半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备的制作方法

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备。

背景技术：

目前，半导体工艺中半导体工艺腔室内的气体，通常是通过与半导体工艺腔室的排气口连接的排气管路排出，在半导体工艺腔室的排气口和排气管路之间通常会设置有用于密封o型密封圈，对半导体工艺腔室的排气口和排气管路之间进行密封，不仅能够使半导体工艺过程中半导体工艺腔室内的压力能够得到较好的控制，以能够满足半导体工艺的需求，并使半导体工艺具有较好的稳定性，还可以避免例如氯化氢(hcl)和氢气(h2)等工艺气体泄漏造成安全隐患。

但是，由于某些半导体工艺的工艺温度较高，能够达到1200℃以上，像这样的高温的半导体工艺所产生的工艺气体也具有较高温度，而高温的工艺气体在经过半导体工艺腔室的排气口排入至排气管路时，会很容易就造成o型密封圈的寿命降低，甚至损坏，这就使得o型密封圈的使用可靠性降低，从而导致半导体设备的安全性降低，导致半导体工艺的稳定性降低。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，其能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备的排气装置，所述排气装置包括排气接管、排气管路、连接结构和隔热结构，其中，

所述排气接管用于与所述半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接以引流出所述工艺腔室内的气体；

所述排气管路与所述排气接管连接，用于将所述排气接管中的所述气体排出，所述排气管路的内部通道与所述排气接管的内部通道共同形成供所述气体排出的排气通道；

所述连接结构包括凸起部、配合部和环形密封圈，所述凸起部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的一个的外周壁上，所述配合部设置在所述排气管路和所述排气接管二者中的另一个的外周壁上，且所述凸起部与所述配合部对接形成叠置的两个对接面，所述环形密封圈设置在两个所述对接面之间；

所述隔热结构设置在所述环形密封圈与所述排气通道之间，用于对流经所述排气通道的所述气体向所述环形密封圈传导的热量进行阻隔。

优选的，所述隔热结构包括环形空腔，所述环形空腔设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中，且所述环形空腔相对于所述环形密封圈靠近所述排气通道。

优选的，所述环形空腔包括设置在所述凸起部和所述配合部中的至少一个中的环形凹槽，且所述环形凹槽的槽口与两个所述对接面之间连通。

优选的，所述排气装置还包括充气管路，所述充气管路与所述环形空腔连通，用于向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送惰性气体。

优选的，所述排气装置还包括压力控制组件，所述压力控制组件用于控制所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力，大于所述排气通道中的压力。

优选的，所述压力控制组件包括第一压力检测单元、第二压力检测单元和流量控制单元，其中，所述第一压力检测单元设置在所述充气管路上，用于检测所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力，所述第二压力检测单元与所述排气通道连通，用于检测所述排气通道中的压力；

所述流量控制单元设置在所述充气管路上，用于通过控制流经所述充气管路的所述惰性气体的流量，以控制所述充气管路向所述环形空腔中，以及两个所述对接面之间输送的所述惰性气体的压力。

优选的，所述压力控制组件还包括控制单元，所述控制单元分别与所述第一压力检测单元、所述第二压力检测单元和所述流量控制单元通信连接，用于获取所述第一压力检测单元检测到的第一压力值，和所述第二压力检测单元检测到的第二压力值，并计算所述第一压力值与所述第二压力值之间的压力差值，并根据所述压力差值控制所述流量控制单元对流经所述充气管路的所述惰性气体的流量进行控制。

优选的，所述连接结构还包括连接部和相对设置的两个夹持部，其中一个所述夹持部与所述凸起部背离其所述对接面的一侧面相贴合，另一个所述夹持部与所述配合部背离其所述对接面的一侧面相贴合，所述连接部与两个所述夹持部连接，用于夹紧两个所述夹持部，以对所述凸起部和所述配合部进行夹持。

优选的，所述排气装置还包括流量控制部件，所述流量控制部件与所述排气管路连接，用于控制经所述排气管路排出的所述气体的流量。

优选的，所述排气装置还包括冷却部件，所述冷却部件的进气端与所述排气管路连接，所述冷却部件的排气端与所述流量控制部件连接，用于对经所述排气管路排出的所述气体进行冷却，并将冷却后的所述气体输送至所述流量控制部件。

