步骤g形成的第二开口 11处植焊料凸点10 ；
[0057]1、对步骤h形成的晶圆进行切割，形成单个的表面传感芯片封装结构。
[0058]实施例2
[0059]本实施例2包含实施例1中所有技术特征，如图12所示，其区别在于，另设有一个功能芯片9，所述功能芯片9与所述第二表面102上的金属布线层5电连接，且功能芯片9固设于第二表面102上的绝缘层4与第二塑封层7之间，且所述功能芯片9通过线焊的方式与所述第二表面102上的金属布线层5电连接。
[0060]本实施例2表面传感芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤:
[0061]a、参见图1，准备一具有若干个表面传感芯片单元的晶圆，每个所述表面传感芯片单元具有第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102 ;所述表面传感芯片单元的第一表面101上具有感应区103和位于所述感应区103周边的若干焊垫104，若干个所述焊垫104与所述感应区103电性连接；
[0062]b、参见图2，在所述晶圆的所述第一表面101上形成覆盖住所述感应区103的保护盖6，并在保护盖6的周边及外围的所述第一表面101上形成一层第一塑封层2 ;
[0063]C、对所述晶圆的所述第二表面102进行减薄；
[0064]d、参见图3b，在所述晶圆的第二表面102上与每个表面传感芯片单元的焊垫104相对的位置刻出第一开口 3，暴露出其对应的焊垫104 ；
[0065]e、参见图4和图5，在步骤d形成的所述晶圆的第二表面102和每个所述第一开口3的内壁上覆盖一层绝缘层4，并使每个所述第一开口 3对应的焊垫104暴露出来；
[0066]f、参见图6，在步骤e形成的所述绝缘层4上及暴露出的所述焊垫104的位置铺设一层金属布线层5，并暴露出预固定功能芯片9位置处的绝缘层4，其中，金属布线层5形成若干个用于连接功能芯片9的连接盘；
[0067]g、提供一功能芯片9，在步骤f暴露出的绝缘层4上固定该功能芯片9，并通过线焊的方式使功能芯片9与所述第二表面102上的金属布线层5电连接；具体实施时，功能芯片9可以黏胶固定于晶圆第二表面102上的绝缘层4上，再以键合引线等方式与第二表面102上的金属布线层5相连。
[0068]h、在步骤g形成的金属布线层5外及功能芯片9外形成一层第二塑封层7，并在第二表面102的第二塑封层7上预留金属布线层5与外部器件连接的第二开口 11。
[0069]1、在步骤h形成的第二开口 11处植焊料凸点10 ；
[0070]j、对步骤i形成的晶圆进行切割，形成单个的表面传感芯片封装结构。
[0071]实施例3
[0072]本实施例3包含实施例1中所有技术特征，如图13所示，其区别在于，1、另设有一个功能芯片9，所述功能芯片9与所述第二表面102上的金属布线层5电连接，且功能芯片9通过倒装焊的方式与所述第二表面102上的金属布线层5电连接。2、第一表面101上形成覆盖住所述感应区103的保护盖6被一层第一塑封层2代替，第一塑封层2遮盖住所述感应区103，遮盖住所述感应区103的第一塑封层2具有设定厚度，该第一塑封层材料可具有相对大的莫氏硬度。
[0073]本实施例3表面传感芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤:
[0074]a、参见图1，准备一具有若干个表面传感芯片单元的晶圆，每个所述表面传感芯片单元具有第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102 ;所述表面传感芯片单元的第一表面101上具有感应区103和位于所述感应区103周边的若干焊垫104，若干个所述焊垫104与所述感应区103电性连接；
[0075]b、在所述晶圆的所述第一表面101上形成第一塑封层2 ;且所述第一塑封层2遮盖住所述感应区103，遮盖住所述感应区103的第一塑封层2具有设定厚度；
[0076]C、对所述晶圆的所述第二表面102进行减薄；
[0077]d、在所述晶圆的第二表面102上与每个表面传感芯片单元的焊垫104相对的位置刻出第一开口 3，第一开口 3去除对应焊垫104上方的基底材料；
[0078]e、在步骤d形成的所述晶圆的第二表面102和每个所述第一开口 3的内壁上覆盖一层绝缘层4，并使所述第一开口 3对应的焊垫104暴露出来；
[0079]f、在步骤e形成的所述绝缘层4上及暴露出的所述焊垫104的位置铺设一层金属布线层5 ；
[0080]g、另提供一功能芯片9，所述功能芯片9通过倒装焊的方式与所述第二表面102上的金属布线层5电连接。
[0081]h、在步骤g形成的金属布线层5外形成一层第二塑封层7，并在第二表面102的第二塑封层7上预留金属布线层5与外部器件连接的第二开口 11。
[0082]1、在步骤h形成的第二开口 11处植焊料凸点10 ；
[0083]j、对步骤i形成的晶圆进行切割，形成单个的表面传感芯片封装结构。
[0084]实施例4
[0085]本实施例4包含实施例1中所有技术特征，如图14所示，其区别在于，所述金属布线层5外形成有保护层，且所述保护层为一层绝缘防护层8。绝缘防护层8用于防止金属布线层5被氧化，可为光刻胶，便于暴露第二开口 11。
[0086]本实施例4表面传感芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤:
