本发明涉及能够制造铝膜的铝镀液，该铝膜具有良好的表面平滑性和良好的柔性。本发明还涉及用于制造铝膜的方法，该方法包括使用铝镀液，并且涉及通过使用所述铝镀液获得的铝多孔体。
背景技术：
铝具有许多良好的特性，例如导电性、耐腐蚀性、轻质性以及无毒性，并且铝被广泛用在(例如)金属制品的镀覆中。然而，铝对氧的亲和性高，并且其氧化还原电位低于氢的氧化还原电位。因此，很难在水溶液系镀浴中进行铝电镀。
因此，采用使用熔融盐浴的方法作为用于进行铝电镀的方法。然而，包含熔融盐的现有镀浴需要被加热到高温。因此，当用铝电镀树脂制品时，可能存在树脂发生熔融以及无法进行电镀的问题。
鉴于这样的问题，日本未审查专利申请公开No.2012-144763(专利文献1)描述了将诸如1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)或1-丁基氯化吡啶鎓(BPC)之类的有机氯化物盐与氯化铝(AlCl3)混合来制备室温下为液体的铝镀浴，并且可以使用该镀浴将铝电镀在树脂成形体的表面上。
具体而言，专利文献1中描述的EMIC-AlCl3系镀液具有良好的溶液性质并且非常适合用作铝镀液。专利文献1描述了通过将1,10-菲咯啉添加到该铝镀液中使得1,10-菲咯啉浓度达到0.25g/L至7.0g/L，从而形成了光滑的铝膜。
关于具有三维网状结构的金属多孔体，通过专利文献1中描述的方法制造的铝多孔体(例如)作为提高锂离子电池的正极容量是非常具有前景的。由于铝具有良好的特性，例如导电性、耐腐蚀性和轻质性，因此目前将表面上涂布有活性物质(例如钴锂氧化物)的铝箔用作为锂离子电池的正极。通过使用由铝形成的多孔体形成该正极，表面积增加并且铝的内部也可以同样被活性物质填充。借助于该结构，即使当电极的厚度增加时，活性物质的利用率也不会降低。因此，单位面积的活性物质的利用率提高，并且能够提高正极的容量。
如上所述，具有三维网状结构的铝多孔体是非常有用的。然而，当通过专利文献1中描述的方法大量连续地制造这种铝多孔体时，所得到的铝膜的平滑性逐渐降低，因此根据需要，镀液需要被新镀液替换。
鉴于上述问题，日本未审查专利申请公开No.2014-058715(专利文献2)描述了将镀铝液中的1,10-菲咯啉一水合物的浓度控制为0.05g/L以上7.5g/L以下是有效的。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本未审查专利申请公开No.2012-144763
专利文献2：日本未审查专利申请公开No.2014-058715
技术实现要素：
技术问题
如专利文献1所述，通过将1,10-菲咯啉一水合物加入到铝镀液中，并且在将1,10-菲咯啉一水合物的浓度控制为0.05g/L以上7.5g/L以下的同时进行铝镀覆，可以大量地连续形成平滑的铝膜。以这种方式获得的铝膜具有良好的平滑性(达到了其表面为镜面的程度)。然而，铝膜是硬的且具有高强度，因此具有不容易被拉长的性质。
在具有三维网状结构的铝多孔体的一些应用中，铝膜需要柔性和伸长性，因此本发明的发明人进行了通过对铝多孔体施加热以使铝具有柔性的研究。通常，金属具有由于热处理而变软的性质。然而，通过专利文献1中描述的方法所获得的铝多孔体即使在进行热处理后也不具有柔性。
因此，本发明的目的在于提供一种能够连续制造铝膜的铝镀液，该铝膜的表面是平滑的并且该铝膜具有良好的伸长率。
解决问题的方案
根据本发明的实施方案的铝镀液为
(1)能够在基材的表面上电沉积铝的铝镀液，
所述铝镀液包含以下组分：
(A)卤化铝；
(B)选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和脲化合物构成的组中的至少一种化合物；以及
(C1)选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者，
其中所述组分(C1)具有碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，
以摩尔比计，所述组分(A)和所述组分(B)的混合比在1:1至3:1的范围内，并且
所述组分(C1)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下。
在上述(1)中描述的铝镀液中，组分(C1)中的术语“侧链”是指与每种盐或化合物的N原子、P原子或S原子键合的基团。
根据本发明的实施方案的铝镀液为
(2)能够在基材的表面上电沉积铝的铝镀液，
所述铝镀液包含以下组分：
(A)卤化铝；
(B)选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和脲化合物构成的组中的至少一种化合物；
(C2)选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者，以及
(D)选自由烷基卤化物、炔烃、烯烃和烷烃构成的组中的至少一种；
其中所述组分(C2)具有碳原子数为1以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，
所述组分(D)为碳原子数为3以上36以下的直链或支链化合物，
以摩尔比计，所述组分(A)和所述组分(B)的混合比在1:1至3:1的范围内，
所述组分(C2)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下，并且
所述组分(D)的浓度为0.5g/L以上8.5g/L以下。
在上述(2)中描述的铝镀液中，组分(C2)中的术语“侧链”是指与每种盐或化合物的N原子、P原子或S原子键合的基团。
本发明的有益效果
根据本发明，可以提供一种能够连续制造铝膜的铝镀液，该铝膜的表面是平滑的并且该铝膜具有良好的伸长率。
具体实施方式
[本发明的实施方案的描述]
首先，将列出和描述本发明的实施方案。
(1)根据本发明的实施方案的铝镀液为
能够在基材的表面上电沉积铝的铝镀液，
所述铝镀液包含以下组分：
(A)卤化铝；
(B)选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和脲化合物构成的组中的至少一种化合物；以及
(C1)选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者，
其中所述组分(C1)具有碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，
