1.改善光伏器件的性能的方法，其包括通过配体交换修饰所述器件的半导体纳米晶体的表面能级。
2.权利要求1的方法，其中所述配体包括硫醇。
3.权利要求1的方法，其中所述配体包括胺。
4.权利要求1的方法，其中所述配体包括卤化物。
5.权利要求1的方法，其中所述半导体纳米晶体包括硫化铅。
6.权利要求1的方法，其中所述配体包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巯基丙酸。
7.权利要求1的方法，其中所述配体包括1,2-乙二胺或硫氰酸铵。
8.权利要求1的方法，其中所述配体包括碘化四丁基铵、溴化四丁基铵、氯化四丁基铵或氟化四丁基铵。
9.具有改善的性能的光伏器件，其包括：
第一电极；
与第一电极接触的第一电荷传输层；
第二电极；
与第二电极接触的第二电荷传输层；和
多个半导体纳米晶体，其通过权利要求1-8任一项的方法制造且设置在所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层之间，其中通过配体交换修饰所述多个半导体纳米晶体的表面。
10.权利要求9的光伏器件，其中所述半导体纳米晶体包括硫化铅。
11.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括硫醇。
12.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括胺。
13.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括卤化物。
14.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巯基丙酸。
15.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括1,2-乙二胺或硫氰酸铵。
16.权利要求9的光伏器件，其中所述配体包括碘化四丁基铵、溴化四丁基铵、氯化四丁基铵或氟化四丁基铵。
17.半导体纳米晶体，其包括通过配体交换修饰的表面，其中所述修饰通过权利要求1-8任一项的方法改善了包括所述半导体纳米晶体的光伏器件的性能。
18.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括硫醇。
19.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括胺。
20.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括卤化物。
21.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巯基丙酸。
22.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括1,2-乙二胺或硫氰酸铵。
23.权利要求17的半导体纳米晶体，其中所述配体包括碘化四丁基铵、溴化四丁基铵、氯化四丁基铵或氟化四丁基铵。