本发明还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和如本发明提供的所述排气装置，所述排气装置与所述工艺腔室的排气口连接，用于排出所述工艺腔室内的气体。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的半导体工艺设备的排气装置，通过在排气管路和排气接管二者中的一个的外周壁上设置凸起部，在排气管路和排气接管二者中的另一个的外周壁上设置配合部，并使凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面，由于凸起部和配合部相对于排气接管的外周壁和排气管路的外周壁远离排气通道，因此，通过将环形密封圈设置在两个对接面之间，可以使环形密封圈远离排气通道，增加环形密封圈与排气通道之间的距离，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量。并且，通过在环形密封圈与排气通道之间设置隔热结构，以借助隔热结构对流经排气通道的气体向环形密封圈传导的热量进行阻隔，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量，从而降低环形密封圈由于受热而导致损坏的概率，以能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，进而降低气体泄漏的概率，以提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

本发明提供的半导体工艺设备，借助本发明提供的半导体工艺设备的排气装置，以能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体工艺设备的排气装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的半导体工艺设备的排气装置的局部放大结构示意图；

图3为本发明实施例提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备的结构示意图；

附图标记说明：

10-工艺腔室；11-排气通道；12-排气接管；13-排气管路；14-环形密封圈；15-环形空腔；16-凸起部；17-配合部；181-连接部；182-夹持部；19-充气管路；20-第一压力检测单元；21-第二压力检测单元；22-流量控制单元；23-控制单元；24-流量控制部件；25-冷却部件；26-管路连接部件；27-加热炉体。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备进行详细描述。

本实施例提供一种半导体工艺设备的排气装置，排气装置包括排气接管、排气管路、连接结构和隔热结构，其中，排气接管用于与半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接以引流出工艺腔室内的气体；排气管路与排气接管连接，用于将排气接管中的气体排出，排气管路的内部通道与排气接管的内部通道共同形成供气体排出的排气通道；连接结构包括凸起部、配合部和环形密封圈，凸起部设置在排气管路和排气接管二者中的一个的外周壁上，配合部设置在排气管路和排气接管二者中的另一个的外周壁上，且凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面，环形密封圈设置在两个对接面之间；隔热结构设置在环形密封圈与排气通道之间，用于对流经排气通道的气体向环形密封圈传导的热量进行阻隔。

本实施例提供的半导体工艺设备的排气装置，通过在排气管路和排气接管二者中的一个的外周壁上设置凸起部，在排气管路和排气接管二者中的另一个的外周壁上设置配合部，并使凸起部与配合部对接形成叠置的两个对接面，由于凸起部和配合部相对于排气接管的外周壁和排气管路的外周壁远离排气通道，因此，通过将环形密封圈设置在两个对接面之间，可以使环形密封圈远离排气通道，增加环形密封圈与排气通道之间的距离，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量。并且，通过在环形密封圈与排气通道之间设置隔热结构，以借助隔热结构对流经排气通道的气体向环形密封圈传导的热量进行阻隔，以降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量，从而降低环形密封圈由于受热而导致损坏的概率，以能够提高环形密封圈的使用寿命，提高环形密封圈的使用可靠性，进而降低气体泄漏的概率，以提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

如图1-图3所示，本实施例提供一种半导体工艺设备的排气装置，排气装置包括排气接管12、排气管路13、连接结构和隔热结构，其中，排气接管12用于与半导体工艺设备的工艺腔室10的排气口连接以引流出工艺腔室10内的气体；排气管路13与排气接管12连接，用于将排气接管12中的气体排出，排气管路13的内部通道与排气接管12的内部通道共同形成供气体排出的排气通道11；在半导体工艺进行过程中，在进行至不同阶段时，会向半导体工艺设备的工艺腔室10内通入不同种的气体，例如在进行半导体工艺的稳压阶段时，可以向工艺腔室10内通入稳压气体，在进行半导体工艺的反应阶段时，可以向工艺腔室10内通入反应气体，在进行半导体工艺吹扫阶段时，可以向工艺腔室10内通入吹扫气体，在进行半导体工艺降温阶段时，可以向工艺腔室10内通入降温气体，这些气体在被通入至工艺腔室10内后，会通过与工艺腔室10的排气口连接的排气接管12的引流，从工艺腔室10内排出至排气接管12的内部通道中，再经过与排气接管12连接的排气管路13的内部通道排出，即，从工艺腔室10内排出的气体，会进入排气接管12的内部通道与排气管路13的内部通道共同形成的排气通道11中，并经过该排气通道11排出。

