专利名称：测试电路和测试方法
技术领域：
本发明涉及测试电路和测试方法，具体而言，涉及用于串行数据 传输的测试电路以及用于该测试电路的测试方法。
背景技术：
数据通过利用包括传输电路和接收机电路的通信系统在计算机系 统中传输。近几年，极大的数据传输对高速接口提出了需求。高速信
号传输通过使用低电压差分信号(LVDS)技术得以实现，该技术利用 电流进行信号传输，但是在LVDS技术中的电流消耗量一直不少。移动 终端需要减少功率消耗。因此，所有元件，包括高速传输电路在内， 需要减少功率消耗。
在蜂窝移动电话中，显示数据在内部电路和显示面板之间传输。 从设计的观点而言，在壳体和显示面板之间的铰链部件较窄，而且， 需要减少数据传输线路的数目。解决这个难题的一种技术是移动 CMADS(电流模式高级差分信号)，并且CMADS是商标。移动CMADS (下文縮写为"MCMADS")是高速串行接口标准，用于将显示数据 传输至显示面板，如移动终端的LCD。传输时钟信号在诸如MCMADS 的串行传输中是高频率的。因此，在开发期间，从评估和产品设计的 观点来看，需要有效率且精确地执行测试的方法。
结合上述描述，在日本专利申请公开(JP-A-Heisei9-167828)中
公开了一种半导体集成电路。在这项现有技术中，在正常操作模式中， 电力的供应是基于输出电路中的输出电路电源/测试信号输入探针 OVDD/TIN，正常操作模式中测试模式输入探针是低状态。相反，在测 试模式中，输出电路电源/测试信号输入探针OVDD/TIN用于将测试信
号输入至的内部电路，测试模式中的测试模式输入探针是高状态。在 测试模式中，输出电路中的输出缓冲为开漏晶体管系统，因此，将信 号输出至半导体集成电路的外部不需要任何电源来驱动。
曰本专利申请(JP-P2002-156425A)中也公开了IC操作模式设置 方法。在这项现有技术中，由IC (即，半导体集成电路)的CPU驱动的 具有开漏的输出FET的漏极，连接到用于显示在IC上内部数据的LED的 显示输出端口。此外，使用输入/输出端口，以允许CPU通过缓冲电路 监控在端口的电压Vds。另外，外部开关被设置在IC的外部单元中，以 在LED端口和接地之间闭合或断开。在IC的电源重置后并且正常操作开 始前，通过在外部单元中的ON/OFF控制器A，以与将要设置数据相对 应的次数接通或断开开关。
这里，上面两种传统技术与MCMADS的唯一相似之处是，在测试 中使用N沟道开漏晶体管，但是目标是减少在测试中使用的探针的数
发明内容
因此，本发明的目的是提供用于测试MCMADS数据传输的测试电 路以及测试方法。
在本发明的第一方面中，一种测试电路包括具有开漏的第一N沟道 晶体管，连接到测试目标集成电路中的接收机，并且配置成响应于第 一电压驱动信号生成第一振幅电压信号；以及具有开漏的第二N沟道晶 体管，连接到测试目标集成电路中的接收机，并且配置成响应于与第 一电压驱动信号互补的第二电压驱动信号生成第二振幅电压信号。
本发明的第二方面中， 一种通过测试器的测试目标集成电路的测 试方法通过生成互补的第一和第二电压驱动信号；并且通过分别使用 具有开漏的第一和第二N沟道晶体管，响应于第一和第二电压驱动信号
生成第一和第二振幅电压信号来实现。
将N沟道开漏晶体管安装在测试卡上，并且在MCMADS测试中连 接到MCMADS接收机。此外，通过使用来自测试器的电压输出，互补 地驱动N沟道开漏晶体管。以这种方式，通过实现与MCMADS传输系 统的实际操作中的电流驱动相同的测试环境，能够容易地对MCMADS 接收机电路进行高精确性的测试。
从以下结合附图的对特定实施方式的描述，本发明的上述及其他 目的、优点及特征将变得更加明显，其中 图1是示出了数据传输电路的电路图； 图2是示出LVDS测试技术的结构图； 图3是示意性示出了 MCMADS传输系统的结构图； 图4是示出了根据本发明第一实施方式的测试电路的结构图； 图5A至图5E是示出了根据本发明的波形的图示；以及 图6是示出了根据本发明的第二实施方式的测试电路的结构图。
具体实施例方式
在下文中将结合附图对本发明的测试电路进行详细地描述。
