通过引入碳阻挡减小mems静摩擦的制作方法
【专利摘要】提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。
【专利说明】通过引入碳阻挡减小MEMS静摩擦
【技术领域】
[0001]本发明通常涉及微机电系统(MEMS)的制造。更具体地说，涉及在形成MEMS器件期间通过碳阻挡层来减小MEMS器件中的静摩擦。
【背景技术】
[0002]微机电系统(MEMS)器件是提供了有低于100微米尺寸特性的移动部件的微机电器件。这些移动部件均使用微加工技术形成。MEMS器件有孔、腔、通道、悬臂、膜等等。这些器件通常是基于硅材料，并使用各种技术来形成物理结构以及释放该结构用于移动。
[0003]静摩擦力通常是MEMS器件经常发生的静摩擦力。虽然任何立体物不滑动地彼此挤压需要一些力(静摩擦)的阈值来克服静态结合，生成这种力的机制对于MEMS器件可以是不同的。当带有低于微米范围内的面积的两个表面极为接近时，由于静电和/或范德华力，表面可能会附着在一起。在这个规模的静摩擦力也可与氢键或表面上的残留污染相关联。
[0004]对于MEMS器件，例如加速计，例如超程停止的表面在器件设计极限使用期间或在器件制造期间可以极为接近或接触。在那些情况下，静摩擦力可以导致MEMS器件部件(例如，跷跷板加速计机制)在适当位置冻结，并变得不可用。避免这种极为接近的行程或接触的传统方法包括增加弹簧常数以及增加MEMS器件的各部分之间的距离。但是，这些方法可以降低器件对加速度的灵敏度，因此降低了 MEMS器件的效用。因此，期望提供一种机制以用于减少MEMS器件的静摩擦相关的相互作用，而不降低MEMS器件的灵敏度。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]通过参照附图，本发明可被更好的理解，并且其多个目的、特征，以及优点对本领域技术人员来说会非常清楚。
[0006]图1是示出本领域中已知的加速计的横截面图的简化方框图。
[0007]图2是示出在制作阶段期间，位于MEMS加速计的末端的行程停止区域的横截面图的封闭的简化方框图。
[0008]图3是示出在沉积第二多晶硅层之后的制作阶段期间的行程停止区域的横截面图的简化方框图。
[0009]图4是示出在可以在使用加速计期间或移除牺牲层期间发生的位置移除牺牲层之后的行程停止区域的横截面图的简化方框图。
[0010]图5是根据本发明的实施例，示出在处理步骤期间的行程停止区域的横截面图的简化方框图。
[0011]图6A、图6B、图7A、图7B是根据本发明的实施例，示出通过包含阻挡层，对扩散到多晶硅层的碳的影响的示例二次离子质谱测定法(SIMS)深度分辨率分布图。
[0012]除非另有说明，不同附图中使用的相同参考符号表示指示相同的物件。附图不一定按比例绘制。【具体实施方式】
[0013]本发明的实施例提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。在本发明的实施例中，碳阻挡材料膜在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层和基于TEOS的氧化硅层之间沉积。该阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少了在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。
[0014]图1是示出本领域中已知的跷跷板加速计的横截面图的简化方框图。加速计包括带有绝缘层120的衬底110。衬底110可以例如是硅晶圆以及绝缘层120可以例如是氧化硅或氮化硅。在某些情况下，绝缘层120可以从衬底110热生长或绝缘层可以被沉积。
[0015]固定电极130和135，连同行程停止区域140和145，形成于绝缘层120的顶部上。形成固定电极130和135的层以及行程停止区域140和145通常是多晶硅，并通过使用常规技术，包括应用所需的图案被形成。形成固定电极的层和行程停止区域也可替代地是非晶硅、氮化物、含有金属的材料、另一种合适的材料等等，或它们的任意组合。介电层150被形成以将电极和行程停止区域与MEMS加速计的其它元件电隔离开。介电层150可以由多种材料，包括，例如，氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅等制成。
