61,超声波发生器61中有多个超声波振子,化学清洗池的外侧设有进液阀62和排液阀63,用于清换药水;物理清洁池7的外侧设有进水阀71和排水阀72,用于换水;烘干室8的内侧右边设有热风机81,热风机82的出风口贯穿烘干室8的内部,热风机81的左侧有导风板82,导风板82上设有均匀分布的透气孔,其中:

化学清洗池6和物理清洁池7中的液体高度,均大于单晶硅片10的高度;

信号发射器41垂直下次发射信号,信号接收器42垂直向上接收信号;

切断电源时,所有设备停止工作,传送装置位于原始不运动状态,红外感应装置关闭,伸缩装置全部在传送带23的最左端,传送带23左端的卷轮22与固定轴31接触,卷绳35全部顺时针缠绕在滑轮32上,

接通电源时,传送装置、伸缩装置、红外感应器和超声波发生器全部开始工作,卷轮22与固定轴31接触时,卷轮22转动带动传送带23运动,将伸缩装置向另一个卷轮22方向传送,直至固定轴31的另一端与另一个卷轮22接触,其中,当伸缩装置上的滑轮32转动时,卷轮22停止转动,传送带23不运动。

利用上述的单晶硅片的清洗烘干装置,工作步骤如下:

步骤一:开启传送装置、伸缩装置、红外感应器、超声波发生器的电源;

步骤二:当伸缩装置移动至取料室的的上方时,取料室中的信号接收器接收到正上方的信号发射器发射的信号,滑轮开始逆时针转动,卷轮停止转动,此时卷绳向下延伸,直至夹子完全进入取料室中,夹子从取料室夹紧硅片上方的两端后,滑轮开始顺时针转动,此时卷绳向上收缩至原始状态,滑轮停止转动,卷轮继续转动,伸缩装置继续向右运动;

步骤三:当伸缩装置移动至化学清洗池的上方时,化学清洗池中的信号接收器接收到正上方的信号发射器发射的信号,滑轮开始逆时针转动,卷轮停止转动,此时卷绳向下延伸,直至单晶硅片完全浸没在化学清洗池中的药水中,滑轮停止转动,此时夹子上的振动器带动单晶硅片在化学清洗池中振动10s,超声波振子发出的超声波通过高频振动化学清洗池中的药水,使单晶硅片表面的污物颗粒被打散溶于药水中,滑轮停止转动10s后,滑轮开始顺时针转动,卷绳向上收缩至原始状态,滑轮停止转动,卷轮继续转动,伸缩装置继续向右运动;

步骤四:当伸缩装置移动至物理清洁池的上方时,物理清洁池中的信号接收器接收到正上方的信号发射器发射的信号,滑轮开始逆时针转动,卷轮停止转动,此时卷绳向下延伸,直至单晶硅片完全浸没在化学清洗池中的药水中,滑轮停止转动,此时夹子上的振动器带动单晶硅片在物理清洁池中振动10s,清洗单晶硅片表面附着的药水,滑轮停止转动10s后,滑轮开始逆时针转动,卷绳向上收缩至原始状态,滑轮停止转动,卷轮继续转动,伸缩装置继续向右运动;

步骤五:当伸缩装置移动至烘干室的上方时,烘干室中的信号接收器接收到正上方的信号发射器发射信号,滑轮开始逆时针转动,卷轮停止转动,此时卷绳向下延伸,直至单晶硅片完全进入烘干室中,此时夹子上的振动器带动单晶硅片在烘干室中振动10s,此时通过烘干室中的热风机烘干单晶硅片,滑轮停止转动10s后,滑轮开始逆时针转动,卷绳向上收缩至原始状态,滑轮停止转动,卷轮继续转动,伸缩装置继续向右运动;

步骤六;当伸缩装置移动至封装室的的上方时,封装室中的信号接收器接收到正上方的信号发射器发射信号,滑轮开始逆时针转动,卷轮停止转动,此时卷绳向下延伸,直至夹子完全进入封装室中,夹子松开硅片后,滑轮开始顺时针转动,此时卷绳向上收缩至原始状态,滑轮停止转动,卷轮继续转动,伸缩装置继续向右运动,硅片在封装室中完成封装;

步骤七:当固定轴的右端与右端的卷轮接触时,卷轮开始向相反方向转动,传送带开始反向运动,传送带将伸缩装置传送至固定轴的左端与左端的卷轮接触,重复开始步骤二。

以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换,这些等同变换均属于本发明的保护范围。

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