技术总结
本发明公开了一种用于电涡流微压传感器的薄膜片，包括硅衬底和非导电膜片，所述非导电膜片静电键合在所述硅衬底上，所述硅衬底上设有窗口，所述非导电膜片的外侧且正对窗口的位置处溅射有导电薄膜。本发明的薄膜片具有结构简单、厚度均匀等优点。本发明还公开了薄膜片的制备方法，包括以下步骤：S01、准备单晶硅片和非导电膜片，并分别进行双面抛光；S02、将双面抛光的单晶硅片和非导电膜片进行静电键合，形成键合片；S03、在单晶硅片上腐蚀出窗口，并停止于非导电膜片，其中单晶硅片形成硅衬底；S04、在非导电膜片外侧于窗口的位置处溅射一层导电的薄膜，形成导电薄膜。本发明的制备方法操作简便、易于实现。
技术研发人员：金忠;谢锋;何峰;龙悦
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2018.06.08