图1是示出了相当于MCMADS的作为高速发射机的低电压差分信 号(LVDS)技术中的测试电路的电路结构的电路图。参考图l， LVDS 技术中的传输电路包括发射机(Tx) IO和接收机(Rx) 20。而且，发 射机(Tx) IO和接收机(Rx) 20通过用于信号INP和INN的传输信道对 30互相连接。传输信道对30包括传输信道INP31和传输信道INN32。传 输信道INP31用于信号INP，以及传输信道INN32用于信号INN。这里， 发射机(Tx) IO设置有开关SWI 11、 SW2 12、 SW3 13和SW4 14，电 源电压VDD 15以及恒流源(Io) 16、 17、 18及19。开关(SW1) ll和(SW3) 13以串联方式连接，开关(SW2) 12 和(SW4) 14以串联方式连接。电压从VDD 15施加到开关(SW1) 11 和(SW2) 12，并且开关(SW3) 13和(SW4) 14连接到地，即，被接 地。此时，恒流源(Io) 16插入在电源电压VDD 15和开关(SW1) 11 之间，恒流源(Io) 17插入在电源电压VDD 15和开关(SW2) 12之间， 恒流源Go) 18插入在开关(SW3) 13和地之间，以及恒流源(Io) 19 插入在开关(SW4) 14和地之间。需要注意的是，传输信道INP31被连 接到开关(SW1) 11和开关(SW3) 13之间的节点al，并且传输信道INN 32被连接到开关(SW2) 12和开关(SW4) 14之间的节点a2。
接收机(Rx) 20设置有电阻(Ro) 21和比较器(CMP) 22。电阻 (Ro) 21是端接电阻，并且插入在连接传输信道INP 31的节点M以及 连接传输信道INN32的节点b2之间。比较器(CMP) 22的正输入(+ ) 通过节点bl连接到传输信道INP31，并且比较器(CMP)22的负输入(-) 通过节点b2连接到传输信道INN 32。
图2是示出LVDS技术中的接收机(Rx)的测试方法的图示。图2 所示的LVDS技术中的传输电路设置有测试器40、测试卡50以及作为测 试目标的半导体集成电路的IC 60。测试器40包括第一缓冲器41和第二 缓冲器42。第一缓冲器41输出信号INP至测试卡50，并且第二缓冲器42 输出信号INN至测试卡50。测试卡50接收信号INP和信号INN，并将它 们输出至测试目标60。此处，测试目标60代表图1所示的接收机(Rx) 20。
如图1和图2所示，在LVDS技术中的传输电路将传输信道对用于信 号INP和INN。此处，发射机(Tx)是驱动电流供应源，而接收机(Rx) 是差分电压检测电路。换句话说，驱动电流供应源和差分电压检测电 路分别分配于发射机(Tx) IO和接收机(Rx) 20。在这种情况下，大 约IOO mV的小振幅电压信号在传输信道INP 31和传输信道INN 32上生 成。因此，如图2所示，利用通过从测试器40直接向传输信道提供差分电压信号的信号检测，接收机(Rx) 20能够被测试。在图2中，从测试 器40的驱动器输出的信号INP和INN，通过测试卡50直接提供至测试目 标60中。相应地，测试器40需要对信号INP和INN施加小振幅电压信号。
图3示出了MCMADS的电路结构。图3所示的MCMADS包括发射 机(Tx) 70和接收机(Rx) 80。另夕卜，发射机(Tx) 70和接收机(Rx) 80通过传输信道对90互相连接。传输信道对90包括传输信道INP91和传 输信道INN92。传输信道INP91用于信号INP，并且传输信道INN 92用 于信号INN。
此处，发射机(Tx) 70设置有N沟道幵漏晶体管71和另一个N沟道 开漏晶体管72。接收机(Rx) 80设置有电阻(Ro) 81、电源VDD 82、 恒流源(Io) 83和84以及电压放大电路85。电阻(Ro) 81是端接电阻， 并且插入在连接到传输信道INP 91的节点cl和连接到传输信道INN 92 的节点c2之间。电源VDD 82连接到恒流源(Io) 83和84中的每一个以 及电压放大电路85。节点c3设置在电源VDD82和恒流源(Io) 83之间， 并且节点d4连接到节点c3。恒流源(Io) 84以及电压放大电路85都连接 到节点c4。恒流源(Io) 83连接到与节点cl连接的节点c5。恒流源(Io) 84连接到与节点c2连接的节点c6。电压放大电路85连接到节点c5和c6， 并且放大信号INN和INP，以输出信号OUT。