如图1和图2所示，以凸起部16设置在排气管路13的外周壁上，配合部17设置在排气接管12的外周壁上为例进行说明，凸起部16设置在排气管路13的外周壁上，并相对于排气管路13的外周壁朝远离排气通道11的方向凸出，配合部17设置在排气接管12的外周壁上，并朝远离排气通道11的方向凸出，且凸起部16与配合部17相互对接并叠置，并形成叠置的两个对接面，凸起部16与配合部17对接，以使排气管路13与排气接管12连接，环形密封圈14设置在凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间，用于对这两个对接面之间进行密封，避免经过排气通道11的气体在流经排气接管12与排气管路13的连接处时，从这两个对接面之间泄漏。

但是，凸起部16与配合部17设置方式并不以此为限，也可以是配合部17设置在排气管路13的外周壁上，凸起部16设置在排气接管12的外周壁上。

如图1-图3所示，在实际应用中，从工艺腔室10内排出的气体有时温度会很高，例如，在半导体工艺的反应阶段中，为了使工艺腔室10内的压力能够维持在工艺标准压力范围内，从工艺腔室10内排出的反应气体，或者，在半导体工艺的降温阶段初期，从工艺腔室10内排出的降温气体，这些高温气体所携带的热量在经过排气通道11时，会经过排气接管12的外周壁和排气管路13的外周壁传导至环形密封圈14，而通过将环形密封圈14设置在凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间，由于凸起部16和配合部17相对于排气接管12的外周壁和排气管路13的外周壁远离排气通道11，可以使环形密封圈14远离排气通道11，增加环形密封圈14与排气通道11之间的距离，从而降低流经排气通道11中的气体向环形密封圈14传导的热量。并且，通过在环形密封圈14与排气通道11之间设置隔热结构，以借助隔热结构对流经排气通道11的气体向环形密封圈14传导的热量进行阻隔，从而降低流经排气通道11中的气体向环形密封圈14传导的热量。

可选的，排气接管12可以通过例如焊接的方式与工艺腔室10的排气口连接。

可选的，排气接管12的制作材料可以包括采用例如石英或碳化硅等耐高温材料，以提高排气接管12在高温环境中的稳定性。

在本发明的一优选实施例中，隔热结构可以包括环形空腔，环形空腔设置在凸起部和配合部中的至少一个中，且环形空腔相对于环形密封圈靠近排气通道。

通过在凸起部和配合部中的至少一个中设置环形空腔，并使环形空腔相对于环形密封圈靠近排气通道，以使流经排气通道的气体所携带的热量，在经过排气接管的外周壁和排气管路的外周壁传导至环形密封圈的过程中，不会直接传导至环形密封圈，而是会经过环形空腔之后再传导至环形密封圈，由于空气或者真空的导热系数远远小于排气接管的外周壁和排气管路的外周壁的导热系数，因此，流经排气通道的气体所携带的热量，在经过环形空腔之后再传导至环形密封圈上的热量，与经过排气接管的外周壁和排气管路的外周壁直接传导至环形密封圈的热量相比会大大降低，也就使环形密封圈所受到的热量会大大降低，从而降低流经排气通道中的气体向环形密封圈传导的热量，实现对流经排气通道的气体向环形密封圈传导的热量的阻隔。

可选的，如图1和图2所示，环形空腔15可以仅设置在配合部17中，并相对于环形密封圈14靠近排气通道11。但是，环形空腔15的设置方式并不以此为限，环形空腔15也可以仅设置在凸起部16中，还可以既设置在配合部17中，又设置在凸起部16中，通过在配合部17和凸起部16中均设置环形空腔15，可以增加环形空腔15的面积，以提高环形空腔15对热量的阻隔效果，进一步降低流经排气通道11中的气体向环形密封圈14传导的热量。

