专利名称：针尖结构及针尖成型方法
技术领域：
本发明涉及一种微接触结构(microcontact)，具体地说，是一种针尖结 构及针尖成型方法。
背景技术：
微接触结构应用于晶圆探针卡(probe card)及集成电路(IC)测试，作为 组件与组件之间的暂时性电性连接。例如Gleason等人的美国专利第 6256882号曾描述一种已知的探针头，在光阻定义的孔洞中电镀金属形成 针尖。不过这种完全电铸成型的方法制作的针尖结构细长不稳，而且针尖 底部截面积小，界面接着力差，在长时间往复接触待测物时容易因为侧向 剪力而脱落。Mathieu等人的美国专利第66791176号提出一种针尖制作方 法，虽然可以直接在针体上制作针尖，而且针尖具有较大面积的底部增加 接着力，但是仍有无法克服的困难。为了更清楚说明，图l描述此类直接 蚀刻金属成型的过程。首先在光阻10定义的孔洞中电镀金属12，接着在 金属12的中央处覆盖遮蔽层14，然后以化学液从金属12的外环进行等向 性蚀刻形成曲面16，因而在金属12的中央处形成针尖18。这种单纯等向 性金属蚀刻的控制困难，针尖18的形状大小完全取决于蚀刻速度，尤其 是从多方向产生的蚀刻变异加工，造成针尖形状一致性控制困难。此外， 由于化学蚀刻具有等向性，要达到一定针尖高度(蚀刻深度)，例如20微米 (ym)，其侧向也被蚀刻相同距离，因此对于针间距产生局限，无法满足市 场上对针间距密度越来越高的需求。Kim等人的美国专利第7273812号先 以电铸及蚀刻制程制作针尖模具(mold)，利用单晶晶格面控制针尖模具蚀 刻，达到针尖形状一致性控制，然后电铸翻模制成金属针尖，再将所述针 尖转换及焊接到针体上。这种翻模铸造再接合组装的方法，其针尖与针臂是一体成形，而且焊接接着强度高，无界面附着性的疑虑，但是机械加工 及定位的精度较差，焊接点需要足够的面积提供接合力，因此也同样限制了细针间距(fme pitch)方面的应用。因此已知的针尖结构及针尖成型方法存在着上述种种不便和问题。发明内容本发明的目的，在于提出一种结构强固、定位精度高且针距小的针尖 结构。本发明的另一目的，在于提出一种结构强固、定位精度高且针距小的 针尖成型方法。为实现上述目的，本发明的技术解决方案是一种针尖结构，包括一块体，所述块体含有一基座部分和从所述基座 部分的一边缘凸出的一鼻端，所述鼻端上具有一接触点，其中，所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基座部分的投影截面积宽度大 于在所述接触点的投影截面积宽度。本发明的针尖结构还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的针尖结构，其中所述块体上具有一曲面，所述曲面从所述接触 点延伸至所述基座部分。前述的针尖结构，其中所述块体在所述基座部分的高度小于在所述接 触点的高度。前述的针尖结构，其中所述块体是导电物。前述的针尖结构，其中所述导电物包括金属。前述的针尖结构，其中所述金属包括镍合金。前述的针尖结构，其中还包括一表层强化层包覆所述接触点。前述的针尖结构，其中所述表层强化层包括金钴、白金、铑、钯、钯 钴合金、钨、钨合金及奈米导电材料中的一种或多种。前述的针尖结构，其中所述接触点位于所述鼻端的末端上。一种针尖成型方法，其特征在于包括下列步骤 步骤A:提供一具有一孔洞的牺牲层；步骤B:以所述牺牲层为模具形成一块体在所述孔洞中，所述块体含 有一基座部分和从所述基座部分的一边缘凸出的一鼻端；步骤C:形成一遮蔽层覆盖所述块体的第一表面，所述遮蔽层具有一 开口暴露所述块体的第二表面；步骤D:从所述开口部分蚀刻所述块体，使所述鼻端上形成一接触点； 步骤E:移除所述遮蔽层； 步骤F:移除所述牺牲层。本发明的针尖成型方法还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的针尖成型方法，其中所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基 座部分的宽度大于在所述鼻端的宽度。