与LVDS相似，MCMADS传输电路将传输信道对用于信号INP和 INN。然而，与图1所示的LVDS不同，驱动电流源和差分电压检测(放 大)电路均设置在接收机(Rx) 20内部。结果，接收机(Rx) 80具有 检测在传输信道上的振幅电压和差分电压的两种功能，但是与LVDS技 术不同，不能直接从测试器100接收电压信号。在以这种方法测试 MCMADS的情况下，驱动电流源是在测试器100的一侧，这与实际操作 不同。也就是说，在实际操作中，通过电流从接收机(Rx) 80侧流至 发射机(Tx) IO侧，电压波形在传输信道上生成。然而，在上述的测 试中，通过从发射机(Tx) IO侧供给电流，电压波形在传输信道上形成。以这种方式，接收机(Rx) 80可以比在实际操作中更流畅地操作。
图4示出了根据本发明第一实施方式的测试电路。图4所示的 MCMADS设置有测试器IOO、测试卡200以及将要测试的测试目标(半 导体集成电路)300。测试器100将信号IN1和IN2供给至测试卡200中。 测试卡200将信号INP和INN供给至测试目标300中。此处，测试器IOO 包括第一缓冲器101和第二缓冲器102。第一缓冲器101输出信号IN1， 并且第二缓冲器102输出信号IN2。测试卡200设置有外部附加IC 210。 外部附加IC 210包括N沟道开漏晶体管(Trl) 211和N沟道开漏晶体管 (Tr2) 212。 N沟道开漏晶体管(Trl ) 211接收信号IN1并输出信号INP。 相反，N沟道开漏晶体管(Tr2) 212接收信号IN2并输出信号INN。此
处，测试卡代表在测试作为半导体集成电路的测试目标中使用的工具。 测试卡具有探针，该探针用于与半导体集成电路的各个衬垫建立接触，
以便将从测试器输出的测试信号施加于半导体集成电路的衬垫。
应该注意的是，图3所示的发射机(Rx) 70可以用作外部附加IC 210。在这种情况下，N沟道开漏晶体管(Trl) 71对应于N沟道开漏晶 体管(Trl) 211，而N沟道开漏晶体管(Trl) 72对应于N沟道开漏晶体 管(Trl) 212。另外，如果测试目标300包括图3所示的接收机(Rx) 80，那么图3所示的电路结构按其原样被包括在图4所示的电路结构中。
在图4中，从测试器100中输出的电压驱动信号IN1和IN2由附连在 测试卡200上的外部附加IC 210接收。外部附加IC 210具有N沟道开漏晶 体管。差分传输需要一对N沟道开漏晶体管。外部附加IC210有必要包 括一对N沟道开漏晶体管，以便防止N沟道开漏晶体管之间的任何差异。 从测试器100输出的电压信号IN1和IN2驱动在外部附加IC 210中的N沟 道开漏晶体管，以通过接通或断开测试目标300中MCMADS接收机的输 入端和地之间的通路，生成信号INP和INN。应该注意的是，信号INP 和INN通常是在MCMADS中的传输信道对上的大约100mV的小振幅电 压信号。小振幅电压信号由与将要从接收侧上的测试目标300所供给的
电流一起生成。因为N沟道开漏晶体管被配置在MCMADS的传输侧上， 外部附加IC 210用作发射机。结果，能够在与MCMADS的实际操作相 同的操作条件下实现测试，而且从测试器100供给的输入信号IN1和IN2 是处于CMOS电平。因此，即使测试器100不能输出100mV的小振幅电 压，仍可没有任何困难地执行测试。
图5A至图5E是示出在图4所示的测试时间的波形图的图示。此处， 图5A示出了信号IN1的波形；图5B示出了信号IN2的波形；图5C示出了 信号INP的波形；图5D示出了信号INN的波形；图5E示出了信号OUT的波形。