如图1和图2所示，在本发明的一优选实施例中，环形空腔15可以包括设置在凸起部16和配合部17中的至少一个中的环形凹槽，且环形凹槽的槽口与两个对接面之间连通。

通过将环形空腔15设计为包括设置在凸起部16和配合部17中的至少一个中的环形凹槽，且使环形凹槽的槽口与两个对接面之间连通，可以使进入两个对接面之间的部分气体能够流入至环形空腔15中，而不会全部流动至设置两个对接面之间的环形密封圈14，以减少进入两个对接面之间的气体与环形密封圈14接触的量，从而能够进一步提高环形密封圈14的使用寿命，进一步提高环形密封圈14的使用可靠性，进而进一步提高半导体工艺设备的安全性，进一步提高半导体工艺的稳定性。

具体的，如图1和图2所示，当环形空腔15仅设置在配合部17中时，环形凹槽设置在配合部17中，且环形凹槽的槽口位于配合部17的与凸起部16对接形成叠置的对接面上，以使环形凹槽的槽口与凸起部16和配合部17对接形成叠置的两个对接面之间连通。进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的气体，可以通过位于配合部17的与凸起部16对接形成叠置的对接面上的环形凹槽的槽口流入至环形凹槽中，这样就可以使进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的部分气体，流入至设置在配合部17中的环形空腔15中。

但是，环形凹槽的设置方式并不以此为限，当环形空腔15仅设置在凸起部16中时，环形凹槽设置在凸起部16中，且环形凹槽的槽口位于凸起部16的与配合部17对接形成叠置的对接面上，以使环形凹槽的槽口与凸起部16和配合部17对接形成叠置的两个对接面之间连通。进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的气体，可以通过位于凸起部16的与配合部17对接形成叠置的对接面上的环形凹槽的槽口流入至环形凹槽中，这样就可以使进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的部分气体，流入至设置在凸起部16中的环形空腔15中。

当环形空腔15既设置在配合部17中，又设置在凸起部16中时，则配合部17和凸起部16中分别设置环形凹槽，即，配合部17中设置环形凹槽，凸起部16中也设置环形凹槽，且配合部17中的环形凹槽的槽口位于配合部17的与凸起部16对接形成叠置的对接面上，以使配合部17中的环形凹槽的槽口与凸起部16和配合部17对接形成叠置的两个对接面之间连通，凸起部16中的环形凹槽的槽口位于凸起部16的与配合部17对接形成叠置的对接面上，以使凸起部16中的环形凹槽的槽口与凸起部16和配合部17对接形成叠置的两个对接面之间连通。进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的气体，既可以通过位于凸起部16的与配合部17对接形成叠置的对接面上的环形凹槽的槽口流入至凸起部16的环形凹槽中，又可以通过位于配合部17的与凸起部16对接形成叠置的对接面上的环形凹槽的槽口流入至配合部17的环形凹槽中，这样就可以使进入凸起部16与配合部17对接形成叠置的两个对接面之间的部分气体，既可以流入至设置在配合部17中的环形空腔15中，又可以流入至设置在凸起部16中的环形空腔15中，通过配合部17和凸起部16中的环形空腔15中，以进一步减少进入两个对接面之间的气体与环形密封圈14接触的量，从而能够进一步提高环形密封圈14的使用寿命，进一步提高环形密封圈14的使用可靠性，进而进一步提高半导体工艺设备的安全性，进一步提高半导体工艺的稳定性。

如图1和图2所示，在本发明一优选实施例中，连接结构还可以包括连接部181和相对设置的两个夹持部182，其中一个夹持部182与凸起部16背离其对接面的一侧面贴合，另一个夹持部182与配合部17背离其对接面的一侧面贴合，连接部181与两个夹持部182连接，用于夹紧两个夹持部182，以对凸起部16和配合部17进行夹持。

具体的，通过连接部181将与其连接的相对设置的两个夹持部182夹紧，以使两个夹持部182朝相对的方向施加作用力，以通过两个夹持部182中与凸起部16背离其对接面的一侧面贴合的夹持部182，向凸起部16施加朝向配合部17的作用力，并通过两个夹持部182中与配合部17背离其对接面的一侧面贴合的夹持部182，向配合部17施加朝向凸起部16的作用力，从而将配合部17与凸起部16夹紧，将排气接管12与排气管路13连接。

