专利名称：处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法
技术领域：
本发明涉及一种处理含氟废气的方法，特别是涉及一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法。
背景技术：
自1992年联合国通过「气候变化纲要公约」之后，降低温室效应气体的排放量已经在国际间形成共识。依据京都会议通过的议定书，各国依工业化程度的不同，应于2008年至2012年期间将CO2、CH4、N2O、含氢氟烃(HFC)、全氟化合物(PFC)及SF6六种温室气体的总排放量平均值降低至各国承诺的百分率。因此，目前所有使用全氟化合物及含氢氟烃的产业都需要针对全氟化合物及含氢氟烃气体进行减量，以符合国际公约，避免遭到经济制裁。
全氟化合物现有的减量技术大约有三种制程改善，例如提升制程中全氟化合物利用率和采用替代化学品；回收再利用；和管末处理。虽然管末处理并不是最佳的选择，但目前却是处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气排放最成熟且最经济有效的方法。管末处理中，燃烧破坏法为目前发展最完整的处理全氟化合物技术，其破坏的温度约需在1200℃以上。触媒燃烧破坏是以较低的温度(500℃～750℃)及触媒处理全氟化合物。电浆法是利用高压电浆局部高温(中心温度可达3000℃以上)处理全氟化合物。这些处理方法都是能源消耗大及着火危险性高。
美国专利申请案第20020150527号及WO第01/21304 A1号揭示一种以触媒组合物破坏含全氟化合物及/或含氢氟烃的处理方法，该触媒组合物包括氧化铝及较佳经添加例如钛、锆、钴、或其混合物等安定剂而安定化。但是，其操作温度约为500℃至800℃左右。
由此可见，上述现有的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但是长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般的处理方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，能够改进一般现有的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法存在的缺陷，而提供一种新的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，所要解决的技术问题是使其可解决上述习知技术关于全氟化合物处理方法能源消耗大及着火危险性高的问题，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，所要解决的技术问题是使其可以有效分解全氟化合物及/或含氢氟烃，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种处理含全氟化合物扩及/或含氢氟烃废气的方法，其包括以下步骤以一电浆处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气；以及以一触媒处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的触媒是选自铁氧化物、铜锌触媒及活性铝吸收剂所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的触媒是选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的触媒处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气的步骤是在该以电浆处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气的步骤之后进行。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在以电浆处理之后，在以触媒处理之前，更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与一助氧化物质混合的步骤。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的助氧化物质是选自氢、氧以及水所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的进流的助氧化物质浓度为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在进行该电浆处理步骤之前，更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气加热至室温或室温以上。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在进行该触媒处理步骤之后，更包括以一洗涤液饱和该触媒处理后所形成的气体中的无机酸类。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6或其组合，该含氢氟烃为CHF3。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其包括以下步骤进行一第一触媒处理步骤；进行一电浆处理步骤；以及进行一第二触媒处理步骤。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的第一、该第二触媒是选自铁氧化物、铜锌触媒及活性铝吸收剂所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的第一、该第二触媒处理步骤所使用的触媒是选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的电浆处理步骤是在该第一与该第二触媒处理步骤之间进行，且该第一触媒处理步骤是在该电浆处理步骤之前进行。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在以该电浆处理之后，在进行该第二触媒处理步骤之前，更包括将电浆处理之后的该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与助氧化物质混合。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的助氧化物质是选自氢、氧以及水所组成的族群。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的进流的助氧化物质浓度为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在进行该第一触媒处理步骤之前，更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气加热至室温或室温以上。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中在进行该第二触媒处理步骤之后，更包括以一洗涤液饱和该第二触媒处理后所形成的气体中的无机酸类。