[0016]绕轴旋转的检验块160被配置成响应于MEMS器件或包含了 MEMS器件的系统的加速度，以以类似于跷跷板运动的方式进行运动。绕轴旋转的检验块160可以以一种方式被配置，以便绕轴旋转的检验块的一侧170和绕轴旋转的检验块的通过枢轴点165的一侧175之间存在不平衡。不平衡量有使器件或多或少对加速度敏感的效果。在绕轴旋转的检验块的一侧170上配置的电极180与固定电极130相关联，而在绕轴旋转的检验块上的电极185与固定电极135相关联。此外，在绕轴旋转的检验块的一侧170上的行程止挡190与行程停止区域140相关联，以及在绕轴旋转的检验块的一侧175上的行程止挡195与行程停止区域145相关联。绕轴旋转的检验块160以及行程止挡190和195通常由多晶硅形成。
[0017]电极180和固定电极130形成第一可变传感电容器，而电极185和固定电极135形成第二可变传感电容器。第一和第二可变传感电容器的变化可以被结合以提供源自MEMS加速计的差分输出。制作图1中的MEMS加速计可以通过使用已知的MEMS制作工艺被执行。
[0018]图2是示出在制作阶段期间，位于MEMS加速计的末端175的行程停止区域的横截面图的封闭简化方框图。正如上面所讨论的，衬底110被提供有绝缘层120，其中衬底110可以是硅晶圆以及绝缘层120可以是氧化硅。第一多晶硅层210形成于绝缘层120上，从而部分地形成行程停止区域145。例如，介电层150形成于多晶硅层210和绝缘层120上，以防止过度蚀刻绝缘层120。牺牲层220形成于被形成图案的介电层150和多晶硅层210的暴露区域的顶部。牺牲层220通常通过使用四乙氧基硅烷(TEOS)气体形成以形成氧化硅牺牲层或牺牲层可以由磷硅玻璃(PSG)形成。牺牲层可以被形成图案以形成MEMS器件下一层的“成型”。在这时，牺牲层220可在高温下(例如，超过900°C)被退火。第二多晶硅层230可以形成于被形成图案的牺牲层上以形成绕轴旋转的检验块160，包括行程止挡195。可以根据应用的需要，继续累积图案层。
[0019]图3是示出在沉积第二多晶硅层230之后的制作阶段期间的行程停止区域的横截面图的简化方框图。典型的MEMS加工提供在低温和低压下沉积的第二多晶硅层。在一个实施例中，为了减轻第二多晶硅层230上的应力，该结构通过使其在超过1000°C的温度下一个小时或更多时间被退火。在此退火期间，多晶硅层230中的多晶硅晶粒重新排列，从而减小了内应力，并将在生成的器件中提供低能量、松弛的多晶硅结构。
[0020]在退火期间，整个MEMS器件结构，包括牺牲层220被加热。如上所述，牺牲层220通常是使用TEOS气体形成的氧化硅层。TEOS包括大量被合并到牺牲层的碳链。在退火加热期间，牺牲层中的挥发性化合物从该层释放，但碳保留在所述牺牲层中。而且，在多晶硅层附近的牺牲层中的碳可以扩散到多晶硅层的表面并且沿着多晶硅层和牺牲层之间的界面区域形成碳沉积(例如，碳沉积310、315、320、325、330、335和340)。
[0021]图4是示出在可以在使用加速计期间或移除牺牲层期间发生的位置移除牺牲层之后的行程停止区域的横截面图的简化方框图。牺牲层220通常是通过使用对牺牲层有选择性的各向同性湿蚀刻过程被移除的。由于用于湿蚀刻过程的行程止挡195和多晶硅行程停止区域145之间的液体表面张力，毛细作用力可以将表面拉到一起。如图所示，将表面拉到一起的结果导致了碳沉积310和315进行接触。相比于干净的表面，碳包覆的表面更容易受到附着物的影响，特别是如果碳区域是湿的，例如在湿蚀刻过程期间。
[0022]类似地，碳包覆的表面在器件使用期间可以变得相接触。例如，足以超过加速计设
计规范的加速度I；被施加于器件上。这导致行程止挡195冲击多晶硅行程停止区域145，从
而防止电极185接触固定电极135。在这种情况下，由于碳沉积的摩擦力，连同静摩擦的其它来源(例如，范德华力和静电力)可以导致各部件连在一起，从而使器件无法操作。
[0023]本发明的实施例提供了一种机制以减少MEMS器件中例如行程止挡195和行程停止区域145的多晶硅表面上的碳沉积。因此，减少碳沉积将减小由于碳沉积的静摩擦。这是通过在基于TEOS的牺牲层与绕轴旋转的检验块和固定部分(例如，行程停止区域)之一或两者之间形成碳阻挡层来完成的。
[0024]图5根据本发明的实施例，是示出在处理步骤期间的MEMS器件的行程停止区域的横截面图的简化方框图。正如上面所讨论的，行程停止区域形成于衬底Iio和绝缘层120上。第一多晶硅层210形成于绝缘层120之上，从而部分地形成行程停止区域145。介电层150形成于被图案的多晶硅层210之上，又电隔离多晶硅层的被图案区域。