如图1-图3所示，在本发明一优选实施例中，排气装置还可以包括充气管路19，充气管路19与环形空腔15连通，用于向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送惰性气体。

借助与环形空腔15连通的充气管路19，可以向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送惰性气体，由于充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的温度相对于从工艺腔室10内排出至排气通道11中的气体的温度较低，这样就可以使环形空腔15中，以及两个对接面之间保持较低的温度，以提高环形空腔15降低热量传导的稳定性，提高环形空腔15热量阻隔的稳定性。并且，由于环形空腔15与两个对接面之间连通，因此，通入至环形空腔15中的气体可以流动至两个对接面之间，以能够阻挡流入至两个对接面之间的气体，流向设置在两个对接面之间的环形密封圈14，以进一步减少进入两个对接面之间的气体与环形密封圈14接触的量，从而能够进一步提高环形密封圈14的使用寿命，进一步提高环形密封圈14的使用可靠性，进而进一步提高半导体工艺设备的安全性，进一步提高半导体工艺的稳定性。

并且，由于充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的气体是惰性气体，可以避免充气管路19输送的气体与反应气体混合发生危险，并可以避免充气管路19输送的气体经排气接管12回流至工艺腔室10中，对半导体工艺造成影响。

如图1和图2所示，可选的，可以在设置有环形空腔15的配合部17和/或凸起部16上设置通孔，并使该通孔分别与环形空腔15以及外界连通，以使充气管路19能够通过与该通孔连通，以向环形空腔15中通入气体。但是，在实际应用中，充气管路19与环形空腔15的连通方式并不限于此。

在本发明一优选实施例中，排气装置还可以包括压力控制组件，压力控制组件用于控制充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，大于排气通道11中的压力。

通过使充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体压力，大于排气通道11中的压力，可以借助两个对接面之间的惰性气体对排气通道11中朝两个对接面之间流动的气体进行阻挡，避免流经排气通道11中的气体进入至环形空腔15中，以及两个对接面之间，并且，由于可以避免气体进入两个对接面之间，因此，可以避免气体与设置在两个对接面之间的环形密封圈14接触，以进一步降低流经排气通道11中气体向环形密封圈14传导的热量，从而能够进一步提高环形密封圈14的使用寿命，进一步提高环形密封圈14的使用可靠性，进而进一步提高半导体工艺设备的安全性，进一步提高半导体工艺的稳定性。

如图1和图3所示，在本发明一实施例中，压力控制组件可以包括第一压力检测单元20、第二压力检测单元21和流量控制单元22，其中，第一压力检测单元20设置在充气管路19上，用于检测充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，第二压力检测单元21与排气通道11连通，用于检测排气通道11中的压力，流量控制单元22设置在充气管路19上，用于通过控制流经充气管路19内部的惰性气体的流量，以控制充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力。

具体的，借助第一压力检测单元20对充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力进行检测，就可以获知环形空腔15中，以及两个对接面之间通入的气体的压力，借助第二压力对排气通道11中的压力进行检测，就可以获知流经排气通道11中的气体的压力。当充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，小于或等于流经排气通道11中的气体的压力时，可以借助流量控制单元22控制流经充气管路19的惰性气体的流量增大，以使充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力增大，使环形空腔15中，以及两个对接面之间的气体的压力，大于流经排气通道11中的气体的压力，以避免流经排气通道11中的气体进入至环形空腔15中，以及两个对接面之间。当充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，大于流经排气通道11中的气体的压力时，则可以无需要使用流量控制单元22控制流经充气管路19的惰性气体的流量。

可选的，流量控制单元22可以采用流量计。

如图1和图3所示，在本发明一优选实施例中，压力控制组件还可以包括控制单元23，控制单元23分别与第一压力检测单元20、第二压力检测单元21和流量控制单元22通信连接，用于获取第一压力检测单元20检测到的第一压力值，和第二压力检测单元21检测到的第二压力值，并计算第一压力值与第二压力值之间的压力差值，并根据压力差值控制流量控制单元22对流经充气管路19的惰性气体的流量进行控制。

借助控制单元23可以实现充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力的自动控制，以能够及时快捷的通过控制流量控制单元22对充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力进行控制，从而提高排气装置的稳定性。

