使用复合膜的测试气体检漏的制作方法

专利名称：使用复合膜的测试气体检漏的制作方法
技术领域：
本发明涉及对密封物体的检漏，尤其涉及采用复合膜使测试气体通向 测试气体感应装置的测试气体检漏，以及制备复合膜的方法。
背景技术：
氦质谱检漏是一种熟知的检漏技术。氦用作测试气体，通过密封测试 件中最小的漏隙。通过漏隙后，将含有氦的测试样品导入检漏装置并测量。 在所述装置中，质谱管对氦加以检测和测量。输入的测试样品由质谱管离 子化并进行质量分析以分离氦组分。在一种方法中，测试件用氦加压。与 检漏仪的测试端口相连的嗅探器探针在测试件外围移动。氦通过测试件中 的漏隙，导入管中并由检漏仪测量。在另一种方法中，测试件的内部与检 漏仪的测试端口连接并抽空。氦喷射在测试件外部，通过漏隙导入并由检 漏仪测量。
与氦质谱检漏相关的困难之一是质谱管的进口必须保持相对的低压，
通常为2xlO"托(Torr)。在所谓的常规检漏仪中，与测试件或嗅探器探针相 连的测试端口必须保持相对低压。因此，抽真空过程较长。而且，在泄漏 的或大体积部件的测试中，可能难以或无法达到所要求的压力水平。即便 所需压力水平能够达到，抽真空过程也是冗长的。
现有技术中已经提出了克服这一困难的技术。在1972年9月12日授 权给Briggs的美国专利第3,690,151号中揭示了一种逆流检漏仪，它采用通 过扩散泵到达质谱仪的氦逆流技术。检漏仪测试端口可以在扩散泵前级管 道的压力下运行。类似的方法使用通过涡轮分子泵的氦逆流。1988年4月 5日授权给Fruzzetti的美国专利第4,735,084号揭示了一种用于粗略检漏的 技术，其中测试气体反方向流经机械真空泵的一个或两个级。这些技术已 经允许测试端口压力高于常规检漏仪。然而，在测试大体积、脏的部件或具有大漏隙的部件的情况下，达到较高的测试端口压力可能是困难的。
1959年6月15日公开的法国专利第1,181,312号揭示了一种使用加热 的二氧化硅膜以选择性通过氦和氢的氦检漏仪。提供了吸气器以捕获氢， 并使用电离规测量氦压力。1990年1月31日公开的欧洲专利申请第035237 号揭示了一种氦检漏仪，它包括与二氧化硅玻璃毛细管形式的探针相连的 离子泵。二氧化硅玻璃管加热到300'C(摄氏度)至900'C之间的温度，并因 此对氦具有渗透性。1994年7月5日授权给DeSimon的美国专利第5,325,708 号揭示了一种使用石英毛细管膜、用于加热所述膜的细丝和离子泵的氦检 测装置。1997年8月26日授权给Bohm等的美国专利第5,661,229号揭示 了一种具有用于将氦选择性地通入耗气真空规的聚合物或加热石英窗口的 检漏仪。
使用渗透膜的检漏技术允许测试气体传感器在不同于检漏仪进口处的 压力下运作。然而，现有技术中的膜在室温下具有低渗透性并通常要求加 热至高温以提高渗透性。加热的膜需要受控的加热源，因此增加了装置的 成本和复杂性。此外，现有技术的膜的渗透性具有相对大的温度系数。因 此，检漏的精确度部分依赖于所控制的膜温度的精确度。
使用渗透膜的检漏技术也容易受到有过多的氦到达电离规、离子泵或 耗气真空规的损害。如果遇到大的漏隙，则膜外部产生的氦分压驱使大量 氦原子进入传感器。 一旦进入，这些传感器就无法快速猝灭所有这些氦原 子。这可能导致检漏仪在几分钟内不工作或灵敏度降低。
因此，仍然需要改进的方法和设备用于检漏。
发明概述
依据本发明的第一方面， 一种检漏仪包括接收测试气体的检漏仪进 口；与所述检漏仪进口相连的真空泵；经通道与所述检漏仪进口相连的测 试气体感应装置；对所述测试气体具有渗透性的膜，所述膜置于检漏仪进 口和测试气体感应装置之间的通道中，在To-20K至T()+20K的温度范围内， 所述膜对测试气体的渗透性变化小于5%，其中To是设计温度。
在其它实施方式中，在To-20K至To +20&的温度范围内，所述膜对测
5试气体的渗透性变化小于1%，其中To是设计温度。
依据本发明的第二方面，提供一种制备复合膜的方法。该方法包括选 择对测试气体渗透性为S的半透膜和对测试气体渗透性为P的多孔膜，其 中S和P满足以下方程式
dT dT
