滤光器的制造方法、分析设备及光设备的制作方法

专利名称：滤光器的制造方法、分析设备及光设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及滤光器的制造方法、分析设备及光设备。
背景技术：
已提出过，将2个基体不管其材质如何都不使用粘合剂或固体接合就能以较高的尺寸精度牢固地且在低温下高效地接合的方法(专利文献1)。利用该方法，通过活化能使分别设于2个基体的接合膜活化，使接合膜彼此接合。该接合方法可以用于多种用途，其中之一就是使透过波长可变的干涉滤波器(专利文献2、。如专利文献2的图1所示，该干涉滤波器具备保持为相互平行的一对基板、和在这一对基板上相互对置且以具有一定间隔的间隙的方式形成的一对反射膜。入射到一对反射膜之间的光因与法布里-珀罗干涉仪相同的原理而被多重反射，特定波段以外的光由于干涉而被抵消，仅有特定波段的光发生透射。通过使一对反射膜间的间隙可变，该干涉滤波器起到带通滤波器的作用，被称为标准具。该一对反射膜可以由例如专利文献2所示的电介质多层膜、高反射率有保证的金属膜形成。为了制造专利文献2、3的干涉滤波器，期待将一对基板利用专利文献1的技术进行接合。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利第4337935号公报专利文献2 日本特开平11-142752号公报专利文献3 日本特开2009-1；34028号公报

发明内容
另一方面，专利文献1的接合方法是用臭氧、紫外线使接合膜活化而接合的。该接合膜的活化工序中，已明确了由金属或电介质多层膜形成的一对反射膜受到损害而发生变质或恶化，从而反射率可能会降低。因此，在本发明的若干方式中，提供一种在对接合膜赋予活化能时能抑制接合膜以外的膜体因臭氧或紫外线发生变质或恶化的情况的滤光器的制造方法、分析设备及光设备。(1)本发明的一个方式所涉及的滤光器的制造方法，其特征在于，包括准备第1 基板的工序，所述第1基板具有第1反射膜、和位于所述第1反射膜周围的第1接合区域； 在所述第1反射膜形成第1阻隔膜，并在所述第1接合区域形成第1接合膜的工序；准备第 2基板的工序，所述第2基板具有第2反射膜、和位于所述第2反射膜周围的第2接合区域； 在所述第2反射膜形成第2阻隔膜，并在所述第2接合区域形成第2接合膜的工序；隔着第 1掩模部件，向所述第1接合膜照射臭氧或紫外线的第1照射工序；隔着第2掩模部件，向所述第2接合膜照射臭氧或紫外线的第2照射工序；和接合所述第1接合膜与所述第2接合膜而使所述第1基板与所述第2基板粘贴的工序；在所述第1照射工序中，第1掩模部件在所述第1接合区域的上方具有第1开口部，所述第1掩模部件的一部分位于所述第1反射膜的上方。根据本发明的一个方式，在第1照射工序中，包括第1掩模部件在第1接合区域的上方具有第1开口部，第1掩模部件的一部分位于第1反射膜的上方。另外，包括第1反射膜形成有第1阻隔膜。由此，可以抑制臭氧或紫外线照射第1反射膜。从而，可以抑制第1反射膜的变质或恶化。进而，利用第1掩模部件还可以抑制臭氧或紫外线对第1阻隔膜的照射。由此，可以抑制第1阻隔膜活化。其结果，在粘贴第1基板与第2基板的工序中，可以抑制第1阻隔膜与第2阻隔膜粘贴。(2)在本发明的一个方式中，其特征在于，在所述第2照射工序中，所述第2掩模部件在所述第2接合区域的上方具有第2开口部，所述第2掩模部件的一部分位于所述第 2反射膜的上方。由此，可以抑制臭氧或紫外线对第2反射膜的照射。从而，可以抑制第2反射膜的变质或恶化。进而，利用第2掩模部件，还可以抑制臭氧或紫外线对第2阻隔膜的照射。由此， 可以抑制第2阻隔膜活化。其结果，在第1基板与第2基板的粘贴工序中，可以抑制第2阻隔膜与第1阻隔膜粘贴。(3)在本发明的一个方式中，其特征在于，所述第1阻隔膜与所述第1接合膜由同一工序形成，所述第2阻隔膜与所述第2接合膜由同一工序形成。由此，用于形成第1阻隔膜的工序和形成第1接合膜的工序由同一工序进行，因此，无需增设形成第1阻隔膜的工序。另外，用于形成第2阻隔膜的工序和形成第2接合膜的工序由同一工序进行，因此，无需增设形成第2阻隔膜的工序。从而，可以高效地制造滤光器。