前述的针尖成型方法，其中所述步骤A包括以微影制程形成所述具有 所述孔洞的牺牲层。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B所形成的所述块体具有复数个 鼻端。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B包括以电铸法沉积一金属层填 充在所述孔洞中。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B包括以物理金属沉积法沉积一金属层填充在所述孔洞中。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B包括以化学镀沉积一金属层填充在所述孔洞中。前述的针尖成型方法，其中所述步骤D包括等向性或非等向性蚀刻所 述块体。前述的针尖成型方法，其中还包括在所述步骤D以前部分蚀刻所述牺 牲层达一预定深度。前述的针尖成型方法，其中所述部分蚀刻所述牺牲层的步骤包括非等 向性蚀刻。前述的针尖成型方法，其中还包括在所述步骤E以后形成一表层强化 层包覆所述接触点。前述的针尖成型方法，其中更包括在所述步骤F以后形成一表层强化层包覆所述接触点。一种针尖成型方法，其特征在于包括下列步骤 步骤A:提供一具有一孔洞的牺牲层； 步骤B:在所述孔洞中形成一块体；步骤C:形成一遮蔽层覆盖在所述块体和所述牺牲层上，所述遮蔽层 具有一开口暴露所述块体的一部分表面和所述牺牲层的一部分表面；步骤D:从所述开口部分蚀刻所述牺牲层达一预定深度； 步骤E:从所述开口部分蚀刻所述块体，使所述块体在所述遮蔽层下 方形成一接触点；步骤F:移除所述遮蔽层； 步骤G:移除所述牺牲层。本发明的针尖成型方法还可以采用以下的技术措施来进一步实现。 前述的针尖成型方法，其中所述步骤A包括以微影制程形成所述具备 孔洞的牺牲层。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B所形成的所述块体具有复数个 鼻端。前述的针尖成型方法，其中所述步骤B包括电铸、化学沉积或以物理金属沉积法沉积一金属层填充在所述孔洞中。前述的针尖成型方法，其中所述步骤D包括非等向性蚀刻。 前述的针尖成型方法，其中所述步骤E包括等向性或非等向性蚀刻。 前述的针尖成型方法，其中还包括在所述步骤F以后形成一表层强化层包覆所述接触点。前述的针尖成型方法，其中更包括在所述步骤G以后形成一表层强化层包覆所述接触点。一种针尖结构，包括一块体，其含有一基座部分和复数个从所述基座部分的边缘凸出的鼻端，所述这些鼻端上分别具有一接触点，其特征在于:所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基座部分的投影截面积宽度大于在 所述这些接触点的投影截面积宽度。本发明的针尖结构还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的针尖结构，其中所述块体上具有一曲面，所述曲面从所述这些 接触点延伸至所述基座部分。前述的针尖结构，其中所述块体在所述基座部分的高度小于在所述这 些接触点的高度。前述的针尖结构，其中所述块体是导电物。前述的针尖结构，其中所述导电物包括金属。前述的针尖结构，其中所述金属包括镍合金。前述的针尖结构，其中更包括一表层强化层包覆所述些接触点。 前述的针尖结构，其中所述表层强化层包括金钴、白金、铑、钯、钯 钴合金、钨、钨合金及奈米导电材料中的一种或多种。前述的针尖结构，其中所述这些接触点位于所述些鼻端的末端上。 采用上述技术方案后，本发明的针尖结构及针尖成型方法具有以下优点1. 针尖结构强固，针尖接触点可达成高深宽比。2. 针尖接触点定位精度高、针距小。3. 制程控制好，提高针尖结构优良率。