以摩尔比计，所述组分(A)和所述组分(B)的混合比在1:1至3:1的范围内，并且
所述组分(C1)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下。
根据上述(1)中描述的本发明的实施方案，可以提供一种能够连续制造铝膜的铝镀液，该铝膜的表面是平滑的并且该铝膜具有良好的伸长率。
(2)根据本发明的实施方案的铝镀液为能够在基材的表面上电沉积铝的铝镀液，
所述铝镀液包含以下组分：
(A)卤化铝；
(B)选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和脲化合物构成的组中的至少一种化合物；
(C2)选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者，以及
(D)选自由烷基卤化物、炔烃、烯烃和烷烃构成的组中的至少一种；
其中所述组分(C2)具有碳原子数为1以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，
所述组分(D)为碳原子数为3以上36以下的直链或支链化合物，
以摩尔比计，所述组分(A)和所述组分(B)的混合比在1:1至3:1的范围内，
所述组分(C2)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下，并且
所述组分(D)的浓度为0.5g/L以上8.5g/L以下。
根据上述(2)中描述的本发明的实施方案，可以以较低的成本提供一种能够连续制造铝膜的铝镀液，该铝膜的表面是平滑的并且该铝膜具有良好的伸长率。
(3)在上述(1)或(2)中描述的铝镀液中，组分(A)优选为氯化铝，并且组分(B)优选为1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓。
根据上述(3)中描述的本发明的实施方案，可以提供一种能够稳定且连续地获得铝膜的铝镀液，该铝膜具有较好的表面平滑性。
(4)制造根据本发明的实施方案的铝膜的方法，该方法为这样一种用于制造铝膜的方法，该方法包括通过使用根据上述(1)至(3)中任一项所述的铝镀液在基材的表面上电沉积铝。
根据上述(4)中描述的本发明的实施方案，可以提供一种用于制造具有良好表面平滑性和良好伸长率的铝膜的方法。
(5)根据本发明的实施方案的铝多孔体为通过使用根据上述(1)至(3)中任一项所述的铝镀液获得的铝多孔体，该铝多孔体具有三维网状结构和1.5％以上的伸长率。
上述(5)中描述的铝多孔体是软的并且具有良好的伸长率，因此其是能够用于施加有弯曲或振动的应用中的铝多孔体。
根据本发明的实施方案的铝多孔体的伸长率受每单位面积的铝的涂布重量的影响。因此，伸长率被认定为当铝多孔体的每单位面积的铝的涂布重量为100g/m2以上180g/m2以下、并且厚度为0.95mm以上1.05mm以下时的伸长率。
术语“伸长率”是指当根据JIS Z 2241进行拉伸试验时测定的伸长率，并且是指位移量相对于标记之间的距离(标距(Gage Length)：GL)的比例。
(6)在上述(5)中描述的铝多孔体中，骨架的横截面中的晶粒尺寸优选为1μm以上50μm以下。
上述(6)中描述的铝多孔体具有较大的晶粒尺寸，因此该铝多孔体是软的且具有良好伸长率的铝多孔体。
(7)在上述(5)或(6)中描述的铝多孔体中，碳化铝的含量优选为0.8质量％以下。
关于上述(7)中描述的铝多孔体，由于铝膜中所含的碳化铝的含量少，所以通过热处理进行铝的再结晶。因此，能够提供包括更软的铝膜的铝多孔体。
[本发明的实施方案的细节]
下面将更详细地描述根据本发明的实施方案的铝镀液、用于制造铝膜的方法和铝多孔体的具体例子。本发明并不限于这些示例，而是由权利要求书所限定。其意图是本发明的范围包括权利要求书的等同含义和权利要求书的范围内的所有改变。
为了使通过使用现有铝镀液获得的铝多孔体具有柔性，本发明的发明人对铝多孔体进行了热处理。然而，发现即使在热处理后，铝多孔体仍保持高强度和低伸长率的性质。发明人对其原因进行了详细的研究。根据该研究的结果，发现由于热处理而在铝晶体的晶界处形成了碳化铝，所以不能进行再结晶。发现该碳化铝来自膜形成期间吸收于铝膜中的1,10-菲咯啉。
<铝镀液>
鉴于上述情况，本发明的发明人进行了进一步的深入研究，结果发现组分(C1)作为有助于铝膜的平滑性的添加剂是有效的。
具体而言，如上所述，根据本发明的实施方案的铝镀液为通过混合至少以下组分(A)至(C1)而得到的铝镀液。
组分(A)：卤化铝
组分(B)：选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和脲化合物构成的组中的至少一种化合物
组分(C1)：选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者
组分(C1)具有碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链。
根据本发明的实施方案的铝镀液可以包含作为不可避免的杂质的其他组分。在不损害根据本发明实施方案的铝膜效果的范围内，铝镀液可以有意地包含其他组分，该铝膜能够形成具有良好平滑性和良好伸长率的铝膜。
对于当与组分(B)混合时形成约110℃以下的熔融盐的卤化铝，其适合用作充当组分(A)的卤化铝。其例子包括氯化铝(AlCl3)、溴化铝(AlBr3)和碘化铝(AlI3)。其中，最优选氯化铝。
类似地，对于当与组分(A)混合时形成约110℃以下的熔融盐的烷基卤化吡啶鎓，其适合用作充当组分(B)的烷基卤化吡啶鎓。
其例子包括在1位和3位上具有烷基(具有1至5个碳原子)的氯化咪唑鎓，在1位、2位、和3位上具有烷基(具有1至5个碳原子)的氯化咪唑鎓，以及在1位和3位上具有烷基(具有1至5个碳原子)的碘化咪唑鎓。
更具体而言，其例子包括1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)、1-丁基-3-甲基氯化咪唑鎓(BMIC)以及1-甲基-3-丙基氯化咪唑鎓(MPIC)。其中，可以最优选使用1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)。
对于与组分(A)混合时形成约110℃以下的熔融盐的烷基卤化吡啶鎓，其能够适合用作充当组分(B)的烷基卤化吡啶鎓。