从测试器100输出的信号IN1和IN2是互补的，即，信号IN1处于高 电平(VIH等于电源电压VDD)，同时信号IN2处于低电平(VIL等于 OV的地电压)；并且信号IN1处于低电平，同时信号IN2处于高电平。
当信号IN1处于高电平中而信号IN2处于低电平中时，外部附加IC 210的N沟道开漏晶体管(Trl)211被导通，相反，N沟道开漏晶体管(Tr2) 212被关断。因此，从图3所示的电流源的全部2XIo的电流流入N沟道 开漏晶体管(Trl) 211，从而传输信道INP变成VM，而传输信道INN 变成RoXIo + VM。在恒量电流Io流过图3所示的MCMADS接收机80中 的电阻Ro时，电压RoXIo被生成。此处，电压VM意味着在传输信道INP 或者INN上的低电平，并且在高电平上的电压比低电平上的电压高出Ro XIo。响应于信号INP和INN生成的差分电压信号在图3所示的电压放大 电路S5中被放大，并且然后高电平信号(电源电压VDD)作为信号OUT 被输出，如图5E所示。
当信号IN1处于低电平中而信号IN2处于高电平中时，在外部IC 210中的N沟道开漏晶体管(Trl)211被关断，而N沟道开漏晶体管(Tr2) 212被导通。因此，图3所示的电流源中的全部2XIo的电流2XIo流入N 沟道开漏晶体管(Tr2) 212，从而传输信道INP变成RoXIo + VM而传
输信道INN变成VM。响应于信号INP和INN生成的差分电压信号在图3 所示的电压放大电路85中被放大，并且随后低电平信号(0V)作为信 号OUT被输出，如图5E所示。
在该测试中，输入信号IN1和IN2与输出信号0UT相对应，并且检
査信号是否被正确传输。
接下来，将结合图6描述根据本发明的第二实施方式的测试电路。 如图6所示的MCMADS设置有测试器100、测试卡200以及测试目标(半 导体集成电路)300。测试器100将信号INP和INN供给至测试卡200。测 试卡200接收信号IN1和IN2并且将信号INP和INN供给至测试目标300。 此处，测试器100包括第一缓冲器101和第二缓冲器102。第一缓冲器IOI 输出信号IN1，并且第二缓冲器102输出信号IN2。测试目标300包括N 沟道开漏晶体管(Trl) 301、 N沟道开漏晶体管(Tr2) 302以及接收机 (Rx)303。N沟道开漏晶体管(Trl)301接收信号INl并且输出信号INP。 而且，N沟道开漏晶体管(Tr2) 302接收信号IN2并且输出信号INN。 另外，信号INP和INN由接收机(Rx) 303经由测试卡200接收。此处， 信号INP和INN穿过测试卡200由接收机(Rx) 303接收。在这种情况下， 为了检测信号INP和INN的电压，优选的是信号INP和INN—旦穿过测试 卡200之后，应该由接收机(Rx) 303接收。
应该注意的是，测试目标300可以包括图3所示的发射机(Tx) 70 和接收机(Rx) 80。在这种情况下，图3所示的N沟道开漏晶体管71对 应于N沟道开漏晶体管(Trl) 301;图3所示的N沟道开漏晶体管72对应 于N沟道开漏晶体管(Tr2) 302;并且图3所示的接收机(Rx) 80对应 于接收机(Rx) 303。换句话说，图6所示的电路结构可以按其原样包 含图3所示的电路结构。
在图6中，对应于图4所示的传输侧的N沟道开漏晶体管(即，外部 附加IC 210)包含在测试目标300中。因此，N沟道开漏晶体管不需要
安装在测试卡200上。如图4中，在该测试中，从测试器100输出的信号 IN1和IN2是互补的，艮卩，信号IN1处于高电平(VIH等于电源电压VDD) 同时信号IN2处于低电平(VIL等于OV的接地)，并且信号IN1处于低 电平同时信号IN2处于高电平。
本发明涉及MCMADS中的接收机(Rx)的测试技术。该测试技术 在交付安装有MCMADS的接收机(Rx)的产品方面是需要的。如果在 产品交付时执行根据本发明的测试技术，那么测试精确度提高的幅度 大于没有执行根据本发明的测试技术的情况。因此，优选的是在精确 测试中执行根据本发明的测试。