图1为已知的直接蚀刻金属成型流程图； 图2为本发明的一实施例的流程图； 图3为本发明的多种不同轮廓的块体的示意图； 图4为本发明的一个鼻端对鼻端的块体的示意图； 图5为本发明的包覆表层强化层的针尖的示意图； 图6为本发明的针尖结构及针尖成型方法在探针的应用示意图； 图7为本发明的针尖结构及针尖成型方法在多种不同结构探针的应用 示意图；图8为本发明的另一实施例的流程图；图9为本发明的具有狭长块体的针尖示意图；图10为本发明的具有复数个鼻端的块体示意图。
具体实施方式
以下结合实施例及其附图对本发明作更进一步说明。现请参阅图2，图2为本发明的一实施例的流程图。如图所示，首先所述牺牲层20定义出一个模具，图中牺牲层20下方的虚线表示本发明的 制程平面。所述牺牲层20的材料可以是光阻、可移除的金属或高分子材 料，由已知的半导体微影或蚀刻制程形成孔洞22，所述孔洞22的轮廓包 括一个基座区域22a和一个鼻端区域22b。在本发明中，"轮廓"是指从制 程平面的上方俯视所见的外形。接着在所述牺牲层20中形成一块体24， 此步骤可以利用电铸法、化学镀、填充金属材料或物理金属沉积法(例如溅 镀或蒸镀)沉积一金属层填充在孔洞22中，必要时可以再利用机械研磨或 机械式化学研磨法(CMP)平坦化块体24的上表面。所述块体24的材料优 选高硬度及高导电度的金属，例如镍钴、镍锰合金或其它镍合金。所述块 体24包括基座部分24a及从其边缘凸出的鼻端24b。由于所述块体24是 通过填充材料在孔洞22中形成，因此，所述基座部分24a和鼻端24b是一 体成型。然后在所述牺牲层20和块体24上以微影制程定义出遮蔽层26 以及供后续蚀刻制程使用的开口 28。所述遮蔽层26可以只覆盖鼻端24b 的一部分，或鼻端24b的全部及基座部分24a的一部分，取决于针尖结构 及蚀刻制程的设计。所述开口28暴露的块体24表面，最好是在远离鼻端 24b的基座部分24a的边缘。也可以暴露出邻接基座部分24a的牺牲层20， 如图2中所示。接着，从所述开口 28部分蚀刻块体24，此步骤可以使用 等向性蚀刻或非等向性蚀刻，例如化学液蚀刻法、电化学蚀刻法或化学电 浆蚀刻法。此部分蚀刻将在块体24上形成一个倾斜的曲面30从鼻端24b 的末端延伸至基座部分24a，同时也定义出接触点32的突出高度，即针尖 高度。在侧向蚀刻到达基座部分24a与鼻端24b之间邻接的隘口以后，侧 向蚀刻速度减缓，如此侧向蚀刻可获得较佳控制，纵向蚀刻的深度可以更 深，针尖的高度可以比较高。移除遮蔽层26及牺牲层20后，所述块体24 的鼻端24b上露出接触点32，所述块体24在基座部分24a的高度小于在 接触点32的高度。优选所述接触点32设计在鼻端的末端上，如图2的实施例所示。所述接触点32的面积及形状依赖鼻端24b的设计。由于所述 鼻端24b狭长，其侧向蚀刻受到较佳的控制，因此可以精准地获得预定面 积及形状的接触点32。由于所述曲面30倾斜，而且其表面粗糙化，因此 未来在使用此针尖时，有助于辨识接触点32的位置。所述块体的轮廓可以有各种不同的设计。除了圆形，接触点的轮廓可 以是其它形状，图3为本发明的多种不同轮廓的块体的示意图，如图3左 侧例示的方形、三角形及斧形。所述基座部分的轮廓也可以是矩形以外的 形状，例如图3右侧例示的圆形及梯形。所述鼻端的根部也可以是其它形 状，例如图3中间例示的梯形。若接触点需要接触的待测表面为曲面或其 它非平面表面时， 一般需要有多点接触点同时承靠待测表面方可达成较佳 的接触状态时，本发明可在一块体的边缘成型多个鼻端，如图3下方例示 的块体轮廓，再经由前述制程在每个鼻端形成接触点，所述些鼻端与块体 间的相对位置配置不限于图3所示，可依需求进行配置与数量的调整。这 些范例显示本发明的针尖轮廓具有非常弹性的设计空间。所述鼻端24b的 特点在于精确定位接触点32的位置及其形状尺寸精度，以求每个接触点 与待测表面之间的奥姆接触阻抗一致性高，提供一可靠稳定的定性接触接 口；过小的鼻端或接触点结构强度不足，因此必须仰赖面积更大的块体24 支持整体针尖结构强度。在本发明中，所述块体轮廓的"宽度"是指所述 描述的部分的最大宽度。