1.一种实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路，其特征在于：包括电阻R1～R5、稳压管Z1～Z2、电压基准源TL431，PMOS管Q1和晶体管Q2，其中PMOS管Q1源极连接电源输入端Vin，漏极作为电源输出端Vout，栅极依次通过电阻R4和晶体管Q2接地；
所述电阻R1与R5串联在Vin于地之间组成分压取样电路，取样电压输出连接TL431的REF端，TL431的阳极接地，阴极分别通过电阻R2连接Vin、通过稳压管Z2连接晶体管Q2的基极；
所述电源输入端Vin还分别通过并联的稳压管Z1、电阻R3连接PMOS管Q1的栅极。
2.根据权利要求1所述的实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路，其特征在于：所述稳压管Z1的阳极连接PMOS管Q1的栅极，阴极连接电源输入端Vin。
3.根据权利要求2所述的实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路，其特征在于：所述稳压管Z2的阳极连接晶体管Q2的基极，阴极连接TL431的阴极。
4.根据权利要求3所述的实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路，其特征在于：所述晶体管Q2为NPN三极管，Q2的集电极通过电阻R4连接PMOS管Q1的栅极，发射极接地。