其例子包括1-丁基氯化吡啶鎓(BPC)、1-乙基氯化吡啶鎓(EPC)和1-丁基-3-甲基氯化吡啶鎓(BMPC)。其中，最优选1-丁基氯化吡啶鎓。
充当组分(B)的脲化合物包括脲及其衍生物。对于与组分(A)混合时形成约110℃以下的熔融盐的脲化合物，其能够适合用作充当组分(B)的脲化合物。
例如，优选使用由下式(1)表示的化合物。
[化学式1]
在式(1)中，R各自表示氢原子、具有1至6个碳原子的烷基、或苯基，并且R可以彼此相同或不同。
在上述脲化合物中，可以特别优选使用脲或二甲基脲。
在铝镀液中，以摩尔比计，所述组分(A)与所述组分(B)的混合比在1:1至3:1的范围内。因此，获得适用于将铝膜电沉积在基材表面上的铝镀液。
在将组分(B)的比例假设为1的情况下，当化合物(A)的摩尔比小于1时，不会发生铝的电沉积反应。在将组分(B)的比例假设为1的情况下，当化合物(A)的摩尔比大于3时，氯化铝在铝镀液中沉积并且掺入所得的铝膜中，并且该膜的质量降低。
组分(C1)为选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者。所述组分(C1)具有碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，并且对其他侧链没有特别的限制。其他侧链的例子包括氢、具有苯环的基团和碳原子为1以上36以下的直链或支链烷基。
充当组分(C1)的至少一个侧链的烷基可以是支链烷基，但优选为直链烷基。碳原子数为8以上的烷基可以有助于铝膜的平滑性。碳原子数为36以下的烷基可以防止铝镀液的粘度过高。从上述观点出发，充当组分(C1)的侧链的烷基的碳原子数优选为8以上22以下，更优选为12以上18以下。
当组分(C1)是盐时，组分(C1)优选为卤盐。特别地，优选为氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)或碘离子(I-)的盐。
具体而言，组分(C1)的例子包括硬脂胺、二甲基硬脂胺、N-二十二烷基-N-甲基-1-二十二烷胺、二甲基二硬脂基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、辛基三甲基氯化铵和三丁基十四烷基氯化磷。
当铝镀液中的组分(C1)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下时，可以形成平滑且伸长率良好的铝膜。当组分(C1)的浓度小于1.0g/L时，不能获得足够平滑的铝膜。当组分(C1)的浓度超过45g/L时，组分(C1)会掺入铝膜中。因此，铝膜变硬，但是铝膜是脆的且具有低的伸长率。组分(C1)的浓度优选为5g/L以上25g/L以下，更优选为7.5g/L以上20g/L以下。
当使用含有组分(C1)的铝镀液进行长时间的镀覆时，组分(C1)的量降低。因此，根据需要，有必要向铝镀液中添加组分(C1)。如上所述，在将组分(C1)添加到铝镀液中的情况下，将铝镀液中的组分(C1)的浓度控制为1.0g/L以上45g/L以下。
本发明的发明人研究了铝镀液中组分(C1)的量减少的原因。根据该研究的结果，本发明的发明人发现这是因为组分(C1)的侧链(即碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基)发生分解，尽管该分解是逐渐发生的。还发现分离的烷基掺入铝膜中，从而有助于铝膜的平滑性。
如上所述，当使用含有组分(C1)的铝镀液进行长时间的镀覆时，烷基的链长度逐渐变短，并且具有碳原子数为7以下的烷基作为侧链的组分在累积。在这种情况下，可以将下述组分(D)代替组分(C1)添加到铝镀液中。注意，此时的铝镀液中的组分(C1)变为下述的组分(C2)。
具体而言，除了组分(A)和组分(B)之外，根据本发明的实施方案的铝镀液为还包含至少下述组分(C2)和组分(D)的铝镀液。
组分(C2)：选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者
组分(D)：选自由烷基卤化物、炔烃、烯烃和烷烃构成的组中的至少一种
组分(C2)具有碳原子数为1以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链。组分(D)为碳原子数为3以上36以下的直链或支链化合物。
在组分(C2)中，具有碳原子数为8以上36以下的直链或支链烷基作为侧链的盐或化合物有助于铝膜的平滑性和伸长率，并且还有助于组分(D)的溶解性。在组分(C2)中，具有碳原子数为1以上7以下的直链或支链烷基作为侧链的盐或化合物有助于组分(D)的溶解性。即，可以通过在铝镀液中掺入组分(C2)来容易地溶解组分(D)。
组分(C2)为选自由铵盐、磷盐、锍盐、胺化合物、膦化合物和硫醚化合物构成的组中的至少一者。组分(C2)具有碳原子数为1以上36以下的直链或支链烷基作为至少一个侧链，并且对其他侧链没有特别的限制。其他侧链的例子包括氢、具有苯环的基团和碳原子数为1以上36以下的直链或支链烷基。
充当组分(C2)的至少一个侧链的烷基可以是支链烷基，但优选为直链烷基。碳原子数为1以上的烷基可以有助于组分(D)的溶解性。碳原子数为36以下的烷基可以防止铝镀液的粘度过高。
从上述观点看出，组分(C2)中的烷基的碳原子数优选为1以上18以下，并且更优选为3以上12以下。
当组分(C2)是盐时，组分(C2)优选为卤素的盐。特别地，优选为氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)或碘离子(I-)的盐。
具体而言，组分(C2)的例子包括三甲胺、三甲基膦、乙基甲基硫醚、硬脂胺、二甲基硬脂胺、N-二十二烷基-N-甲基-1-二十二烷胺、二甲基二硬脂基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、辛基三甲基氯化铵、四丁基氯化铵、四丁基氯化磷、三丁基十四烷基氯化磷和三乙基苯基氯化铵。
铝镀液中的组分(C2)的浓度为1.0g/L以上45g/L以下。当组分(C2)的浓度小于1.0g/L时，难以将组分(D)溶解在铝镀液中。当组分(C2)的浓度超过45g/L时，镀液的粘度变得过高。
组分(C2)的浓度优选为5.0g/L以上30g/L以下，更优选为10g/L以上且15g/L以下。
