1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有图案化的牺牲材料层，在所述牺牲材料层上形成有具有第一开口的掺杂的背板层；
步骤S2：在所述半导体衬底上、所述掺杂的背板层上和所述第一开口中形成扩散阻挡层，以覆盖所述半导体衬底、所述牺牲材料层和所述掺杂的背板层；
步骤S3：对所述掺杂的背板层进行退火；
步骤S4：蚀刻所述扩散阻挡层，以在所述掺杂的背板层的侧壁上形成间隙壁；
步骤S5：在所述半导体衬底、所述牺牲材料层和所述掺杂的背板层上形成未掺杂的背板层，以包围所述牺牲材料层和所述掺杂的背板层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
步骤S6：图案化所述未掺杂的背板层，以形成第二开口，露出所述牺牲材料层；
步骤S7：去除所述牺牲材料层，以形成空腔；
步骤S8：图案化所述半导体衬底，以形成第三开口，形成背腔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：提供所述半导体衬底，在所述半导体衬底上形成所述牺牲材料层；
步骤S12：沉积所述掺杂的背板层，以完全包裹所述半导体衬底和所述牺牲材料层；
步骤S13：图案化所述掺杂的背板层和所述牺牲材料层，以减小所述掺杂的背板层和所述牺牲材料层的尺寸，露出所述半导体衬底的两端，同时在所述掺杂的背板层中形成所述第一开口，露出所述牺牲材料层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述扩散阻挡层完全包裹所述掺杂的背板层、露出的所述半导体衬底和所述牺牲材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的背板层的厚度为200nm-400nm，掺杂浓度大于1E21。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述掺杂的背板层选 用掺杂磷的多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的背板层的沉积温度为520～540℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度大于600nm，其沉积温度大于600℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述退火的温度小于600℃，退火时间小于30S。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述未掺杂的背板层的厚度大于3um，其沉积温度为380～420℃。
11.一种如权利要求1至10之一所述方法制备得到的MEMS器件。
12.一种电子装置，包括权利要求11所述的MEMS器件。