所述接触点的位置未必在块体的外侧边缘上，图4为本发明的一个鼻 端对鼻端的块体的示意图，如图所示，所述鼻端对鼻端(nose-to-nose)的块 体34，从其左右两侧蚀刻形成曲面36后，接触点38是在块体34的中央 处。如果所述块体34设计为左右两侧为非对称，或者左右两侧分别使用 不同蚀刻条件的制程，可以很有弹性地制作出不同剖面形状的针尖结构。再请参阅图5，图5为本发明的包覆表层强化层的针尖的示意图，其 为在针尖成型后再形成表层强化层40包覆接触点32的实施例。如果是在 移除遮蔽层26后形成表层强化层40，则表层强化层40仅包覆接触点32 及曲面30，如图5的上方图式所示。如果是在移除牺牲层20后形成表层 强化层40，则表层强化层40会包覆整个块体24，如图5的下方图式所示。所述形成表层强化层40的步骤可以利用电镀、化学镀、溅镀、蒸镀、沉 积或涂布强化材质等方式达成。所述表层强化层40的材质可以选用耐磨 耗的导电材料，例如金钴、白金、铑、钯、钯钴、钨、钨合金或奈米导电 涂料。请参阅图6，图6显示本发明的针尖结构及针尖成型方法应用在探针 上，如图所示，所述探针具有针臂42连接支撑部44，并且经基板中的导 线(via)46连接到焊垫48。支撑部44及针臂42是利用微影、电铸等制程逐 层堆积形成，在完成针臂42后直接从其尾端上进行如图2所示的制程而 形成针尖50。因为不需要在另一牺牲基板上成型针尖结构再转接到针臂 42上，所以避免了接合制程的制作精度限制。如图2所示，由于所述块体 24具有较宽的基座部分24a与较大的底部面积，因此接着力高，可以承受 较大的侧向剪力，针尖50不易脱落。本发明的针尖成型方法可以在目的地直接制作针尖结构，因此可适用 于各种探针应用、微机电系统及集成电路。图7为本发明的针尖结构及针 尖成型方法在多种不同结构探针的应用示意图，如图所示，本发明的针尖 结构及针尖成型方法应用在多种不同结构的探针上，图中的虚线表示实施 本发明方法的制程平面，只要制程整合性许可且提供一制程平面，即可在 所述制程平面直接制作针尖，而且利用电铸、溅镀、微影、蚀刻等制程， 因此不受其下方结构的限制，各种针形结构皆可适用。图8为本发明的另一实施例的流程图，本发明另一实施例的前三个步 骤和图2所示的实施例相同，为改善下一等向性蚀刻的蚀刻深度受制于侧 向蚀刻幅度的限制，在遮蔽层26定义出开口 28暴露其下方的牺牲层20 和块体24后，于第四步骤以非等向性蚀刻，例如反应式离子蚀刻(RIE)、 高密度电浆反应式离子蚀刻(ICP-RIE)、电化学蚀刻等，将牺牲层20挖出 深度H的沟槽52，因而露出块体24的部分侧壁。所述沟槽52作为后续 蚀刻块体24时的蚀刻补偿区域。通过由事先挖掘沟槽52，此制程可以获 得较深的纵向蚀刻深度，即较高的针尖高度，于测试时容易跨越待侧表面 的污染物(particle)，保持良好电性接触，同时避免污染物直接沾附针体造 成漏电、短路或压损针体结构。例如，如果预定的针尖高度为30um，则图8的实施例产生的侧向蚀刻深度可以远小于60u m，因此针间距微小化变得很容易。
图8所示的制程可以用于制作具有其它轮廓的针尖结构，例如形成如图9所示的具有狭长块体的针尖54，图9为本发明的具有狭长块体的针尖示意图。通过由蚀刻补偿区域的辅助，即使使用等向性蚀刻制程，也可以获得较深的纵向蚀刻深度H，但是縮小侧向蚀刻深度L，有助于针尖尺寸与一致性控制。
最后请参阅图10，图10为本发明的具有复数个鼻端的块体示意图。如图所示，所述块体60的中央保留牺牲层62，在进行图8的制程时，在中央牺牲层62事先挖掘沟槽再进行后续蚀刻。
根据本发明，由于整个针尖结构是一体成型，因此其结构强固，同时针尖的接触点也可达成高深宽比的目标；而以微影、电铸及蚀刻等制程在目标上直接制作针尖结构，使得针尖的接触点的定位精度高，针间距微小化容易；对于块体的侧向蚀刻维持单方向的蚀刻控制，可以尽量减小制程变异；又因为有效控制侧向及纵向蚀刻深度，因此可以获得较高的接触点突出高度及形状一致性的接触点；因为制程控制较好，所以也使针尖结构提升优良率。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化。因此，所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求限定。
