硅压阻式气压传感器的制作方法

文档序号:10535阅读:333来源:国知局
专利名称:硅压阻式气压传感器的制作方法
本实用新型涉及一种改进的硅压阻式气压传感器,特别使用于地下电缆保护气压的测量及非腐蚀气体、液体压强的测量。
现有的硅压阻式传感器,结构复杂,成本高。
本实用新型的任务是提供一种成本低,结构简单,能够方便测量气体、液体压强的硅压阻式气压传感器。
本实用新型的任务是以如下方式完成的;由管帽、可伐基座、外引线、引压管、扩散电阻、硅杯芯片、硅垫片组成的硅压阻式气压传感器。其特征是硅杯芯片的弹性膜外层制作有扩散电阻组成的电桥,硅垫片垫在硅杯芯片底部与可伐基座的引压气孔、重叠粘接,形成气压空腔,硅杯芯片旁有一参考压强孔,参考压强孔的孔口粘有橡胶膜,扩散电阻的内压点与外引线端点连接,将硅杯芯片,参考压强孔用管帽封装。
以下结合附图作进一步的说明图1是扩散电阻组成电桥的示意图,扩散电阻1、2、3、4内接点5、6、7、8、9、10用半导体制作工艺在硅杯芯片弹性膜外层制作成的。
图2是硅杯芯片的剖示图、弹性膜1、扩散电阻2图3是硅杯芯片的仰视图图4是硅垫片的正视图(左视、右视、后视与正视图相同)图5是硅垫片的俯视图(与仰视图相同)图6是硅压阻式气压传感器剖视图、硅杯芯片1、硅垫片2可代基座3、引线管4、外引线5、内引线端点6、外引线端点7内压点与外端点连线8、管帽9图7是硅压阻式气压传感器仰视图,外引线1、2、3、4、5、6、7,引压气孔8,参考压强孔9,可代基座10,固定螺栓孔1权利要求
1.一种由管帽、可代基座、外引线、引压管、扩散电阻、硅杯芯片、硅垫片组成的硅压阻式气压传感器,其特征是硅杯芯片的弹性膜外层制作有扩散电阻组成的电桥,硅垫片垫在硅杯芯片底部与可代基座的引压气孔,重叠粘接,形成气压空腔,硅杯芯片旁有一参考压强孔,参考压强孔的孔口粘有橡胶膜、扩散电阻的内压点与外引线端点连接,将硅杯芯片,参考压强孔用管帽封装。
专利摘要
一种由管帽、可代基座、外引线,引压管、扩散电阻、硅杯芯片、硅垫片组成的硅压阻式气压传感器、结构简单,成本低,适用于地下电缆保护气压的测量及非腐蚀气体、液体压强的测量。
文档编号G01L9/00GK87209309SQ87209309
公开日1988年5月18日 申请日期1987年6月20日
发明者王冬梅 申请人:北京半导体器件十厂导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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