其中T是温度，该方程式在温度To时计算；形成包含所选半透膜和所选多孔
膜的复合膜。
依据本发明的第三方面， 一种泄漏参照件包括具有开口的外壳；密封该 开口的复合膜，所述复合膜包括半透膜和多孔膜；密封在外壳内的测试气体。
附图简要说明
为了更好地理解本发明，参照通过参考结合在本申请书中的附图，其
中


图1是检漏仪的第一实施例的简化框图2是结合了膜的阀的实施例的部分截面视图3是检漏仪的第二实施例的简化框图4是复合膜的第一实施例的渗透性随温度变化的图5是复合膜的第二实施例的渗透性随温度变化的图；以及
图6是泄漏参照件的一个实施例的示意图。
发明详述
本发明大体涉及使用一种或多种轻气体作为测试气体的检漏仪。轻气 体包括氦、氢、氖及其同位素。检漏方法和设备包括置于进口和测试气体 感应装置之间的膜。所述膜对于所述轻气体具有渗透性并选择性地阻挡较 重的气体(即所有比氖重的气体)。测试气体感应装置的例子包含离子泵、电 离规、质谱仪、扇形磁式质谱仪、四极质谱仪、彭宁规(penningcell)、耗气 真空规、以及电荷耦合器件。根据随时间变化的测试气体感应装置的输出 和阀调节记录，可以几乎实时计算测试气体浓度，并由此计算泄漏速率。使用允许测试气体通过但选择性阻挡较重气体的膜的检漏仪的一个问 题是如何对例如检漏仪从测试模式转换为非测试模式产生响应，迅速终止 测试气体的跨膜传送。在该测试模式中，在检漏仪进口和膜之间建立连接。 在非测试模式中，通常通过关闭阀从而断开进口和膜的连接。然而，尽管 阀是关闭的，但是截留在阀和膜之间的体积中的测试气体仍然继续透过膜 并被测试气体感应装置所感应。即便对于相对小的截留体积而言，测试气 体的透膜传送仍然可能在无法接受的长时间内延续。因此，需要能缓解这 一问题的检漏仪结构。
现有技术中的结构通过对膜加热器断电而终止测试气体的传送。然而， 所希望的是，在所述膜在室温和约100°C之间运作的结构中非常迅速地终 止测试气体的跨膜传送。
较佳地，当检漏仪从测试模式转换至非测试模式时或当出于任何其他
原因需要终止测试气体的跨膜传送时，测试气体的跨膜传送在500毫秒或 更短时间内得以基本终止。更佳地，测试气体的跨膜传送在100毫秒或更 短时间内得以基本终止。最佳地，测试气体的跨膜传送在25毫秒或更短时 间内得以基本终止。如这里所使用的，测试气体跨膜传送的基本终止是指 将测试气体跨膜传送降至其初始值的10%以下，即减少90%以上的测试气 体传送。这些参数允许以快速连续而泄漏测试之间不存在相互影响并且测 试气体感应装置中不存在过量测试气体累积的方式进行多次泄漏测试。
图1中显示了一种检漏仪的第一实施例的示意性框图。测试端口或检 漏仪进口 10通过阀12与真空泵14和可以是电磁阀20的阀进口相连。如 下所述，电磁阀20包括整体膜30。电磁阀20的出口与测试气体感应装置 22相连，后者将代表测试气体浓度的电信号提供给信号处理器24。
膜30结合在电磁阀20内。当阀关闭时，阀和膜结构限定了阀的进口 侧的截留气体体积。膜30是允许在室温至约100。C之间运行的类型。以下 对膜30进行详细描述。
在一种实施方式中，真空泵14是机械真空泵。测试气体感应装置22 可以是离子泵、电离规、耗气真空规、质谱仪、扇形磁式质谱仪、四极质 谱仪、彭宁规或电荷耦合器件。在操作中，测试件26或嗅探器探针(未显示)与进口 IO真空密封相连。 随后阀12开启，从而将进口10与真空泵14相连。真空泵14将进口压力 从大气压降低至操作或测试压力水平。随后开启阀20，进行泄漏测试。
在一种操作模式中，测试件26与进口 IO相连，并将诸如氦的测试气 体通过诸如氦喷雾引导至测试件的外表面上。或者，在测试件26是用氦加 压的情况下，则将嗅探器探针在测试件外部周围移动。氦通过漏隙进入测 试件26的内部、或进入嗅探器探针，并经过进口 IO进入检漏仪。随后氦 经过阀12和20并通过膜30到达测试气体感应装置22。测试气体感应装置 22检测并测量氦并提供与从测试件或嗅探器探针所接收的气体样品中氦的 数量成正比的输出信号。氦浓度与测试件的渗漏速率成比例。