组分(D)为选自由烷基卤化物、炔烃、烯烃和烷烃构成的组中的至少一者，所有这些的碳原子数为3以上36以下，并且可以具有直链或支链结构。由于组分(D)具有低极性，所以组分(D)几乎不溶于由组分(A)和组分(B)组成的铝镀液中。然而，当铝镀液含有组分(C2)时，组分(C2)起到了表面活性剂的作用，因此组分(D)容易溶解于铝镀液中。另外，组分(D)比组分(C1)价格低廉并且易于获得。因此，通过添加组分(D)来代替组分(C1)，能够以低成本生产根据本发明的实施方案的铝镀液。
当将铝电沉积在基材的表面上时，组分(D)掺入铝膜中，从而有助于铝膜的平滑性。然而，由于组分(D)具有非常低的热分解温度和非常低的沸点，所以当通过燃烧除去充当基材的树脂时，在比形成碳化铝的温度低的温度下，会从铝膜中除去组分(D)。因此，与1,10-菲咯啉不同，组分(D)没有残留在铝膜中或不形成碳化铝。
当从铝膜中除去组分(D)时，在铝膜中形成微小的空隙，尽管空隙的数量少。只要铝镀液中的组分(D)的浓度在0.5g/L以上8.5g/L以下的范围内，则铝膜的平滑性和伸长率不会由于这些空隙而降低。
碳原子数为3以上的组分(D)可以有助于铝膜的平滑性。碳原子数为36以下的组分(D)可以防止铝镀液的粘度过高。从上述观点看出，组分(D)的碳原子数优选为5以上24以下，更优选为8以上18以下。
因为组分(D)容易溶解在铝镀液中，所以组分(D)在室温下优选为液体或固体。
对烷基卤化物中所含的卤素原子没有特别的限制。然而，例如，卤素原子优选为氯(Cl)、溴(Br)或碘(I)。对烷基卤化物中所含的卤素原子的数目没有特别的限制，并且优选为约1以上约2以下。
因为炔烃分子不可能彼此反应，所以炔烃中包含的三键的数目优选为1。
因为烯烃分子不可能彼此反应，所以烯烃中包含的双键的数目优选为1。
具体而言，组分(D)的例子包括丙烷、丁烷、辛烷、戊烷、十四烷、十八烷、氯丙烷、氯丁烷、月桂基氯、硬脂酰氯、戊烯、己烯、癸烯、丙炔、戊炔和丁炔。
在含有组分(C2)的铝镀液中，当组分(D)的浓度为0.5g/L以上8.5g/L以下时，能够形成平滑且伸长率良好的铝膜。当组分(D)的浓度小于0.5g/L时，在一些情况下不能获得足够平滑的铝膜。当组分(D)的浓度超过8.5g/L时，当通过燃烧除去基材时，在铝膜中形成的空隙的数量变得过大。从上述观点看出，组分(D)的浓度优选为0.85g/L以上4.5g/L以下，更优选为1.0g/L以上3.0g/L以下。
如上所述，由于组分(D)掺入到铝膜中，所以当进行长时间的镀铝时，铝镀液中的组分(D)的量逐渐减少。在铝镀液中的组分(D)的量减少的情况下，适当地添加组分(D)使得组分(D)的浓度达到上述范围。
通过使用根据本发明的实施方案的铝镀液，可以形成表面平滑且具有良好伸长率的铝膜。
<制造铝膜的方法>
用于制造根据本发明实施方案的铝膜的方法是这样的铝膜制造方法，所述方法包括通过使用根据本发明实施方案的铝镀液在基材的表面上电沉积铝。
在根据本发明实施方案的用于制造铝膜的方法中，为了在电解液中将铝电沉积在基材的表面上，在电解液中设置铝电极(阳极)，并建立电连接使得电解液中的基材作为阴极，并且供电。
在这种情况下，优选将铝电沉积在基材的表面上，使得电流密度为0.5A/dm2以上10.0A/dm2以下。当电流密度在该范围内时，可以获得具有更好平滑性的铝膜。电流密度更优选为1.5A/dm2以上6.0A/dm2以下，甚至更优选为2.0A/dm2以上4.0A/dm2以下。
优选的是，在将电解液的温度调节至15℃以上110℃以下的同时，在基材的表面上进行铝的电沉积。通过将电解液的温度调节至15℃以上，可以充分降低电解液的粘度，并且可以提高铝的电沉积效率。通过将电解液的温度调节至110℃以下，可以抑制卤化铝的挥发。电解液的温度更优选为30℃以上80℃以下，还更优选为40℃以上70℃以下。
在将铝电沉积于基材的表面上的过程中，可以根据需要搅拌电解液。
根据本发明的实施方案的用于制造铝膜的方法，能够制造这样的平滑铝膜，该铝膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为约0.2μm以下。
对基材没有特别的限制，只要该基材具有在其表面上形成铝膜的用途即可。例如，可以使用铜板、钢带、铜线、钢丝或者经导电化处理的树脂作为基材。例如，可以使用经导电化处理的聚氨酯、三聚氰胺树脂、聚丙烯或聚乙烯树脂作为经导电化处理的树脂。
充当基材的树脂可以具有任意形状。优选使用具有三维网状结构的树脂成形体，这是因为可以最终制造具有三维网状结构并且在诸如过滤器、催化剂载体、电池用电极之类的应用中表现出良好性能的铝多孔体。使用具有无纺布形状的树脂也可以最终提供具有多孔结构的铝多孔体。具有无纺布形状并且以这种方式制造的铝多孔体还可以优选用于诸如过滤器、催化剂载体和电池电极之类的应用中。
具有三维网状结构的树脂成形体的例子包括通过使用(例如)聚氨酯或三聚氰胺树脂制造的发泡树脂成形体。虽然将树脂成形体的例子描述为“发泡树脂成形体”，但是可以选择具有任意形状的树脂成形体，只要该树脂成形体具有连通孔(连续孔)即可。也可以使用通过缠绕诸如聚丙烯或聚乙烯的纤维状树脂而获得的无纺布状材料来代替发泡树脂成形体。
下文中，具有三维网状结构的多孔体也可以简称为“多孔体”。
该多孔体的孔隙率优选为80％以上98％以下。该多孔体的孔径优选为50μm以上500μm以下。聚氨酯泡沫和三聚氰胺泡沫可以优选用作发泡树脂成形体，这是因为它们具有高孔隙率、其孔具有连通性，并且它们具有良好的热降解性。从(例如)孔的均一性和易获得性的观点来看，优选聚氨酯泡沫。从得到具有小孔径的树脂成形体的观点来看，优选三聚氰胺泡沫。由(例如)聚氨酯泡沫或三聚氰胺泡沫形成的发泡树脂成形体通常包含诸如发泡过程中使用的泡沫稳定剂和未反应单体之类的残留物，因此优选提前进行清洗处理。
多孔体的孔隙率由下式定义：
孔隙率＝(1-(多孔体的重量[g]/(多孔体的体积[cm3]×原材料的密度)))×100[％]
孔径由以下方法确定：借助于(例如)光学显微镜来放大多孔体的表面，计数每英寸(25.4mm)的孔数作为小室数，并计算平均值作为平均孔径＝25.4mm/小室数。
使用经导电化处理的树脂成形体作为具有三维网状结构的树脂成形体。
可以从包括已知方法在内的方法中选择树脂表面的导电化处理。可以采用包括通过化学镀或气相方法形成由(例如)镍形成的金属层的方法、以及包括使用导电涂料形成金属或碳层的方法。
通过由化学镀或气相法在树脂表面上形成金属层，可以提高树脂表面的导电性。另一方面，虽然从导电性的观点来看，通过碳涂布的树脂表面的导电化处理稍微有些差，但是可以进行该导电化处理，使得在形成铝膜之后，所得到的铝结构中不会混入除铝之外的金属。因此，可以制造基本上仅由铝作为金属形成的结构。该方法的优点还在于能够以低成本提供导电性。