前述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其中所述的全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6或其组合，该含氢氟烃为CHF3。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下本发明提供一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，是先以触媒处理含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气，以去除酸气或杂质。然后，再以电浆处理，之后再以触媒进行气固接触及氧化反应，以降低废气中全氟化合物及/或含氢氟烃的含量。
依照本发明实施例所述，上述处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法中，在以触媒处理含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气之前，可先将废气与助氧化物质混合，以提升其处理效率。
另外，依照本发明实施例所述，若是含全氟化合物及/或含氢氟烃废气在前触媒处理前的温度过低，例如是由钢瓶取出而温度仅有摄氏-10度甚至-20度时，可先将其加热。
依照本发明实施例所述，上述方法中所使用的触媒包括铁氧化物，且该铁氧化物是选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成的族群。
依照本发明实施例所述，上述废气在进行触媒反应处理之后，更包括以一洗涤液饱和触媒反应处理后所形成的气体中的无机酸类。
依照本发明实施例所述，本发明的方法可以处理的全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6、或其组合；而该含氢氟烃为CHF3。
经由上述可知，本发明一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，此方法是将含全氟化合物及/或含氢氟烃废气与铁氧化物触媒进行气固接触，并进行电浆氧化反应，之后再以触媒进行气固接触及氧化反应，以达到分解全氟化合物及/或含氢氟烃的目的。由于本发明可在较先前技术低许多的温度下操作，其能源消耗小且不具着火危险性，因此，非常适合用来去除半导体及光电制造工厂所产生的含全氟化合物的废气。
借由上述技术方案，本发明处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法至少具有下列优点1、由于本发明可在较先前技术低许多的温度下操作，其能源消耗小而且不具着火危险性，因此，非常适合用来去除半导体及光电制造工厂所产生的含全氟化合物的废气。
2、本发明处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，能有效处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气，尤其全氟化合物为半导体与光电产业的制程原料。
3、另外，本发明使全氟化合物及/或含氢氟烃与电浆及触媒反应，使其在反应的过程中被分解，因此无排放废气含其他污染物的二次公害、能源消耗大和着火危险性高等问题。
综上所述，本发明特殊的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，可以解决上述习知技术关于全氟化合物处理方法能源消耗大及着火危险性高的问题。同时本发明还可以有效分解全氟化合物及/或含氢氟烃。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是依照本发明实施方式所绘示的废气处理设备的示意图。
图2是依照本发明实方式所绘示的废气处理方法的流程图。
图3是本发明助氧化剂分别为H2和O2，在不同输入功率时，其H2/SF6及O2/SF6进流比由0增加至5的SF6的分解率。
100废气处理设备 102加热装置110前触媒处理装置 112混合装置120电浆处理装置 130触媒处理装置140洗涤塔 150侦测及自动控制装置具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法其具体实施方式
、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
本发明是以铁氧化物做为触媒，并配合电浆的使用，以有效率地处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气。
过渡金属氧化物触媒可应用在氧化反应与氢化、脱氢反应等用途。在过渡金属氧化物中，铁的氧化物具有H2、CO、CH4、及石蜡氧化反应中间程度的活性，其可做为高温变化反应、苯乙烯单基聚合物合成反应、氨合成反应及硫化氢去除反应的化学触媒。本发明则是利用铁的氧化物并配合电浆来处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气。
电浆的氧化力极强，广泛应用于半导体及光电制程中。但是，在处理污染物质时，若是仅以电浆来处理，虽然特定的污染物质会被分解，但是也有部分的污染物质无法分解或产生残渣，而造成二次污染。因此，通常单以电浆处理全氟化合物及/或含氢氟烃废气时需要高能量、长时间的反应，或必须装设后续处理设备，如洗涤塔，方可将全氟化合物及/或含氢氟烃废气完全破坏。本发明以铁氧化物做为触媒，并配合电浆的使用，是一种可以有效率处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法。
请参阅图1所示，是依照本发明实施方式所绘示的废气处理设备的示意图。本发明是将含有全氟化合物及/或含氢氟烃的废气经由具有电浆处理装置以及触媒反应器的设备100来处理的。在本发明的废气处理设备100中，各装置单元及管线较佳为耐腐蚀及耐高温，但因本发明的操作温度在300℃以下，所以对耐温的要求不像先前技术一般严苛。本发明的废气处理设备中，与含全氟化合物及/或含氢氟烃废气或电浆等气体接触的材质可选用例如SS316不锈钢、陶瓷、石英、或铁氟隆等。
本发明的废气设备100至少包括一电浆处理装置120与一触媒反应器130。电浆处理装置120是用以提供电浆，使进流的含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气激发氧化。触媒反应器130是用以使电浆处理处理后的该含全氟化合物及/或含氢氟烃废气再与触媒进行气固接触及氧化反应。