[0087]a、参见图1，准备一具有若干个表面传感芯片单元的晶圆，每个所述表面传感芯片单元具有第一表面101和与第一表面101相对的第二表面102 ;所述表面传感芯片单元的第一表面101上具有感应区103和位于所述感应区103周边的若干焊垫104，若干个所述焊垫104与所述感应区103电性连接；
[0088]b、参见图2，在所述晶圆的所述第一表面101上形成覆盖住所述感应区103的保护盖6，并在保护盖6的周边及外围的所述第一表面101上形成一层第一塑封层2 ;
[0089]C、对所述晶圆的所述第二表面102进行减薄；
[0090]d、参见图3b，在所述晶圆的第二表面102上与每个表面传感芯片单元的焊垫104相对的位置刻出第一开口 3，第一开口 3去除其对应的焊垫104上方的基底材料；
[0091]e、参见图4和图5，在步骤d形成的所述晶圆的第二表面102和每个所述第一开口3的内壁上覆盖一层绝缘层4，并使每个所述第一开口 3对应的焊垫104暴露出来；
[0092]f、参见图6，在步骤e形成的所述绝缘层4上及暴露出的所述焊垫104的位置铺设一层金属布线层5 ；
[0093]g、参见图7，在步骤f形成的金属布线层5外形成一层绝缘防护层8，并在第二表面102的绝缘防护层8上预留金属布线层5与外部器件连接的第二开口 11。
[0094]h、参见图8，在步骤g形成的第二开口 11处植焊料凸点10 ；
[0095]1、对步骤h形成的晶圆进行切割，形成单个的表面传感芯片封装结构。
[0096]综上，本实用新型提出一种表面传感芯片封装结构，该封装结构能够降低封装厚度，满足表面传感芯片小型化发展的要求；该封装结构中传感芯片外围设有塑封层，能够提高传感芯片的可靠性；该封装结构便于结合其他功能芯片或基板，增强芯片的使用功能。该制作方法利用晶圆级芯片尺寸封装技术，先进行整体封装，再将晶圆切割成单颗芯片，降低了生产成本。
[0097]以上实施例是参照附图，对本实用新型的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本实用新型的实质的情况下，都落在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种表面传感芯片封装结构，其特征在于:包括具有相对的第一表面(101)和第二表面(102)的表面传感芯片(I)，所述第一表面具有感应区(103)和位于所述感应区周边的若干个焊垫(104)，若干个所述焊垫与所述感应区电性连接；所述第一表面上形成有暴露所述感应区的第一塑封层(2);所述第二表面上与每个所述焊垫相对的位置形成有第一开口(3)，所述第二表面和所述第一开口的内壁上形成有暴露出所述焊垫的绝缘层(4)，所述绝缘层上形成有电连接所述焊垫暴露部分的金属布线层(5);所述金属布线层外形成有保护层。
2.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述第一塑封层(2)遮盖住所述感应区，遮盖住所述感应区的第一塑封层具有设定厚度。
3.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:暴露出的所述感应区上设有保护盖(6)。
4.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述保护层为第二塑封层(7)或绝缘防护层⑶。
5.根据权利要求4所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:另设有一个或多个功能芯片(9)，所述功能芯片与所述第二表面上的金属布线层电连接。
6.根据权利要求5所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述保护层为所述第二塑封层时，所述功能芯片固设于所述第二表面上的绝缘层与第二塑封层之间，且所述功能芯片(102)通过线焊的方式与所述第二表面上的金属布线层电连接。
7.根据权利要求5所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述功能芯片(9)通过倒装焊的方式与所述第二表面上的金属布线层电连接。
8.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述第二表面(102)的所述保护层上设有若干与所述金属布线层连接的焊料凸点(10)，所述焊料凸点(10)用于电连接外部器件。
9.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述金属布线层(5)的材料为铜或铝或镍或金或钛或合金。
10.根据权利要求1所述的表面传感芯片封装结构，其特征在于:所述第一开口(3)为凹槽或凹槽与孔的组合或直孔。
【专利摘要】本实用新型公开了一种表面传感芯片封装结构，该封装结构包括表面传感芯片和功能芯片，表面传感芯片第一表面上具有若干个焊垫及感应区，第二表面形成有对应焊垫的第一开口，第一开口内铺设有绝缘层和金属布线层，金属线路层将第一表面上焊垫的电性引导至第二表面上，在传感芯片的外围设置塑封层；感应芯片的第二表面可添加功能芯片，功能芯片电连接第二表面上的金属布线层。本实用新型采用硅通孔TSV技术，将芯片第一表面焊垫的电性引到芯片的第二表面，缩小了封装体积；对芯片的外围进行塑封，增加了芯片的可靠性。
【IPC分类】B81B7-00
【公开号】CN204508799
【申请号】CN201420858896
【发明人】万里兮, 黄小花, 王晔晔, 沈建树, 翟玲玲, 钱静娴, 金凯
【申请人】华天科技（昆山）电子有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2014年12月30日