在通过碳涂布来进行导电化处理的情况下，首先，制备充当导电性涂料的碳涂料。除了碳颗粒外，充当碳涂料的悬浮液优选包含粘合剂、分散剂以及分散介质。
当使用具有三维网状结构的树脂成形体时，为了将碳颗粒均匀地涂布至多孔体，需要悬浮液保持均匀悬浮状态。为此，悬浮液优选保持在20℃至40℃。通过将悬浮液的温度保持在20℃以上，可以保持均匀悬浮状态，能够防止仅粘合剂在形成多孔体的网状结构的骨架表面上富集并形成层，从而可以均匀地涂布碳颗粒。由于以这样的方式均匀涂布的碳颗粒的层不易分离，所以可以形成牢固附着于碳颗粒层的金属镀层。另一方面，由于悬浮液的温度在40℃以下，所以可以抑制分散剂的蒸发。因此，悬浮液不易于随着涂布处理时间的推移而浓缩。
碳颗粒的粒径为0.01μm至5μm，优选为0.01μm至0.5μm。当粒径过大时，碳颗粒可能会阻塞多孔树脂成形体的孔或抑制平滑镀覆。当粒径过小时，难以确保充分的导电性。
<铝多孔体>
根据本发明的实施方案的铝多孔体为伸长率为1.5％以上的铝多孔体。通过使用已知铝镀液的制造方法获得的铝多孔体具有高强度和低伸长率。相比之下，根据本发明实施方案的铝多孔体是伸长率为1.5％以上的软的铝多孔体。
伸长率为1.5％以上是优选的，这是因为铝多孔体能够有力地对抗弯曲和振动，因此扩大了铝多孔体的应用范围。因此，铝多孔体的伸长率优选尽可能高。铝多孔体的伸长率更优选为1.8％以上，甚至更优选为2.5％以上。根据下面描述的本发明实施方案的用于制造铝多孔体的方法，可以制造伸长率为约1.5％以上约5.0％以下的铝多孔体。
如上所述，铝多孔体的伸长率是指当铝多孔体的每单位面积的铝的涂布重量为100g/m2以上180g/m2以下、并且厚度为0.95mm以上1.05mm以下时的伸长率。通过JIS Z 2241中规定的拉伸试验测定铝多孔体的伸长率。
铝多孔体的骨架的横截面中的晶粒尺寸优选为1μm以上50μm以下。晶粒尺寸为1μm以上是优选的，这是因为铝膜变软并且铝多孔体的伸长率变为1.5％以上。另一方面，晶粒尺寸为50μm以下是优选的，这是因为可以抑制由于铝多孔体过软导致的强度降低。从上述观点看出，铝多孔体的骨架的横截面中的晶粒尺寸更优选为1.5μm以上25μm以下，还更优选为2μm以上15μm以下。
通过使用铝镀液，可以获得具有相对大的晶粒尺寸的铝多孔体。用于进一步增加晶粒尺寸的方法的例子包括：包括对铝多孔体进行热处理的方法；包括在铝多孔体的制造中提高铝镀液的液体温度的方法；以及包括降低镀覆时的电流密度的方法。
铝多孔体中的碳化铝的含量优选为0.8质量％以下。在铝多孔体中，碳化铝的含量为0.8质量％以下是优选的，这是因为铝膜变软并且铝多孔体的伸长率变为1.5％以上。铝多孔体中的碳化铝的含量更优选为0.5质量％以下，还更优选为0.3质量％以下。
当通过使用根据本发明实施方案的铝镀液制造铝多孔体时，基本上，在通过燃烧去除基材的过程中，在比形成碳化铝的温度低的温度下，铝膜中的含碳组分被除去。因此，铝多孔体中的碳化铝的含量为0质量％。然而，在通过燃烧去除基材的过程中，掺入铝膜中的含碳组分可能与铝发生反应，并且尽管含碳组分的量非常小，但是仍然可以在铝膜中形成碳化铝。此外，组分(B)可以掺入到铝膜中并且可以引起碳化铝的形成。
(铝多孔体的制造方法)
铝多孔体可以通过以下步骤制造：通过熔融盐电解电镀，在具有三维网状结构的导电性树脂成形体的表面上形成铝膜以形成树脂结构体的步骤；以及从该树脂结构体中去除导电性树脂成形体的步骤。
下面将详细描述这些步骤。
-铝膜的形成步骤-
该步骤是这样的步骤，即通过在熔融盐(即，铝镀液)中进行电解电镀而在具有三维网状结构的导电性树脂成形体的表面上形成铝膜。具有三维网状结构的导电性树脂成形体可以是通过在具有三维网状结构的树脂成形体的表面上进行导电化处理而获得的上述树脂成形体。
通过在铝镀液中形成铝膜，即使在具有复杂骨架结构的成形体(例如具有三维网状结构的导电性树脂成形体)的骨架表面上也可以均匀地形成厚度较大的铝膜。为了进行熔融盐电解电镀，使导电性树脂成形体作为阴极并使铝作为阳极，在铝镀液中施加直流电流。
铝镀液中的水分和氧的混合使镀液劣化。因此，优选在惰性气体(例如氮气或氩气)的气氛中和密封的环境中进行镀覆。
铝镀液的温度可以为15℃至110℃，优选为25℃至45℃。随着温度的降低，可以进行镀覆的电流密度范围变窄，并且变得更难以在导电性树脂成形体的骨架的整个表面上进行镀覆。通过在110℃以下的范围内进行镀覆，可以防止充当基材的导电性树脂成形体的形状受损这一问题的发生。
通过上述步骤，可以获得这样的树脂结构体：其具有由铝膜形成的表面，并且包括导电性树脂成形体作为其骨架的芯。
-导电性树脂成形体的去除步骤-
通过(例如)在氮气气氛或空气中加热至等于或大于370℃(树脂分解的温度)、优选等于或大于500℃的温度，从而对如上所述获得的树脂结构体进行热处理。因此，树脂和导电层被烧掉，从而获得了铝多孔体。在该步骤中，也可以去除掺入铝膜中的含碳组分。
实施例
下面将使用实施例对本发明进行更详细的说明。这些实施例用于说明目的，并且，例如，本发明的铝镀液并不限于此。本发明的范围是由权利要求书所限定的，并且包括权利要求书的等价形式的含义以及权利要求书范围内的所有变形。
[实施例1]
(铝镀液)
将氯化铝(AlCl3)用作组分(A)，并且将1-乙基-3-甲基氯化咪唑鎓(EMIC)用作组分(B)。将组分(A)和组分(B)混合，使得混合比为2:1(以摩尔比计)，以制备熔融盐。向熔融盐中添加作为组分(C1)的试剂二甲基二硬脂基氯化铵(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)以使其浓度为15g/L。由此得到铝镀液1。
(铝膜的形成)
使用尺寸为20mm×40mm×1.0mm的铜板作为基材。在上述制备的铝镀液1中，将铜板连接在整流器的阴极侧，将作为对电极的铝板(纯度99.99％)连接在其阳极侧，并施加电压以使铝电沉积在铜板的表面上。将铝镀液1的温度控制为45℃，并将电流密度控制为3.0A/dm2。
<铝膜的评价>
(评价方法)
通过与上述相同的方法在50块铜板的表面上形成铝膜。测量各铝膜的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)。
使用由Keyence Corporation制造的激光显微镜测量表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)。