图2中显示了电磁阀20和膜30的一个实施例的截面图。电磁阀20包 括壳40，其界定了阀进口42、阀出口 44以及进口 42和出口 44之间的通 道46。膜30整个安装在通道46中并且密封，这样流经阀的气体需要通过 膜30。电磁阀20还包括阀闭合件50和用于在开启和关闭位置之间移动阀 (闭合)件50的线圈52。如图2中所示，阀(闭合)件50包括活塞54和刚性 连接的尖端元件56。如图2所示，当线圈52通电时，活塞54和尖端元件 56縮回至开启位置，由此使得测试气体从进口 42经膜30流向出口 44。当 线圈52断电时，弹簧58加偏压使尖端元件56与膜30接触，从而关闭阀 20并阻止气体流过膜30。尖端元件56的结构使其在阀的关闭位置中完全 阻塞通道46并与膜30接触。
尖端元件56在与膜30接触的表面56a上可以具有较低硬度弹性体的 薄层。当电磁阀20断电时，弹簧58将尖端元件56压在膜30上。通过从 表面之间挤出基本上所有的气体，柔顺的弹性体材料密封整个膜30的表面。 当电磁阀20关闭时，这一结构限制了膜30上的截留气体体积，因为截留 的气体可以含有大量测试气体原子。开启和关闭位置之间的阀冲程可以较 小以确保阀的快速开启和关闭。
阀20已描述为具有整体膜的电磁阀，其中阀闭合件在阀的关闭位置与 膜接触。应当理解，可以采用不同的阀类型和结构以限制阀关闭时膜的进 口侧的截留气体体积。图3中显示了一种检漏仪的第二实施例的示意性框图。图1和3中的
类似元件具有相同的标记数字。进口 10经阀12与真空泵72的第一进口 70 相连。进口 IO也通过阀12和阀74与膜80的进口侧相连。膜80的进口侧 经阀82与真空泵72的第二进口 84相连。阀86连接在膜80的进口侧和环 境空气进口 88之间。如图3中所示，阀12和74以及真空泵72的第一进 口 70与节点90相连；并且阀74、 82和86以及膜80的进口侧与节点92 相连。与节点92连接的导管，即互相连接阀74、 82和86以及膜80的导 管，限定了体积96。控制器98控制阀12、 74、 82和86的开启和关闭。
膜80的感应侧与测试气体感应装置22相连，后者向信号处理器24提 供代表测试气体浓度的电信号。在图3的实施例中，测试气体感应装置22 包括电离规100、离子泵102和吸气器104，它们都接收透过膜80的气体。 在另一实施例中，测试气体感应装置包括耗气真空规和吸气器。
真空泵72可以是多级隔膜泵、多级罗茨泵(rootspump)、多级钩爪泵、 多级旋转活塞泵或涡旋泵。在一种实施方式中，真空泵72是具有两个进口 的50升/分钟涡旋泵。进口 84具有比进口 70更低的基础压力，这样使得当 阀82开启时体积96中的压力下降。在一个实施例中，进口84和70可以 分别具有约100-300毫托和100-300托的基础压力(即无质量流量条件下)。 在另一实施方式中，采用独立的真空泵。在这一实施方式中，第一真空泵 与阀74的进口侧(节点90)相连，第二真空泵与阀82相连。在以上实施方 式中，第二真空泵具有低于第一真空泵的基础压力。
在阀74、 82和86以及膜80之间的体积96中截留了通常小于0.05厘 米3的小体积气体。在泄漏测试中，阀12开启、阀86关闭并且阀74和82 相继启动。阀82关闭时，阀74在IO到500毫秒的时间段内开启以进行泄 漏测试。随后阀74关闭。阀82立即开启，将体积96排入真空泵72的进 口 84。这非常快地将总压力和膜80上的测试气体分压降低约200倍。阀 74和82的重复循环导致通向第二进口 84的小的质量流速率。应当理解， 以上参数值只是通过举例确定的，不对本发明的范围产生限制。
一旦膜80暴露于高水平的测试气体，就可以开启阀86以用环境空气 吹扫体积96。环境空气具有低分压的测试气体。测试气体感应装置22对测试气体(这里为氦)敏感。电离规100可以感 应特别低分压的氦。离子泵102抽出残留的气体和氦。电离规100和离子 泵102的实时图谱可以用于计算氦分压。吸气器104可以用于捕获氢并将 由于氢和电离规IOO或离子泵102相互作用引起的错误信号最小化。