(4)在本发明的一个方式中，其特征在于，所述第1阻隔膜的材料与所述第1接合膜的材料不同，所述第2阻隔膜的材料与所述第2接合膜的材料不同。(5)在本发明的一个方式中，其中，在所述第1照射工序中，所述第1掩模部件与第1阻隔膜分开设置，在所述第2照射工序中，所述第2掩模部件与所述第2阻隔膜分开设置。由此，可以防止第1掩模部件与第1阻隔膜接触，因此可以防止由该接触导致的第1阻隔膜的损坏。另外，可以防止第2掩模部件与第2阻隔膜的接触，因此，可以防止由该接触导致的第2阻隔膜的损坏。(6)在本发明的一个方式中，其特征在于，在形成所述第1接合膜的工序中，所述第1接合膜含有具有硅氧烷键的Si骨架、和与所述Si骨架键合的离去基团，在形成所述第 2接合膜的工序中，所述第2接合膜含有具有硅氧烷键的Si骨架、和与所述Si骨架键合的离去基团，通过所述第1照射工序，从所述第1接合膜的所述Si骨架脱离所述离去基团而形成未结合键，通过所述第2照射工序，从所述第2接合膜的所述Si骨架脱离所述离去基团而形成未结合键，在使所述第1基板与所述第2基板粘贴的工序中，通过所述第1接合膜的所述未结合键与所述第2接合膜的所述未结合键的键合，所述第1接合膜与所述第2接合膜接合。由此，未结合键彼此结合，可以牢固地接合第1、第2基板。(7)在本发明的一个方式中，其特征在于，在准备所述第1基板的工序中，所述第1 基板在所述第1反射膜与所述第1接合区域之间的区域形成有第1电极，在准备所述第2基板的工序中，所述第2基板在所述第2反射膜与所述第2接合区域之间的区域形成有第2电极。(8)本发明的一个方式涉及的分析设备，其特征在于，包含用上述的滤光器的制造方法制造的滤光器。(9)本发明的一个方式涉及的光设备，其特征在于，包含用上述的滤光器的制造方法制造的滤光器。


图1 (A) 图1 (D)是表示本发明的实施方式涉及的接合体的制造方法的图。图2是模式地表示赋予活化能之前的等离子体聚合膜(第1、第2膜体，第1、第2 阻隔膜)的构造的示意图。图3是模式地表示赋予活化能之后的等离子体聚合膜的构造的示意图。图4是本发明的一个实施方式所涉及的滤光器整体的纵向剖面图。图5是截断图4所示滤光器的一部分的立体示意图。图6(A) 图6(C)是分别表示第1基板的第1 第3制造工序的图。图7(A) 图7(C)是分别表示第1基板的第4 第6制造工序的图。图8(A) 图8(D)是分别表示第2基板的第1 第4制造工序的图。图9(A) 图9(D)是分别表示第2基板的第5 第8制造工序的图。图10是表示对活化前的第1接合膜赋予活化能的工序的图。图11是表示对活化前的第2接合膜赋予活化能的工序的图。图12是表示第1、第2基板的接合工序的图。图13是使用了滤光器的分析装置的框图。图14是表示用图13所示装置进行的分光测定操作的流程图。图15是使用了滤光器的光设备的框图。符号说明1 接合体，2A:第1基体，2B:第2基体，3A:第1接合膜，3B:第2接合膜，4A:第1 膜体，4B 第2膜体，5A 第1阻隔膜，5B 第2阻隔膜，6A 第1掩模部件，6B 第2掩模部件， 10 滤光器，20 第1基板，20A1 第1对置面，20A2 第2对置面，20A3 第3对置面，20A4 第 4对置面，30 第2基板，30A 对置面，40 第1反射膜，50 第2反射膜，60 第1电极，62 第 1配线层，62B 中间配线层，64 第1电极引出部，68 第1引线，70 第2电极，72 第2配线层，74 第2电极引出部，76 第2引线，80 间隙可变驱动部(静电驱动器)，100、110 第1、 第2接合膜，10(^、11(^:活化前的第1、第2接合膜，10( 、11( :活化后的第1、第2接合膜， 120 第1阻隔膜，130 第2阻隔膜，140 第1掩模部件，142 第1开口，150 第2掩模部件， 152 第2开口，200 分析设备(测色仪)，300 光设备，301 :Si骨架，302 硅氧烷键，303 离去基团，304 活性键(未结合键)，Gl 第1间隙，G2 第2间隙