具体的，控制单元23在获取第一压力检测单元20检测到的第一压力值，即，第一压力检测单元20检测到的充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，和第二压力检测单元21检测到的第二压力值，即，第二压力检测单元21检测到的排气通道11中的压力后，计算第一压力值与第二压力值之间的压力差值。若压力差值大于零，则表示充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，大于排气通道11中的压力，则控制单元23可以无需使用流量控制单元22控制流经充气管路19的惰性气体的流量。若压力差值小于或等于零，则表示充气管路19向环形空腔15中，以及两个对接面之间输送的惰性气体的压力，小于或等于排气通道11中的压力，则控制单元23可以控制流量控制单元22使流经充气管路19的惰性气体的流量增大，使环形空腔15中，以及两个对接面之间的气体的压力，大于排气通道11中的气体的压力。

如图1和图3所示，在本发明一优选实施例中，排气装置还可以包括流量控制部件24，流量控制部件24与排气管路13连接，用于控制经排气管路13排出的气体的流量。

借助流量控制部件24控制经排气管路13排出的气体的流量，以能够在半导体工艺过程中对从工艺腔室10内排出的气体的流量进行控制，从而可以在半导体工艺过程中对工艺腔室10内的压力进行控制，使工艺腔室10内的压力维持在半导体工艺的标准压力范围内，从而提高半导体工艺的稳定性。

具体的，在半导体工艺过程中，若工艺腔室10内的压力低于标准压力范围，则可以借助流量控制部件24减少经排气管路13排出的气体的流量，以减少从工艺腔室10内排出的气体的流量，从而提高工艺腔室10内的压力，若工艺腔室10内的压力高于标准压力范围，则可以借助流量控制部件24增加经排气管路13排出的气体的流量，以增加从工艺腔室10内排出的气体的流量，从而降低工艺腔室10内的压力。

如图1和图3所示，在本发明一优选实施例中，排气装置还可以包括冷却部件25，冷却部件25的进气端与排气管路13连接，冷却部件25的排气端与流量控制部件24连接，用于对经排气管路13排出的气体进行冷却，并将冷却后的气体输送至流量控制部件24。

具体的，自排气管路13排出的气体会先经过冷却部件25的进气端进入至冷却部件25中，气体经过冷却部件25的冷却后，再经过冷却部件25的排气端流向流量控制部件24。借助冷却部件25对经排气管路13排出的气体进行冷却后，再将冷却后的气体输送至流量控制部件24，使流向流量控制部件24的气体的温度降低，从而避免由于高温造成流量控制部件24的损坏，从而提高排气装置的使用寿命以及可靠性。

如图1所示，可选的，排气管路13与冷却部件25可以通过管路连接部件26连接。

如图1和图3所示，可选的，第二压力检测单元21可以与冷却部件25的排气端连接，以避免由于气体的高温造成第二压力检测单元21的损坏，从而提高排气装置的使用寿命以及可靠性。

第二压力检测单元21通过检测冷却部件25的排气端所排出的气体的压力，来检测排气通道11中的气体的压力，由于经过冷却部件25冷却后的气体的压力相对于排气管路13中的高温的气体较低，因此，还需要在控制单元23中预设压力补偿值，控制单元23将第二压力检测单元21检测到第二压力值与压力补偿值相加，从而得到排气通道11中的高温气体的压力值，以使控制单元23能够获得更加准确的排气通道11中的压力值。

如图3所示，作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室10和如本发明实施例提供的排气装置，排气装置与工艺腔室10的排气口连接，用于排出工艺腔室10内的气体。

本实施例提供的半导体工艺设备，借助本实施例提供的半导体工艺设备的排气装置，以能够提高环形密封圈14的使用寿命，提高环形密封圈14的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

在本实施例中，半导体工艺设备可以是立式反应炉，立式反应炉在工艺腔室10外还设置有加热炉体27，以在半导体工艺过程中对工艺腔室10进行加热。但是，在实际应用中，本实施例提供的半导体工艺设备并不限于此。

综上所述，本发明实施例提供的半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，能够提高环形密封圈14的使用寿命，提高环形密封圈14的使用可靠性，从而提高半导体工艺设备的安全性，提高半导体工艺的稳定性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。