在图l和3的检漏仪中，膜30和80位于进口 IO和测试气体感应装置 22之间。所述膜是对检漏仪中所使用的测试气体具有渗透性的材料。测试 气体是轻气体，诸如氦、氢、氖及其同位素。氦通常用作测试气体。所述 膜允许测试气体充分通过，同时基本阻止较重的气体、液体和颗粒。这样， 通过允许测试气体通过同时阻止较重的气体、液体和颗粒，所述膜作为测 试气体窗口发挥作用。具体地说，所述膜对于轻的测试气体具有较高的渗 透性，对于较重的气体(即所有比氖重的气体)具有较低的渗透性。因此，进 口 10和测试气体感应装置22可以具有不同的压力。所述膜可以是对测试 气体具有渗透性的任何适当的材料，并可以具有任何形状或尺寸。适当的 材料的例子包括但不限于石英玻璃或二氧化硅、以及诸如四氟乙烯的渗透 性聚合物。图1和3的检漏仪中，所述膜在环境温度至约100。C之间工作
较佳地，所述膜是包括依次设置的多孔膜(可以作为基材)和半透膜的复 合膜。所述复合膜的净渗透性基本恒定，并且不依赖于设计温度T。附近的 温度。
半透膜只传送某些气体。半透膜的例子包括各种形式的二氧化硅，包 括石英、石英玻璃、熔融二氧化硅、二氧化硅、耐热玻璃(Pyrex)等等。其 他的半透膜包括诸如特弗隆(Teflon)、乙烯-四氟乙烯共聚物(Tefzel)、氟化 乙丙烯(FEP)、聚酰亚胺(Kapton)、迈拉(Mylar)、乙酸酯、聚酰胺等等的聚 合物。轻气体以相当大的渗透速率透过这些膜，而较重的气体(如氮和氧) 具有低许多数量级的渗透速率。轻气体通过固态扩散机理扩散通过半透膜。 半透膜的孔径与气体的原子直径相当，并且原子在膜的网格中由于随机的 热运动而移动。特定气体通过半透膜每单位面积、每单位压力差的传送速 率明显随温度变化，渗透性的单位是[摩尔/米2秒帕斯卡]。半透膜的渗透性 随温度的升高而增加。
现有技术采用了石英渗透性的温度依赖性来控制氦向检漏仪的传送。
10通常将石英盘或管加热到400°C-750°C以使得氦高速扩散通过石英。空气 之类的重气体被排除在外，因为它们的原子直径对于几乎所有的孔来说都 太大了。在某些操作条件下(如存在过多的氦或待机模式中)，通过关闭加热 器降低石英温度。这将渗透速率降低了 100-300倍。对于这些设备而言， 随温度变化明显的膜渗透性是必需的和所希望的。
取决于孔隙的几何学，多孔膜以不同程度传送基本上所有气体。孔直 径是气体原子直径的几倍至许多倍。多孔膜的例子包括烧结金属、氧化铝、 沸石、碳化硅等等，以及诸如康宁维克(Corning Vycor)7930玻璃的某些玻 璃。气体通过多孔膜传送的主要方法是通过Knudsen扩散。在Knudsen扩 散中，气体原子的平均自由程远大于特征孔直径。这引起渗透性随T""变 化。Knudsen扩散中的渗透性随温度升高而降低。
通常，多孔膜的渗透性比实际的半透膜的渗透性高几个数量级。如果 将多孔膜和半透膜依次设置(使得气体既通过多孔膜也通过半透膜)形成复 合膜，而半透膜的低渗透性占主导，则净渗透性仍然随温度明显变化。如 果多孔膜和半透膜的渗透性在相同数量级上，则可以改变一个或多个设计 参数，使得在设计温度T。处(通常为标称操作温度)实现局部温度独立性。
较佳地，复合膜的净渗透性是，在To-20K至To+20K的温度范围内对 于测试气体而言渗透性的变化小于5%，其中To是设计温度，K是开氏温 度。更佳地，所述膜具有在IV20K至T()+20K的温度范围内对于测试气体 而言变化小于1%的净渗透性。所述设计温度To可以是约300K。应当理解， 本发明的范围内包括不同的渗透性变化率和不同的温度范围。例如，可以 采用在检漏仪的工作温度范围内对测试气体的渗透性变化小于5%的膜。
现在描述一种设计方法。需要对多孔膜和半透膜的渗透性与温度的函 数关系进行函数逼近。由于所述两个渗透性是连续的，所得到的净渗透性 为
1_ ^_ 1 N(T) _ P(T) + S(T)
(方程式1)其中N:净渗透性，P:多孔渗透性，以及S-半渗透性。渗透性P和S是
温度T和各种几何学和物理学常数(其中有些可以改变)的函数。根据方程式(l) 求解渗透性N，随后相对于温度T求微分。当
在T-Tq，I二O (方程式2) dT