(评价结果)
铝膜的表面的算术平均粗糙度Ra的平均值为0.11μm。
[实施例2]
<铝多孔体的制备>
(在基材表面上形成铝膜)
通过使用实施例1中制备的铝镀液1，从而在基材的表面上电沉积铝以制备树脂结构体。使用具有三维网状结构并经导电化处理的树脂成形体作为基材。使用厚度为1mm、孔隙率为95％并且每英寸的孔数(小室数)为约50的聚氨酯泡沫(100mm×30mm的方形)作为树脂成形体。通过将聚氨酯泡沫浸渍在碳悬浮液中并干燥所得的聚氨酯泡沫来进行导电化处理。该碳悬浮液包含以下组分：25％的石墨和炭黑，树脂粘合剂，渗透剂和消泡剂。炭黑的粒径为0.5μm。
将基材连接在整流器的阴极侧，将作为对电极的铝板(纯度99.99％)连接在其阳极侧。将铝镀液1的温度控制为45℃，并将电流密度控制为6.0A/dm2。搅拌铝镀液使得转速为100rpm。
(基材的去除)
当每单位面积的铝的涂布重量达到140g/m2时，从铝镀液1中取出树脂结构体。对该树脂结构体进行水洗处理，然后在空气中，在610℃下热处理20分钟。由此烧掉了基材，并得到了铝多孔体1。
<铝多孔体的评价>
(评价方法)
通过与上述相同的方法制备了15个铝多孔体1。测量各铝多孔体的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
根据JIS Z 2241进行拉伸试验来测量各铝多孔体1的伸长率。使用由Shimadzu Corporation制造的Autograph作为试验机。
通过切割各铝多孔体1，然后用Hitachi High-Technologies Corporation制造的扫描电子显微镜观察横截面，测量骨架的横截面上的铝的晶粒尺寸。
使用由Shimadzu Corporation制造的X射线衍射仪测量各铝多孔体1中所含的碳化铝的量。
(评价结果)
铝多孔体1的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.8％，最高为3.3％。伸长率的平均值为2.6％。
铝多孔体1的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.5μm。另外，铝多孔体1中所含的碳化铝的量为0.35质量％。
[实施例3]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液2，不同之处在于：将试剂十二烷基三甲基氯化铵(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(C1)，并且添加组分(C1)以使其浓度为20g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体2，不同之处在于：使用铝镀液2。测量各铝多孔体2的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体2的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.9％，最高为2.8％。伸长率的平均值为2.3％。
铝多孔体2的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3μm。另外，铝多孔体2中所含的碳化铝的量为0.34质量％。
[实施例4]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液3，不同之处在于：将试剂辛基三甲基氯化铵(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(C1)，并且添加组分(C1)以使其浓度为15g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体3，不同之处在于：使用铝镀液3。测量各铝多孔体3的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体3的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.6％，最高为3.0％。伸长率的平均值为2.5％。
铝多孔体3的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.2μm。另外，铝多孔体3中所含的碳化铝的量为0.37质量％。
[实施例5]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液4，不同之处在于：将试剂三丁基十四烷基氯化磷(由Kanto Chemical Co.,Inc.制造)用作铝镀液中的组分(C1)，并且添加组分(C1)以使其浓度为5.0g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体4，不同之处在于：使用铝镀液4。测量各铝多孔体4的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体4的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.8％，最高为3.4％。伸长率的平均值为2.8％。
铝多孔体4的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.5μm。另外，铝多孔体4中所含的碳化铝的量为0.34质量％。
[实施例6]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液5，不同之处在于：将试剂二甲基硬脂胺(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(C1)，并且添加组分(C1)以使其浓度为15g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体5，不同之处在于：使用铝镀液5。测量各铝多孔体5的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体5的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.7％，最高为2.8％。伸长率的平均值为2.2％。