[0025]如图所不，第一阻挡层510形成于第一多晶娃层210和介电层150之上。第一阻挡层510防止碳从牺牲层扩散到第一多晶硅层210的表面内，因此，降低了多晶硅层上的碳沉积。在一个实施例中，聚-SiGeC被用于第一阻挡层，而在另一个实施例中则使用氮化硅。第一阻挡层510可以通过使用低压CVD工艺被形成以沉积第一阻挡层。在一个实施例中，在沉积之后形成膜则不需要附加处理。
[0026]正如上面所讨论的，牺牲层220通过使用TEOS气体被形成以形成氧化硅的牺牲层。形成牺牲层220之后，形成了第二阻挡层520。第二阻挡层可以通过使用与形成第一阻挡层的那些技术相同的技术被形成，或如果应用需要，可以通过使用不同的技术被形成。
[0027]形成第二阻挡层520之后，通过使用低温、低压沉积过程形成第二多晶硅层230。然后可以进行退火以减轻第二多晶硅层中的应力。正如先前所讨论的退火，加热至超过1000C的温度既可以减轻第二多晶硅层中的应力，也可以导致牺牲层中的挥发性和碳迁移。但是，阻挡层防止了碳扩散到多晶硅层。通过将碳保留在牺牲层中，例如结合图4所描述，碳在牺牲层蚀刻期间被移除。
[0028]在本发明的一个实施例中，两个阻挡层可以正如所显示的被使用以防止碳在所述第一和第二多晶娃层中内的扩散。在另一个实施例中，阻挡层510和520中的任一个可以被使用以防止碳扩散到第一和第二多晶硅层中相关联的一个中。通过防止碳扩散到至少一个多晶硅层中，与碳沉积粘附于其它碳沉积的相关的问题仍然可以防止。，其它实施例提供了在湿蚀刻移除牺牲层之后或结合湿蚀刻移除牺牲层，移除阻挡层。
[0029]图6A、图6B、图7A、图7B示出显示通过包含阻挡层，例如510或520，对扩散到多晶硅层内的碳的影响的示例二次离子质谱测定法(SIMS)深度分辨率分布图。在每一个附图中，被归一化以显示浓度的相对差异(例如，而不是实际浓度)的浓度级是在每个附图中被标记为“A”的图表中的堆叠材料的深度的函数。
[0030]图6A提供了 SMS深度分辨率分布图610。SIMS深度分辨率分布图显示了通过位于多晶娃层614和基于TEOS的Si02层616之间的界面被归一化的娃、碳和氧的浓度水平。SIMS深度分辨率分布图610显示了在沉积基于TEOS的Si02层之后，但在与退火相关联的加热之前在不同深度通过界面的浓度水平。碳分布图显示了在到多晶硅层大约IOnm的界面区域处的碳水平的增加。
[0031]图6B提供了 SMS深度分辨率分布图620。SIMS深度分辨率分布图620也显示了在将结构加热到与退火相关联的温度之后在不同深度通过界面的归一化浓度水平。碳分布图显示了整个多晶硅层624的增加的碳水平，尤其是碳水平从界面622大约50nm的深度(例如，区628)的升高的碳水平。
[0032]图7A和图7B提供了两个SIMS深度分辨率分布图，其中SiGeC阻挡层形成于多晶
硅层和TEOS-SiO2层之间。聚-SiGeC阻挡层的深度大约是450 A0正如图6A，在图7A中，
SMS深度分辨率分布图710显示了在加热到退火温度之前的浓度分布，以及在图7B中，SMS深度分辨率分布图720显示了在加热到退火温度之后的浓度分布。在图7A和图7B中显示的分布图中，碳水平在多晶硅层712和722内保持低，而在基于TEOS的SiO2层中仍然
较高。这些附图显示了由聚-SiGeC形成的450 A的阻挡层足以防止碳从基于TEOS的SiO2
层扩散到多晶硅层。在一个实施例中，对于阻挡层510或520，阻挡层的厚度保持在低于大
约1000人。例如，过厚的阻挡层510可能影响后续的光刻工艺。
[0033]通过使用碳扩散阻挡层，例如聚-SiGeC，源自例如基于TEOS的SiO2层的外部源的碳被防止扩散到相邻的多晶硅区域。大部分源自基于TEOS的SiO2的外部碳保留在SiO2层中并且可以作为形成MEMS器件的典型工艺的一部分被移除。这将减少本领域中MEMS器件(例如，加速计)的与碳相关的静摩擦失败的数量并且也将在制作期间改进器件的产量。