本发明将被进一步描述。在通信装置的输入电路的测试方法中， 该通信装置设置有用于将作为输出电路将输出终端连接至接地的开 关，以及作为输入电路的用于电流驱动输入端的电路。在通用测试电 路(即，LST测试器)中，独立于通用测试电路所设置的开关被用作连 接输入电路的测试输出电路。同样，补充传输信号也被接通或者断开。 开关可设置在将要测试的设备中。以这种方式，通过连接外部对晶体 管(即，N沟道开漏晶体管)至测试卡并且转换振幅电压，测试基本上 在实际操作中被执行。
虽然上面已经结合其数个实施方式对本发明进行了描述，但是本 领域的技术人员应该清楚，提供这些实施方式仅为了示出本发明，而 不应该理解为对权利要求的限制。
权利要求
1.一种测试电路，包括具有开漏的第一N沟道晶体管，连接到测试目标集成电路中的接收机，并且配置成响应于第一电压驱动信号生成第一振幅电压信号；以及具有开漏的第二N沟道晶体管，连接到所述测试目标集成电路中的所述接收机，并且配置成响应于与所述第一电压驱动信号互补的第二电压驱动信号生成第二振幅电压信号。
2. 根据权利要求l所述的测试电路，其中，基于来自所述测试目 标集成电路中的所述接收机的驱动电流，生成所述第一和第二振幅电 压信号。
3. 根据权利要求2所述的测试电路，其中，所述接收机包括电压 放大电路，所述电压放大电路配置成放大所述第一和第二振幅电压信 号之间的差分电压信号。
4. 根据权利要求3所述的测试电路，其中，当所述第一电压驱动 信号为第一电平并且所述第二电压驱动信号为第二电平时，所述电压 放大电路输出具有所述第一电平的信号。
5. 根据权利要求l所述的测试电路，其中，所述第一和第二振幅 电压信号之一是100mV的振幅信号。
6. 根据权利要求2至5的任一项所述的测试电路，其中，所述第 一和第二 N沟道晶体管被设置在所述测试目标集成电路中。
7. 根据权利要求2至5的任一项所述的测试电路，其中，所述第 一和第二N沟道晶体管被设置在外部附加于测试卡的电路中。
8. 根据权利要求l所述的测试电路，其中，所述第一和第二电压 驱动信号提供自测试器。
9. 一种通过测试器的测试目标集成电路的测试方法，包括 生成互补的第一和第二电压驱动信号；以及通过分别使用具有开漏的第一和第二N沟道晶体管，响应于所述 第一和第二电压驱动信号生成第一和第二振幅电压信号。
10. 根据权利要求9所述的测试方法，其中，所述第一和第二振 幅电压信号的生成包括基于提供自所述测试目标集成电路中的接收机的驱动电流，生成 所述第一和第二振幅电压信号。
11. 根据权利要求IO所述的测试方法，还包括通过放大所述第一和第二振幅电压信号之间的差分电压信号，生 成测试输出信号。
12. 根据权利要求11的所述测试方法，其中，所述生成测试输出 信号包括当所述第一电压驱动信号为所述第一电平并且所述第二电压驱动 信号为第二电平时，生成具有第一电平的所述测试输出信号。
13. 根据权利要求9至12的任一项所述的测试方法，其中，所述 生成第一和第二电压驱动信号包括在所述测试器中，生成所述第一和第二电压驱动信号；以及所述生成第一和第二振幅电压信号包括-在测试卡中生成所述第一和第二振幅电压信号，以提供至所述测 试目标集成电路。
14. 根据权利要求9至12中任一项所述的测试方法，其中，所述生成第一和第二电压驱动信号包括在所述测试器中，生成所述第一和第二电压驱动信号；以及 所述生成第一和第二振幅电压信号包括在所述测试目标集成电路中生成所述第一和第二振幅电压信号， 以通过测试卡提供至所述测试目标集成电路。
15.根据权利要求9所述的测试方法，其中，所述第一和第二电 压驱动信号提供自测试器。
全文摘要
在测试电路中，具有开漏的第一N沟道晶体管被连接到测试目标集成电路中的接收机，并且配置成响应于第一电压驱动信号生成第一振幅电压信号。具有开漏的第二N沟道晶体管连接到测试目标集成电路中的接收机，并且配置成响应于与第一电压驱动信号互补的第二电压驱动信号生成第二振幅电压信号。
文档编号G01R31/28GK101339226SQ20081013572
公开日2009年1月7日 申请日期2008年7月3日 优先权日2007年7月3日
发明者佐伯穣 申请人:恩益禧电子股份有限公司