铝多孔体5的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.0μm。另外，铝多孔体5中所含的碳化铝的量为0.28质量％。
[实施例7]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液6，不同之处在于：在实施例1中，添加组分(C1)以使其浓度为1.0g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体6，不同之处在于：使用铝镀液6。测量各铝多孔体6的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体6的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.5％，最高甚至为2.7％。伸长率的平均值为2.1％。
铝多孔体6的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.0μm。另外，铝多孔体6中所含的碳化铝的量为0.24质量％。
[实施例8]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液7，不同之处在于：在实施例1中，添加组分(C1)以使其浓度为45g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体7，不同之处在于：使用铝镀液7。测量各铝多孔体7的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体7的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.9％，最高甚至为3.6％。伸长率的平均值为2.7％。
铝多孔体7的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.2μm。另外，铝多孔体6中所含的碳化铝的量为0.39质量％。
[比较例1]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液A，不同之处在于：将1,10-菲咯啉一水合物用作铝镀液中的组分(C1)，并且添加组分(C1)以使其浓度为0.5g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体A，不同之处在于：使用铝镀液A。测量各铝多孔体A的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体A的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为0.6％，甚至最高才仅为1.2％。伸长率的平均值为0.8％。
铝多孔体A的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为1.0μm。另外，铝多孔体A中所含的碳化铝的量为1.2质量％。
[比较例2]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液B，不同之处在于：在实施例1中，添加组分(C1)以使其浓度为0.6g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体B，不同之处在于：使用铝镀液B。测量各铝多孔体B的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体B的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为0.5％，甚至最高才仅为1.3％。伸长率的平均值为0.7％。
铝多孔体B的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.0μm。另外，铝多孔体B中所含的碳化铝的量为0.24质量％。
[比较例3]
按照与实施例1中相同的方式得到铝镀液C，不同之处在于：在实施例1中，添加组分(C1)以使其浓度为50g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体C，不同之处在于：使用铝镀液C。测量各铝多孔体C的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体C的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为0.8％，甚至最高才仅为1.2％。伸长率的平均值为1.0％。
铝多孔体C的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为1.2μm。另外，铝多孔体C中所含的碳化铝的量为0.84质量％。
[实施例9]
制备1升实施例1中制备的铝镀液1，并且按照与实施例2中相同的方式得到铝多孔体。然后在控制3.6A的电流流动的同时，进行铝镀覆42小时。当每单位面积的铝的涂布重量达到140g/m2时，改变基材，并继续进行铝镀覆。
测量在42小时后获得的铝多孔体2'的伸长率(位移量相对于GL的比例)。按照上述相同的方法来制备20个铝多孔体2'。铝多孔体2'的伸长率最低为1.2％。甚至最高时，伸长率也降低至1.6％。伸长率的平均值达到1.3％。
将此时的铝镀液称为铝镀液1'，并通过液相色谱-质谱(LC/MS)分析铝镀液1'的成分。根据该结果，证实了作为最初包含的组分(C1)的侧链的烷基缩短，并且改变为具有碳原子数为7以下的烷基作为侧链的组分(C2)。组分(C2)的浓度为15g/L。
(铝镀液)
将作为组分(D)的硬脂酰氯(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)加入到铝镀液1'中，以使其浓度为1g/L。由此，得到铝镀液8。
<铝多孔体的制备>
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体8，不同之处在于：使用铝镀液8。测量各铝多孔体8的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体8的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为2.0％，最高为3.5％。伸长率的平均值为2.3％。