[0034]此外，在加速计型MEMS器件中减小静摩擦的优点是改进了器件的灵敏度。在一种类型的传统MEMS加速计中，通过增加器件的弹簧常数，静摩擦力被抵消。但是，增加弹簧常数就降低了 MEMS器件对光加速力的灵敏度。在另一种类型的传统MEMS器件中，希望通过增加器件的可移动部分和固定部分之间的距离来减小发生静摩擦的机会。但是这样就增加了电容极板之间的距离，因此，可以减小测得的电容差。通过使用本发明的实施例来减小静摩擦力允许较低的弹簧常数以及部件之间的较小距离，这两者都可以改进器件的灵敏度。另外，较小的整体器件大小可以通过减小部件之间的距离来实现。反过来，这又可以为每个MEMS器件提供减小的占地面积，从而允许将多个MEMS器件合并到系统或较小的系统尺寸中。[0035]目前应了解提供了一种用于制作微机电系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括:在衬底之上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层之上形成牺牲层，其中牺牲层包括通过使用TEOS气体沉积的氧化硅；在所述牺牲层之上形成第二多晶硅层；退火第二多晶硅层，其中退火包括将所述第一和第二多晶硅层以及牺牲层加热到足以减轻在第二多晶硅层中的应力的温度；以及在牺牲层与第一和第二多晶硅层中的一个或多个之间形成碳阻挡层。碳阻挡层在退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到相邻的多晶硅层。
[0036]在上述实施例的一方面，所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。在上述实施例的另一方面，形成所述碳阻挡层包括沉积所述碳阻挡层至大约45nm或更大的厚度。
[0037]在上述实施例的另一方面，形成所述碳阻挡层包括在所述第一多晶硅层的至少一部分之上形成所述碳阻挡层并接触所述第一多晶硅层的至少一部分，其中所述形成所述碳阻挡层在形成所述牺牲层之前被执行。在上述实施例的另一方面，形成所述碳阻挡层包括在所述牺牲层之上形成所述碳阻挡层并接触所述牺牲层，其中所述形成所述碳阻挡层在形成所述第二多晶硅层之前被执行以及所述第二多晶硅层的至少一部分接触所述碳阻挡层被形成。
[0038]上述实施例的另一方面包括在所述退火之后使用湿蚀刻移除所述牺牲层。另一方面，所述方法包括在所述退火之后移除所述碳阻挡层。上述实施例的另一方面还包括在所述衬底之上形成第一绝缘层，其中所述第一多晶硅层形成于所述第一绝缘层之上，以及在所述第一多晶硅层的至少一部分之上形成第二绝缘层。
[0039]本发明的另一个实施例提供了微机电系统(MEMS)器件，所述器件包括:包括形成于衬底之上的第一多晶硅层和形成于第一多晶硅层的至少一部分之上的第一绝缘层的固定表面；包括提供面向固定表面的主表面的第二多晶硅层的可移动体；以及形成于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的所述主表面中的至少一个之上的碳阻挡层。在本实施例的一方面，所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。
[0040]在上述实施例的另一方面，所述碳阻挡层包括足以防止碳从所述MEMS器件制作期间使用的TEOS牺牲层扩散到所述相邻的多晶硅层的厚度。另一方面，所述碳阻挡层的所述厚度至少大约为45nm。在上述实施例的另一方面，所述MEMS器件是加速计。
[0041]本发明的另实施例提供了一种用于制作微机电系统(MEMS)器件的方法，其中所述方法包括:形成包括了第一多晶硅层的固定表面；形成提供面向固定表面的主表面的可移动体，其中主表面的至少一部分被配置以接触固定表面的至少一部分以及主表面的至少一部分包括第二多晶硅层；在固定表面和可移动体之间形成牺牲层，其中牺牲层包括通过使用TEOS气体沉积的氧化硅；以及形成第一多晶硅层或第二多晶硅层中的至少一个，以便源自牺牲层的碳不扩散到第一多晶硅层或第二多晶硅层中的至少一个中。
[0042]在上述实施例的一方面，形成至少其中所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层以便源自所述牺牲层的碳不能扩散到所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个还包括在所述牺牲层和所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层之一之间形成碳阻挡层。所述碳阻挡层在所述第二多晶硅层的退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到所述相邻的多晶硅层。另一方面，所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。在上述实施例的另一方面，形成所述碳阻挡层包括沉积所述碳阻挡层至至少大约45nm的厚度。