本发明可以处理的废气包括全氟化合物及/或含氢氟烃，其中全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6、或其组合；而含氢氟烃为CHF3。可处理的废气负载量可为100～50000ppm，较佳1000～10000ppm。通常，所处理的废气除了全氟化合物及/或含氢氟烃之外，还会包含了许多制程中所产生的物质，例如是氯气、氢氟酸或是其他的酸气或杂质。为了增加处理的效能，本发明的废气处理装置100可更包括一前触媒处理装置110，以在废气进入电浆处理装置120之前先去除废气中的酸气。
此外，在以电浆处理含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气之前，先将废气与助氧化物质混合，将有助于电浆处理废气的效能。因此，本发明的废气处理装置100可更包括一混合装置112，用以将含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与助氧化物质混合均匀，再以电浆处理。其中，助氧化物质例如是氢、氧、水等。进流的氢气、氧气或水浓度可为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍，较佳1～3倍。由于所处理的废气可能含有腐蚀性物质，因此，混合装置的材质以耐腐蚀、耐温者较佳。
电浆处理装置120的电浆产生器，可以是一般以电能即能产生电浆。电浆处理装置120中，进流的电浆浓度可为0～50000MHz，较佳1～100MHZ。
前触媒处理装置110及电浆触媒反应装置130可使用立式或卧式的触媒床，且其反应器内包含铁氧化物(iron oxides)或铜锌触媒，或其他活性铝吸收剂，其中铁氧化物例如是三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁(Fe2OOH)、或其混合物，较佳为水合三氧化二铁，特别是针状形的水合三氧化二铁(又称针铁矿(goethite)，FeOOH)。
以经济考量，废气气体在触媒床的停留时间可为0.1～10秒，超过10秒也可以，但较不符效益。
上述欲处理的含全氟化合物及/或含氢氟烃废气，在经过触媒反应器中与触媒接触进行氧化后，全氟化合物及/或含氢氟烃可被分解为CO2、H2O、及无机酸类。较佳的是在排放CO2、H2O、及无机酸类前加装一洗涤塔140，以洗涤液去除废气处理后所产生的无机酸类。洗涤液可为含有液碱的液体。藉由液体流量控制器控制流量，使用饱和后排放至废水处理厂。此外，在废气处理前的入口前端或废气处理后的出口后端，可视情况安装收集废气用的风车。
本发明是在常温之下进行含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的处理，而不是一般全氟化合物处理技术使用温度500℃以上，因此，可减少大量能源消耗。值得注意的是，若是废气是储存在气体钢瓶之中，废气在进行处理前，自钢瓶排出时的温度约为-10℃，甚至达-20℃，本发明的废气处理设备100可更包括一加热装置102，以在废气进行处理前进行加热，避免废气在进行处理时沉降。
另一方面，本发明可视情况在废气与助氧化物质如氧气、氢气或水等加热之前或进行气固接触之前、后经由温、湿度及电浆频率侦测及控制装置150侦测气体物流的氧气、氢气或水浓度、温度及电浆频率，比较其变化，做为温度、湿度、电浆进流浓度、及洗涤液体流量的控制，俾能调整控制因子以维持整合设备稳定的高处理效率；特别是能应用于高浓度及负荷异动激烈的全氟化合物及/或含氢氟烃气体处理。
请参阅图2所示，是依照本发明实方式所绘示的废气处理方法的流程图。本发明处理含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气的方法，是先进行电浆处理步骤206，使含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气激发氧化。然后，再进行触媒处理步骤208，以使含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与触媒进行气固接触及氧化反应，以使其分解为CO2、H2O及无机酸等。
若是废气中还包含了许多制程中所产生的物质，例如是氯气、氢氟酸或是其他的酸气或杂质，则在进行电浆处理步骤206之前可先经由一前触媒处理步骤202，以在废气进行电浆处理之前先去除废气中的酸气。
上述前触媒处理步骤202以及触媒处理步骤206可使用立式或卧式的触媒床，且其反应器内包含铁氧化物(iron oxides)或铜锌触媒，或其他活性铝吸收剂，其中铁氧化物例如是三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁(Fe2OOH)、或其混合物，较佳为水合三氧化二铁，特别是针状形的水合三氧化二铁(又称针铁矿(goethite)，FeOOH)。
以经济考量，废气气体在触媒床的停留时间可为0.1～10秒，超过10秒也可以，但较不符效益。
此外，在进行前触媒处理步骤202之后，进行电浆处理步骤206之前，可先进行废气与助氧化物质混合的步骤204，以提升电浆处理废气的效能。助氧化物质例如是氢、氧、水等。进流的氢气、氧气或水浓度可为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍，较佳1～3倍。
另外，若是废气是储存在气体钢瓶之中，废气在进行处理前，自钢瓶排出时的温度约为-10℃，甚至达-20℃，可以在废气进行处理前进行加热201，例如是加热至室温或室温以上，以避免废气在进行处理时沉降。
当废气进行触媒处理步骤208而分解为二氧化碳、水与无机酸之后，可以在排放前，先进行洗涤步骤210，以去除所形成的无机酸。去除无机酸的方法可以利用一洗涤液，例如是一含有液碱的液体，以中和之，待其饱和之后再排放至废水处理厂。
请参阅图3所示，其绘示的是助氧化剂分别为H2和O2，输入功率分别为5、20及40W时，其H2/SF6以及O2/SF6进流比由0增加至5的SF6的分解率。由图3的结果显示助氧化剂不论是H2或O2，SF6所分解的F-皆随着功率提高而增加。特别值得一提的是，助氧化剂为H2时，氟自由基容易与氢形成热力学稳定的HF产物。此外，高功率(40W)下，由于形成较多具蚀刻能力的氟自由基，因此，即使SF6在未加入氢(R＝0)或是低加氢比情况下，皆因形成SiF4及氟硫氧化物等产物，而能达到99％以上的分解率。