得到满足时，N(T)在温度T。附近近似恒定。所得到的满足条件的方程式为
P2，+S2f =0 T4。时计算 (方程式3)
dT dT
由于dP/dT小于0并且所有其他项为正，可能但不保证有解。产生渗透性P(T) 和S(T)的材料性质和尺寸可能导致无解。已经确定，当二氧化硅薄层与中等厚 度的维克7930玻璃组合时，可以有一组解。
优选的实施方式包括所选厚度的维克7930玻璃基材，在该玻璃基材 的一面或两面上使用原硅酸四乙酯(TEOS)的化学气相沉积法沉积了二氧化 硅薄层。2003年3月4日授权给Oyama等的美国专利第6,527,833号中描 述了这一过程细节，所述专利通过参考结合在本申请书中。康宁维克7930 玻璃是一种具有约3.6纳米的非常均一的孔直径的多孔玻璃。二氧化硅薄层 (约IO纳米)产生大于维克玻璃的渗透性。
上述的设计方法在维克玻璃厚度为1.45毫米、二氧化硅厚度为10纳 米时得到一个解。如图4所示，复合膜的渗透性在T=300K处对温度无依 赖，并且在300K附近只有很小偏差。图4中，曲线120表示二氧化硅层的 渗透性与温度之间的函数关系，曲线122表示维克玻璃的渗透性与温度之 间的函数关系，曲线124表示二氧化硅和维克玻璃的复合膜的净渗透性与 温度之间的函数关系。从280K到320K，与300K的渗透性值的偏差小于 0.1%。这转换成的温度系数为约0.005%/°C。通过比较，300K时石英层本 身的渗透性的温度系数大于2%/°C 。
可能希望具有诸如盘状的平坦几何结构的复合膜。在这种情况下，可能更 易于用二氧化硅涂敷整个盘。这形成了维克玻璃盘或片相对面上的两个相同厚 度的二氧化硅层。设计过程与上述的相似。对于多孔材料相对面上相同厚度的 二氧化硅层而言，2p2^"+s2l=0 在T4。时计算 (方程式4)
dT dT
其中P:多孔渗透性，S-单层渗透性，并且
N(T) = (方程式5)
沉积过程可以在氦气环境中而不是在氩气中进行。使用氦气的好处是 一旦维克玻璃的两面被密封，氦就可以扩散出来，而氩会被截留。当维克 玻璃用二氧化硅密封时，水和烃污染物不能迸入。这简化了复合膜的保存。
图5显示了 2.327毫米厚的、在两面具有8纳米的二氧化硅层的维克 玻璃基材的渗透性。图5中，曲线130表示二氧化硅的渗透性，曲线132 表示维克玻璃的渗透性，曲线134表示在两面具有二氧化硅层的维克玻璃 的复合膜的净渗透性。从280K至320K,与300K的渗透性值的偏差小于 0.1%。
对于上述的复合膜而言，可以用于满足方程式(3)的变量包括二氧化硅 层厚度、维克玻璃厚度和维克玻璃孔直径。二氧化硅层厚度通常与TEOS 分解时间呈线性关系。可以沉积厚一些或稍薄一些的二氧化硅层。可以获 得不同孔直径的多孔玻璃。这三个变量的各种组合可以使方程式(3)和(4)的 满足以及具体净渗透性的设计更灵活。
图6显示了一种泄漏参照装置180。泄漏参照装置可以用于检漏仪的 校准。泄漏参考装置180可以包括具有用膜184密封的开口的容器182。较 佳地，膜184是如上所述的复合膜。泄漏参照装置的内部体积186含有诸 如氦的测试气体。氦以取决于膜184的渗透性的已知速率从容器182中漏 出。
这样己经对本发明的至少一种实施方式的几个方面进行了描述，应当 认识到，本领域技术人员可以容易地进行各种改变、修改和改进。这样的 改变、修改和改进是本发明揭示内容的一部分，并且包括在本发明的精神 和范围之内。因此，以上的描述和附图仅作为举例。
权利要求
1.一种检漏仪，其包括接收测试气体的检漏仪进口；与所述检漏仪进口相连的真空泵；通过通道与所述检漏仪进口相连的测试气体感应装置；对所述测试气体具有渗透性的膜，所述膜置于所述检漏仪进口和测试气体感应装置之间的通道中，在T0-20K至T0+20K的温度范围内，所述膜对测试气体的渗透性变化小于5％，其中T0是设计温度。
2. 如权利要求1所述的检漏仪，其特征在于，在温度T。时所述膜的渗透 性与温度的函数关系具有零斜率。
3. 如权利要求1所述的检漏仪，其特征在于，所述膜包括在多孔玻璃基 材上的二氧化硅层。
4. 如权利要求1所述的检漏仪，其特征在于，所述膜包括在多孔氧化铝 基材上的二氧化硅层。