[0043]由于实施本发明的设备大部分是由本领域所属技术人员所熟知的电子元件以及电路组成，电路的细节不会以比上述所说明的为了本发明基本概念的理解以及认识以便不混淆或偏离本发明所教之内容而认为有必要的程度大的任何程度进行解释。
[0044]此外，在描述和权利要求中的术语“前面”、“后面”、“顶部”、“底部”、“之上”、“下面”等等，如果有的话，是用于描述性的目的并且不一定用于描述永久性的相对位置。应了解术语的这种用法在适当的情况下是可以互换的以便本发明所描述的实施例例如，能够在其它方向而不是本发明所说明的或在其它方面进行操作。
[0045]因此，应了解本发明描述的架构仅仅是示范的，并且事实上实现相同功能的很多其它架构可以被实现。从抽象的但仍有明确意义上来说，为达到相同功能的任何元件的排列是有效的“关联”，以便实现所需功能。因此，本发明中为实现特定功能的任意两个元件的结合可以被看作彼此“相关联”以便实现所需功能，不论架构或中间元件。同样地，任意两个元件这样的关联也可以被看作是“可操作性连接”或“可操作性耦合”于对方以实现所需功能。
[0046]此外，本领域所属技术人员将认识到上述描述的操作功能之间的界限只是说明性的。多个操作的功能可组合成单一的操作，和/或单一的操作功能可分布在附加操作中。而且，替代实施例可能包括特定操作的多个实例，并且操作的顺序在各种其它实施例中会改变。
[0047]虽然本发明的描述参照具体实施例，正如以下权利要求所陈述的，在不脱离本发明范围的情况下，可以进行各种修改以及变化。例如，本发明实施例的详细说明书涉及跷跷板型加速计。本发明实施例不限定于跷跷板型加速计，但可以包括由通过弹簧或其它MEMS器件悬挂的质量的加速计，其中所述其它MEMS器件在操作或制作期间有可能使组件彼此接触。因此，说明书以及附图被认为是说明性而不是狭义性的，并且所有这些修改是为了列入本发明范围内。关于具体实施例，本发明所描述的任何好处、优点或解决方案都不旨在被解释为任何或所有权利要求的批评的、必需的、或本质特征或元件。
[0048]本发明所用的术语“耦合”不旨在限定为直接耦合或机械耦合。
[0049]此外，本发明所用的“一(个)”被定义为一个或多个。并且，在权利要求中介绍性的词语如“至少一个”以及“一个或多个”不应该被解释为暗示通过不定冠词“一(个)”引入的其它权利要求元素限定仅包括一个这样介绍的本发明的声明元素的任何其它特定权利要求，即使同一权利要求中包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠词，例如“一(个)”。使用定冠词也是如此。
[0050]除非另有说明，使用术语如“第一”以及“第二”是用于任意区分这些术语描述的元件的。因此，这些术语不一定表示时间或这些元件的其它优先次序。
【权利要求】
1.一种用于制造微机电系统(MEMS)器件的方法,所述方法包括: 在衬底之上形成第一多晶娃层； 在所述第一多晶硅层之上形成牺牲层，其中所述牺牲层包括通过使用四乙氧基硅烷(TEOS)气体沉积的氧化硅； 在所述牺牲层之上形成第二多晶硅层； 退火所述第二多晶硅层，其中所述退火包括将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层以及所述牺牲层加热到足以减轻在所述第二多晶硅层中的应力的温度；以及 在所述牺牲层与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层中的一个或多个之间形成碳阻挡层，其中所述碳阻挡层在所述退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到相邻的多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括: 沉积所述碳阻挡层到大约45nm或更大的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括: 在所述第一多晶硅层的至少一部分之上并与其相接触地形成所述碳阻挡层，其中形成所述碳阻挡层先于形成所述牺牲层被执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括:` 在所述牺牲层之上并与其相接触地形成所述碳阻挡层，其中形成所述碳阻挡层先于形成所述第二多晶硅层被执行；以及 所述第二多晶硅层的至少一部分与所述碳阻挡层相接触地被形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括: 在所述第一多晶硅层的至少一部分之上并与其相接触地形成第一碳阻挡层，其中所述第一碳阻挡层先于形成所述牺牲层被形成；以及 在所述牺牲层上之上并与其相接触地形成第二碳阻挡层，其中 所述第二碳阻挡层先于形成所述第二多晶硅层被形成，以及 所述第二多晶硅层的至少一部分与所述第二碳阻挡层相接触地被形成。