综合以上所述，本发明可以直接应用在全氟化合物废气的焚化技术以及可处理的全氟化合物气体、及浓度范围。此外，本发明的操作温度低于300℃，可避免先前技术的焚化技术大量能源消耗及可能着火的危险性。再者，本发明亦可稳定处理有高浓度及负荷异动激烈的全氟化合物气体的情形，适用的全氟化合物气体浓度及种类范围较广。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其包括以下步骤以一电浆处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气；以及以一触媒处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气。
2.根据权利要求1所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的触媒是选自铁氧化物、铜锌触媒及活性铝吸收剂所组成的族群。
3.根据权利要求2所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的触媒是选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成的族群。
4.根据权利要求1所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的触媒处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气的步骤是在该以电浆处理该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气的步骤之后进行。
5.根据权利要求4所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于在以电浆处理之后，在以触媒处理之前，更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与一助氧化物质混合的步骤。
6.根据权利要求5所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的助氧化物质是选自氢、氧以及水所组成的族群。
7.根据权利要求6所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的进流的助氧化物质的浓度为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍。
8.根据权利要求4所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于，在进行该电浆处理步骤之前，其更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气加热至室温或室温以上。
9.根据权利要求4所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于在进行该触媒处理步骤之后，更包括以一洗涤液饱和该触媒处理后所形成的气体中的无机酸类。
10.根据权利要求1所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6或其组合，该含氢氟烃为CHF3。
11.一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其包括以下步骤进行一第一触媒处理步骤；进行一电浆处理步骤；以及进行一第二触媒处理步骤。
12.根据权利要求11所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的第一、该第二触媒是选自铁氧化物、铜锌触媒及活性铝吸收剂所组成的族群。
13.根据权利要求12所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的第一、该第二触媒处理步骤所使用的触媒是选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成的族群。
14.根据权利要求11所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的电浆处理步骤是在该第一与该第二触媒处理步骤之间进行，且该第一触媒处理步骤是在该电浆处理步骤之前进行。
15.根据权利要求14所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于在该电浆处理之后，在进行该第二触媒处理步骤之前，更包括将电浆处理之后的该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气与助氧化物质混合。
16.根据权利要求15所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的助氧化物质是选自氢、氧以及水所组成的族群。
17.根据权利要求16所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的进流的助氧化物质的浓度为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例的0.001～10倍。
18.根据权利要求14所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于在进行该第一触媒处理步骤之前，更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃的废气加热至室温或室温以上。
19.根据权利要求14所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于在进行该第二触媒处理步骤之后，更包括以一洗涤液饱和该第二触媒处理后所形成的气体中的无机酸类。
20.根据权利要求11所述的处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，其特征在于其中所述的全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6或其组合，该含氢氟烃为CHF3。
全文摘要
本发明是关于一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气的方法，此方法是将含全氟化合物及/或含氢氟烃废气与铁氧化物触媒进行气固接触，并进行电浆氧化反应，之后再以触媒进行气固接触及氧化反应，以达到分解全氟化合物及/或含氢氟烃的目的。由于本发明可在较先前技术低许多的温度下操作，其能源消耗小且不具着火危险性，因此，非常适合用来去除半导体及光电制造工厂所产生的含全氟化合物的废气。
文档编号B01J23/745GK1736566SQ20041005848
公开日2006年2月22日 申请日期2004年8月19日 优先权日2004年8月19日
发明者林树荣 申请人:慧群环境科技股份有限公司