1.制造复合微机械电容式超声换能器的微加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、在第一SOI硅片获得CMUT的低频结构：采用衬底为硼重参杂为第一电极（6）的SOI硅片经过图形转换光刻蚀器件层形成CMUT低频腔体和振动薄膜的支撑体（4），所述支撑体（4）与第一电极（6）由二氧化硅绝缘层（5）隔离；
步骤二、在第二SOI硅片获得CMUT的高频结构：采用衬底不参杂的SOI硅片经过图形转换光刻蚀器件层形成高频腔体和高频腔体支撑墙（3）；
步骤三、将上述步骤一和步骤二制成的两个SOI 硅片相对放置后进行键合，形成低频真空腔体；
步骤四、对键合后的硅片进行减薄处理，去除上硅片的衬底层（8）形成振动薄膜（1）；
步骤五、通过金属溅射和刻蚀形成第二电极（7），制造出复合微机械电容式超声换能器。
2.根据权利要求1所述的制造复合微机械电容式超声换能器的微加工工艺，其特征在于：所述的步骤四中的减薄处理采用CMP化学减薄方法。
3.根据权利要求2所述的制造复合微机械电容式超声换能器的微加工工艺，其特征在于：所述的步骤2中的高频腔体支撑墙（3）由器件层形成。