铝多孔体8的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.2μm。另外，铝多孔体8中所含的碳化铝的量为0.3质量％。
[实施例10]
按照与实施例9中相同的方式得到铝镀液9，不同之处在于：充当组分(D)的硬脂酰氯的浓度为8.3g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体9，不同之处在于：使用铝镀液9。测量各铝多孔体9的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体9的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.6％，最高为2.5％。伸长率的平均值为1.8％。
铝多孔体9的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.2μm。另外，铝多孔体9中所含的碳化铝的量为0.6质量％。
[实施例11]
按照与实施例10中相同的方式得到铝镀液10，不同之处在于：将十四烷(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(D)，并且添加组分(D)以使其浓度为1g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体10，不同之处在于：使用铝镀液10。测量各铝多孔体10的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体10的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为2.5％，最高为3.9％。伸长率的平均值为2.8％。
铝多孔体10的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.0μm。另外，铝多孔体10中所含的碳化铝的量为0.3质量％。
[实施例12]
按照与实施例10中相同的方式得到铝镀液11，不同之处在于：将癸烯(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(D)，并且添加组分(D)以使其浓度为0.8g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体11，不同之处在于：使用铝镀液11。测量各铝多孔体11的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体11的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.8％，最高为2.8％。伸长率的平均值为2.2％。
铝多孔体11的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为3.6μm。另外，铝多孔体11中所含的碳化铝的量为0.34质量％。
[实施例13]
按照与实施例10中相同的方式得到铝镀液12，不同之处在于：将二氯辛烷(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(D)，并且添加组分(D)以使其浓度为3.0g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体12，不同之处在于：使用铝镀液12。测量各铝多孔体12的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体12的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为2.1％，最高为2.8％。伸长率的平均值为2.4％。
铝多孔体12的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为6.0μm。另外，铝多孔体12中所含的碳化铝的量为0.52质量％。
[实施例14]
按照与实施例10中相同的方式得到铝镀液13，不同之处在于：将氯丙烷(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)用作铝镀液中的组分(D)，并且添加组分(D)以使其浓度为3g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体13，不同之处在于：使用铝镀液13。测量各铝多孔体13的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体13的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.7％，最高为2.9％。伸长率的平均值为2.3％。
铝多孔体13的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为12μm。另外，铝多孔体13中所含的碳化铝的量为0.46质量％。
[比较例4]
按照与实施例9中相同的方式得到铝镀液D，不同之处在于：在实施例9中，添加组分(D)以使其浓度为0.3g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体D，不同之处在于：使用铝镀液D。测量了各铝多孔体D的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体D的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为0.8％，甚至最高才仅为1.6％。伸长率的平均值为1.1％。
铝多孔体D的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为4.8μm。另外，铝多孔体D中所含的碳化铝的量为0.12质量％。
[比较例5]
按照与实施例9中相同的方式得到铝镀液E，不同之处在于：在实施例9中，添加组分(D)以使其浓度为9g/L。
按照与实施例2中相同的方式制备15个铝多孔体E，不同之处在于：使用铝镀液E。测量各铝多孔体E的伸长率、晶粒尺寸和碳化铝的含量。
(评价结果)
铝多孔体E的伸长率(位移量相对于GL的比例)最低为1.2％，甚至最高也仅为1.8％。伸长率的平均值为1.4％。
铝多孔体E的骨架的横截面上的铝的平均晶粒尺寸为0.6μm。另外，铝多孔体E中所含的碳化铝的量为2.6质量％。