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在所述退火之后移除所述牺牲层，其中所述移除使用湿蚀刻。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括: 在所述退火之后移除所述碳阻挡层。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在所述衬底之上形成第一绝缘层，其中所述第一多晶硅层形成于所述第一绝缘层之上；以及 在所述第一多晶硅层的至少一部分之上形成第二绝缘层。
10.一种微机电系统(MEMS)器件,包括: 包括形成于衬底之上的第一多晶娃层和形成于所述第一多晶娃层的至少一部分之上的第一绝缘层的固定表面； 包括提供面向所述固定表面的主表面的第二多晶硅层的可移动体；以及形成于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的所述主表面中的至少一个之上的碳阻挡层。
11.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层包括: 硅氮化物或硅-锗-碳之一。
12.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层包括: 足以防止碳从在所述MEMS器件制作期间使用的TEOS牺牲层扩散到相邻的多晶硅层的厚度。
13.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层的所述厚度至少大约为45nm。
14.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述MEMS器件是加速计。
15.—种用于制作微机电系统(MEMS)器件的方法,所述方法包括: 形成包括第一多晶娃层的固定表面； 形成提供面向所述固定表面的主表面的可移动体，其中所述主表面的至少一部分被配置以接触所述固定表面的至少一部分以及所述主表面的所述至少一部分包括第二多晶硅层； 在所述固定表面和所述可移动体之间形成牺牲层，其中所述牺牲层包括通过使用四乙氧基硅烷(TEOS)气体沉积的氧化硅；以及 形成所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个，以便源自所述牺牲层的碳不扩散到所述第一多晶硅层`或所述第二多晶硅层中的至少一个中。
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个以便源自所述牺牲层的碳不扩散到所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个中还包括: 在所述牺牲层与所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个之间形成碳阻挡层，其中所述碳阻挡层在所述第二多晶硅层的退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到相邻的多晶硅层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。
18.根据权利要求16所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括沉积所述碳阻挡层到至少大约45nm的厚度。
【文档编号】B81C1/00GK103864006SQ201310692997
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年12月17日 优先权日:2012年12月18日
【发明者】R·B·蒙特兹, R·F·斯蒂姆勒 申请人:飞思卡尔半导体公司