组件符号说明10光阻12金属14遮蔽层
16 曲面18针尖20牺牲层22孔洞
22a孔洞的基座部分22b孔洞的鼻端部分24块体
24a块体的基座部分
24b块体的鼻端
26遮蔽层
28 开口
30 曲面
32接触点
34体块
36 曲面
38接触点
40表层强化层
42针臂
44支撑部
46导线
48焊垫
50针尖
52沟槽
54针尖
60 块体
62牺牲层
权利要求
1.一种针尖结构，包括一块体，所述块体含有一基座部分和从所述基座部分的一边缘凸出的一鼻端，所述鼻端上具有一接触点，其特征在于所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基座部分的投影截面积宽度大于在所述接触点的投影截面积宽度。
2. 如权利要求1所述的针尖结构，其特征在于，所述块体上具有一曲 面，所述曲面从所述接触点延伸至所述基座部分。
3. 如权利要求1所述的针尖结构，其特征在于，所述块体在所述基座 部分的高度小于在所述接触点的高度。
4. 如权利要求1所述的针尖结构，其特征在于，所述块体是导电物。
5. 如权利要求4所述的针尖结构，其特征在于，所述导电物包括金属。
6. 如权利要求5所述的针尖结构，其特征在于，所述金属包括镍合金。
7. 如权利要求1所述的针尖结构，其特征在于，还包括一表层强化层 包覆所述接触点。
8. 如权利要求7所述的针尖结构，其特征在于，所述表层强化层包括 金钴、白金、铑、钯、钯钴合金、钨、鸽合金及奈米导电材料中的一种或 多种。
9. 如权利要求1所述的针尖结构，其特征在于，所述接触点位于所述 鼻端的末端上。
10. —种针尖成型方法，其特征在于包括下列步骤 步骤A:提供一具有一孔洞的牺牲层；步骤B:以所述牺牲层为模具形成一块体在所述孔洞中，所述块体含 有一基座部分和从所述基座部分的一边缘凸出的一鼻端；步骤C:形成一遮蔽层覆盖所述块体的第一表面，所述遮蔽层具有一 开口暴露所述块体的第二表面；步骤D:从所述开口部分蚀刻所述块体，使所述鼻端上形成一接触点; 步骤E:移除所述遮蔽层； 步骤F:移除所述牺牲层。
11. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基座部分的宽度大于在所述鼻端的宽度。
12. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤A包 括以微影制程形成所述具有所述孔洞的牺牲层。
13. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B所 形成的所述块体具有复数个鼻端。
14. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B包 括以电铸法沉积一金属层填充在所述孔洞中。
15. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B包 括以物理金属沉积法沉积一金属层填充在所述孔洞中。
16. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B包 括以化学镀沉积一金属层填充在所述孔洞中。
17. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤D包 括等向性或非等向性蚀刻所述块体。
18. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，还包括在所述 步骤D以前部分蚀刻所述牺牲层达一预定深度。
19. 如权利要求19所述的针尖成型方法，其特征在于，所述部分蚀刻 所述牺牲层的步骤包括非等向性蚀刻。
20. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，还包括在所述 步骤E以后形成一表层强化层包覆所述接触点。
21. 如权利要求10所述的针尖成型方法，其特征在于，更包括在所述 步骤F以后形成一表层强化层包覆所述接触点。
22. —种针尖成型方法，其特征在于包括下列步骤 步骤A:提供一具有一孔洞的牺牲层；步骤B:在所述孔洞中形成一块体；步骤C:形成一遮蔽层覆盖在所述块体和所述牺牲层上，所述遮蔽层 具有一开口暴露所述块体的一部分表面和所述牺牲层的一部分表面；步骤D:从所述开口部分蚀刻所述牺牲层达一预定深度；步骤E:从所述开口部分蚀刻所述块体，使所述块体在所述遮蔽层下方形成一接触点；步骤F:移除所述遮蔽层； 步骤G:移除所述牺牲层。
23. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤A包 括以微影制程形成所述具备孔洞的牺牲层。
24. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B所 形成的所述块体具有复数个鼻端。
25. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤B包 括电铸、化学沉积或以物理金属沉积法沉积一金属层填充在所述孔洞中。
26. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤D包 括非等向性蚀刻。
27. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，所述步骤E包 括等向性或非等向性蚀刻。
28. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，还包括在所述 步骤F以后形成一表层强化层包覆所述接触点。
29. 如权利要求22所述的针尖成型方法，其特征在于，更包括在所述 步骤G以后形成一表层强化层包覆所述接触点。
30. —种针尖结构，包括一块体，其含有一基座部分和复数个从所述基 座部分的边缘凸出的鼻端，所述这些鼻端上分别具有一接触点，其特征在 于所述块体具有一轮廓，所述轮廓在所述基座部分的投影截面积宽度大 于在所述这些接触点的投影截面积宽度。
31. 如权利要求30所述的针尖结构，其特征在于，所述块体上具有一 曲面，所述曲面从所述这些接触点延伸至所述基座部分。
32. 如权利要求30所述的针尖结构，其特征在于，所述块体在所述基 座部分的高度小于在所述这些接触点的高度。
33. 如权利要求30所述的针尖结构，其特征在于，所述块体是导电物。
34. 如权利要求33所述的针尖结构，其特征在于，所述导电物包括金属。
35. 如权利要求34所述的针尖结构，其特征在于，所述金属包括镍合金。
36. 如权利要求30所述的针尖结构，其特征在于，更包括一表层强化 层包覆所述些接触点。
37. 如权利要求36所述的针尖结构，其特征在于，所述表层强化层包 括金钴、白金、铑、钯、钯钴合金、钨、钨合金及奈米导电材料中的一种 或多种。
38. 如权利要求30所述的针尖结构，其特征在于，所述这些接触点位 于所述些鼻端的末端上。
全文摘要
一种针尖结构，包括一块体，其含有一基座部分和从基座部分的一边缘凸出的一鼻端，鼻端上具有一接触点，其中，块体具有一轮廓，轮廓在基座部分的投影截面积宽度大于在接触点的投影截面积宽度。一种针尖成型方法，其中，包括下列步骤A提供一具有一孔洞的牺牲层；B以牺牲层为模具形成一块体在孔洞中，块体含有一基座部分和从基座部分的一边缘凸出的一鼻端；C形成一遮蔽层覆盖块体的第一表面，遮蔽层具有一开口暴露块体的第二表面；D从开口部分蚀刻块体，使鼻端上形成一接触点；E移除遮蔽层；F移除牺牲层。
文档编号G01R1/067GK101625374SQ20081013768
公开日2010年1月13日 申请日期2008年7月8日 优先权日2008年7月8日
发明者王品凡, 许育祯, 陈志忠 申请人:旺矽科技股份有限公司