具体实施例方式以下，对本发明的优选实施方式进行详细说明。应予说明，下面所说的本实施方式并不是不合理地限定本申请要求保护的范围所记载的本发明内容，本实施方式中说明的全部构成作为本发明的解决手段未必是必需的。1.接合体及其制造方法图KA) 图I(D)示出了接合体1的制造方法。如图I(D)所示，接合体1至少具有第1基体2A、与第1基体2A对置的第2基体2B、设于第1基体2A的第1接合膜3A、设于第2基体2B的第2接合膜:3B、设于第1基体2A的第1膜体4A、和覆盖第1膜体4A表面的第1阻隔膜5A。图I(D)中，设有形成于第2基体2B的第2膜体4B、和覆盖第2膜体4B 表面的第2阻隔膜5B。第1、第2基体2A、2B是通过第1、第2接合膜3AJB彼此接合而粘贴。通过第1、第2接合膜3A、;3B彼此接合而形成接合膜3。需要说明的是，第2膜体4B和第2阻隔膜5B不是必需的。另外，设有第2膜体4B 和第2阻隔膜5B的情况下，这些与第1膜体4A和第1阻隔膜5A的位置关系如图1 (D)所示可以不是对置关系，没有限制。第1接合膜3A与第1膜体4A的位置关系也没有限制。尤其在后述的活化能赋予工序中活化能的供给方向是全方位的情况等时，第1接合膜3A与第1膜体4A不在第1基体2A的同一面侧形成也可以。因此，第1接合膜3A不限于如图1 (D)所示，形成在与形成有第1膜体4A的第1基体2A的接合面高度不同的台阶面，还可以形成在接合面的同一面、 或者与接合面对置的内面。第2接合膜;3B与第2膜体4B的关系也相同。首先，如图1 (A)所示，分别制造形成有第1接合膜3A1、第1膜体4A和第1阻隔膜 5A的第1基体2A、和形成有第2接合膜;3B1、第2膜体4B和第2阻隔膜5B的第2基体2B。 此处，第1接合膜3A1和第2接合膜3B1表示图1 (B)的活化能赋予工序前的非活性的膜状态。活化前的第1接合膜3A1和第1阻隔膜5A可以使用同样的材料同时形成。同样地，活化前的第2接合膜3B1和第2阻隔膜5B可以用同样的材料同时形成。活化前的第1接合膜3A1与第1阻隔膜5A也可以使用不同的材料。同样地，活化前的第2接合膜3B1和第2 阻隔膜5B也可以使用不同的材料。接着，如图1 (B)所示，就活化前的第1、第2接合膜3A1、3B1而言，通过臭氧或紫外线对其俯视下的至少一部分区域，即，俯视下的第1、第2接合膜3A1、3B1的整面或一部分区域分别赋予活化能。由此，得到第1、第2接合膜3A1、3B1被活化而呈现出相互的粘合性的活化后的第1、第2接合膜3A2JB2。此时，通过第1掩模部件6A抑制臭氧或紫外线入射到第1阻隔膜5A的表面，将第1阻隔膜5A维持在非活性状态。由于第1掩模部件6A具有开口 6A1，所以可以对第1接合膜3A1赋予活化能。同样地，通过第2掩模部件6B抑制臭氧或紫外线入射到第2阻隔膜5B的表面，将第2阻隔膜5B维持在非活性状态。由于第2掩模部件6B具有开口 6B1，因此可以对第2接合膜3B1赋予活化能。接着，如图1 (C)所示，使活化后的第1、第2基体2A2、2B2对置并至少施加负荷，使通过活化呈现粘合性的第1、第2接合膜3A2、3B2彼此接合。由此，如图1 (D)所示，制造了接合体1。此处，第1基体2A只要具有支持第1接合膜3A、第1膜体4A和第1阻隔膜5A程度的刚性，可以由任意的材料构成。第2基体2B也同样。具体来说，第1、第2基体2々、28的构成材料可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烃、环状聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基戊烯-1)、离聚物、丙烯酸系树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS树脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚对苯二甲酸1，4_环己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺、聚缩醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其它氟系树脂、苯乙烯系、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、聚酯系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚异戊二烯系、氟橡胶系、 