1.一种高纯度结晶方法，其特征在于：将饱和溶液槽中溶解有某种溶质的饱和溶液降温形成过饱和溶液，将结晶附着机构伸入过饱和溶液中，结晶，晶体析出并沿结晶附着机构爬至液面以上，用刮离机构刮离液面以上附着于结晶附着机构上的晶体，此部分晶体即为所得晶体。
2.根据权利要求1所述的结晶方法，其特征在于：用搅拌器搅拌饱和溶液、震荡饱和溶液槽或摩擦饱和溶液槽壁，静止，待结晶析出。
3.一种高纯度结晶装置，其特征在于：包括由饱和溶液槽上端开口处伸入其内的结晶附着机构及刮离机构，此刮离机构用于刮离附着于结晶附着机构表面的晶体。
4.根据权利要求3所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述结晶附着机构包括一端固连于安装板上另一端伸入饱和溶液槽内的若干结晶附着板，所述结晶附着板靠近或接触饱和溶液槽的底壁，且所述若干结晶附着板之间相互独立。
5.根据权利要求4所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述刮离机构为板状的铲刀或刮刀。
6.根据权利要求3所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述结晶附着机构包括一端固连于安装板上另一端伸入饱和溶液槽内的若干相互交叉设置的横板和纵板，所述横板和纵板均靠近或接触饱和溶液槽的底壁，相邻的所述横板与纵板之间形成结晶附着通道，所述结晶附着通道延伸出安装板。
7.根据权利要求6所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述刮离机构包括由安装板的上方插入所述结晶附着通道的插入式刮料杆，于所述插入式刮料杆位于结晶附着通道外的一端构造有限位板，于所述限位板上构造有第一提手。
8.根据权利要求3所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述结晶附着机构包括一端固连于安装板上另一端伸入饱和溶液槽内的若干结晶附着杆，且所述若干结晶附着杆之间相互独立，所述若干结晶附着杆均靠近或接触饱和溶液槽的底壁；所述若干结晶附着杆沿竖向伸入饱和溶液槽内。
9.根据权利要求8所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述刮离机构包括设于安装板下方并与各结晶附着杆沿竖向滑动连接的装配板，于所述装配板与各结晶附着杆滑动连接处构造有结晶刮离件，所述装配板经构造于安装板与装配板之间的驱动机构而驱动，并沿竖向往复运动。
10.根据权利要求8所述的一种高纯度结晶装置，其特征在于：所述驱动机构包括安装于安装板上的正反转驱动电机，所述正反转驱动电机的输出端同轴安装有与装配板螺纹连接的螺杆；
所述结晶刮离件包括转动安装于装配板下端的齿轮，且位于同一排的齿轮相邻之间依次相互啮合，且位于首列的齿轮之间相互啮合，且其中一齿轮经与之啮合的主动轮驱动而转动，所述主动轮与安装于装配板上的动力电机的输出轴同轴装配，各齿轮套装于相对应的结晶附着杆上，且于齿轮的下端沿其周向形成有若干刮片，各刮片均接触于结晶附着杆的周向表面。