5. 如权利要求1所述的检漏仪，其特征在于，所述膜包括复合膜，所述 复合膜包括依次设置的半透膜和多孔膜。
6. 如权利要求1所述的检漏仪，其特征在于，在To-20K至To +20K的 温度范围内，所述膜对测试气体的渗透性变化小于1%。
7. —种制备复合膜的方法，其包括选择对测试气体渗透性为S的半透膜和对测试气体渗透性为P的多孔 膜，其中S和P满足以下方程式<formula>formula see original document page 2</formula>其中T是温度，该方程式在温度To时计算；形成包含所选半透膜和所选多孔膜的复合膜。
8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括选择所述 半透膜和多孔膜的材料和厚度以满足所述方程式。
9. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成复合膜的操作包括在所述多孔膜的前面和后面上都形成二氧化硅层。
10. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括将所述复合膜结合到 检漏仪中进口和测试气体感应装置之间的通道中。
11. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括选择多孔膜的孔径以满足所述方程式。
12. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括选择半透 膜和多孔膜，使得在温度To时，半透膜和多孔膜的净渗透性N与温度之间的 函数关系具有零斜率。
13. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半透膜包括二氧化硅层， 所述多孔膜包括多孔玻璃基材。
14. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半透膜包括二氧化硅层， 所述多孔膜包括多孔氧化铝基材。
15. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括选择半透 膜的材料和厚度以及选择多孔膜的材料、厚度和孔径。
16. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括调节半透 膜和多孔膜的参数，使得在TV20K至TQ +201^的温度范围内，所述复合膜 对测试气体的渗透性变化小于5%。
17. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择操作包括调节半透 膜和多孔膜的参数，使得在To-20K至To +20K的温度范围内，所述复合膜 对测试气体的渗透性变化小于1%。
18. —种泄漏参照件，其包括 具有开口的外壳；密封开口的复合膜，所述复合膜包括半透膜和多孔膜； 密封在外壳内的测试气体。
19. 如权利要求18所述的泄漏参照件，其特征在于，在温度To时所述复 合膜的净渗透性与温度之间的函数关系具有零斜率，其中To是设计温度。
20. 如权利要求18所述的泄漏参照件，其特征在于，在To-20K至TQ +20K 的温度范围内，所述复合膜对测试气体的渗透性变化小于5%，其中To是 设计温度。
全文摘要
一种检漏仪，其包括接收测试气体的检漏仪进口；与所述检漏仪进口相连的真空泵；通过通道与所述检漏仪进口相连的测试气体感应装置；对所述测试气体具有渗透性的膜，所述膜置于所述检漏仪进口和测试气体感应装置之间的通道中，在T₀-20K至T₀+20K的温度范围内，所述膜对测试气体的渗透性变化小于5％，其中T₀是设计温度。另外，提供一种制备包括半透膜和多孔膜的复合膜的方法。此外，还提供一种包括复合膜的泄漏参照件。
文档编号G01N27/12GK101622531SQ200880006072
公开日2010年1月6日 申请日期2008年2月27日 优先权日2007年2月28日
发明者A·G·莱帕特 申请人:凡利安股份有限公司