本发明涉及硅晶体生产技术领域，特别是一种硅晶体切削液。
背景技术：
目前市场上硅晶体切削液不是很多，硅本身是一种比较容易腐蚀的材质，作为晶体本体，它是一种很精密，光洁度要求很高的材质，特别是在刚加工完，容易出现蚀斑，影响后续加工的精度和使用要求，另外一些沉降性能不好的硅晶体切削液，一些晶体碎屑容易残留在材质表面，导致晶体表面光洁度不够或者划伤，另外就是硅晶体加工是持续不断的，加工压力比较大，要求比较严，一些切削液泡沫比较大，容易造成现场机床报警等供压不足现象，以及晶体表面残留泡沫导致“白斑”等不良现象。
中国发明专利cn104673472a公开了一种硅晶体切削液，包括以下质量百分比的组合：ph调节剂5-15％、乳化螯合剂3-8％、低泡聚醚8-18％、金属保护剂3-8％、其余为去离子水。它是一种融合先进的表面处理技术，拥有优异的金属抗腐蚀能力、卓越的沉降性能以及强啊的抑泡能力的硅晶体切削液。在硅晶体切削液的使用过程中，液体能够保持清澈透明，表面无废渣和泡沫，几乎可以做到起多少泡沫，下一秒全部消完，加工出来的工件更是光亮如新，无腐蚀和变色，它的使用寿命非常长，无需担心长菌的现象，变相的节约了成本和减少了不必要的维护以及损耗，产品中不含对环境有害的物质，经处理后排放不会导致环境恶化。
技术实现要素：
本发明需要解决的技术问题是提供一种太阳能电池用电极浆料。
为解决上述的技术问题，本发明的一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15-20份，低泡聚醚23-30份，乳化螯合剂5-10份，乙二胺多价酸12-18份，防腐杀菌剂5-15份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15-30份，有机酸10-22份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8-15份。
进一步的，所述有机酸为油酸、十一酸、十二酸、正辛酸和异辛酸中的一种。
更进一步的，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，油酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
更进一步的，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂20份，低泡聚醚30份，乳化螯合剂10份，乙二胺多价酸18份，防腐杀菌剂15份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺30份，十一酸22份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯15份。
更进一步的，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂18份，低泡聚醚26份，乳化螯合剂8份，乙二胺多价酸15份，防腐杀菌剂12份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺23份，十二酸17份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯11份。
更进一步的，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，正辛酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
更进一步的，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，异辛酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
采用上述配方后，本发明的硅晶体切削液具有良好的润滑、防锈、清洗、冷却和沉降效果；另外，能够解决目前硅晶体切削液防锈性差和渗透性不足的问题。
具体实施方式
实施方式一：
本发明的一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，油酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
实施方式二：
一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂20份，低泡聚醚30份，乳化螯合剂10份，乙二胺多价酸18份，防腐杀菌剂15份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺30份，十一酸22份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯15份。
实施方式三：
一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂18份，低泡聚醚26份，乳化螯合剂8份，乙二胺多价酸15份，防腐杀菌剂12份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺23份，十二酸17份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯11份。
实施方式四：
一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，正辛酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
实施方式五：
一种硅晶体切削液，按照质量份数计包括以下组分：ph调节剂15份，低泡聚醚23份，乳化螯合剂5份，乙二胺多价酸12份，防腐杀菌剂5份，2-氨基-2-甲基-1-丙醇胺15份，异辛酸10份，三羟甲基丙烷椰子油酸酯8份。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式作出多种变更或修改，而不背离发明的原理和实质，本发明的保护范围仅由所附权利要求书限定。