氯化聚乙烯系等各种热塑性弹性体、环氧树脂、苯酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、芳族聚酰胺系树脂、不饱和聚酯、有机硅树脂、聚氨酯等，或者以它们为主的共聚物、掺和物、聚合物合金等积 月旨系材料，Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、 Nd、Sm之类的金属，或含有这些金属的合金、碳钢、不锈钢、氧化铟锡(ITO)、镓砷之类的金属系材料，单晶硅、多晶硅、非晶硅之类的硅系材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸碱玻璃、钠钙玻璃、钾玻璃、铅(碱)玻璃、钡玻璃、硼硅酸玻璃之类的玻璃系材料，氧化铝、氧化锆、铁素体、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化钛、碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳化钨之类的陶瓷系材料， 石墨之类的碳系材料，或者这些各材料的1种或将2种以上组合得到的复合材料等。另外，第1、第2基板2Α、2Β可以对其表面实施、镀Ni之类的镀敷处理、铬酸盐处理之类的钝化处理、或氮化处理等。另外，第1、第2基体2Α、2Β的形状不限于板状。S卩，第1、 第2基体2Α、2Β的形状可以是例如块状(大块)、棒状等。需要说明的是，在本实施方式中，如果第1、第2基体2Α、2Β的至少一方例如第2基体2Α形成板状，则第2基体2Β易于弯曲，能够顺着第1基体2Α的形状充分地变形，从而使它们的贴紧性变得更高。另外，不仅第1基体2Α与第1接合膜3Α的贴紧性变高，而且由于第2基体2Β弯曲，可以使接合界面产生的应力得到某种程度的缓解。此时，第1基体2Α的平均厚度没有特别的限定，但优选0.01 IOmm左右，为了确保柔性更优选0. 1 3mm左右。需要说明的是，第2基体2B的平均厚度也优选在与第1基体2A的平均厚度相同的范围内。如图1⑶所示的活化前的第1、第2接合膜3AJB例如如图2所示可以具有含硅氧烷(Si-O-SiO)键302的Si骨架301、和与该Si骨架301键合的离去基团303。图1⑶ (C)所示的活化后的第1、第2接合膜3A2、3B2如图3所示，与Si骨架301键合的离去基团 303脱离而成为活性键304。需要说明的是，活性键304包括在Si骨架301上未被终端化的结合键(以下也称为“未结合键”或“悬挂键”)和该未结合键被羟基(0H基)终端化的键。通过第1接合膜3A2的活性键304中的未结合键和第2接合膜3B2的活性键304中的未结合键键合，第1、第2接合膜3A2、3B2彼此接合。另外，优选在第1基体2A的至少应该形成第1接合膜:3B1的区域，根据第1基体2A的构成材料，在形成第1接合膜3A1之前，预先实施提高第1基体2A与第1接合膜3A1 的贴紧性的表面处理。作为该表面处理，可以举出例如溅射处理、喷射处理之类的物理性表面处理，使用了氧等离子体、氮等离子体等的等离子体处理，电晕放电处理、蚀刻处理、电子束照射处理、 紫外线照射处理、臭氧暴露处理之类的化学性表面处理，或者，将它们组合的处理等。通过实施这样的处理，净化应形成第1基体2A的第1接合膜3A的区域，同时可以活化该区域。 由此，可以提高第1基体2A与第1接合膜3A1的接合强度。同样可以提高第2基体2B与第2接合膜;3B1的接合强度。第1、第2膜体4A、4B是因臭氧或紫外线而发生变质或恶化的材质的膜。作为使第 1、第2膜体4A、4B变质或恶化的作用方式，可以举出氧化、硫化、氮化等。作为这种膜的代表例有金属膜。金属膜在臭氧气氛中、或者通过紫外线使氧发生臭氧化，从而利用臭氧来氧化。另外，通过紫外线，气氛中的气体或第1、第2膜体4A、4B本身被活化，第1、第2膜体4A、4B通过气氛中的硫化氢等而被硫化，或者通过气氛中的氮氧化物NOx而被氮化。进而，紫外线照射金属膜时，金属原子由于光电效果而被离子化，从而容易氧化、硫化或氮化。第1、第2膜体4A、4B为金属氧化物的情况下，原本难以与氧反应，但是担心会因受到物理损坏、或过量地被氧化而使膜质发生变化。第1、第2膜体4A、4B不限于这些，只要是通过臭氧或紫外线发生变质或恶化的材质的膜即可。第1、第2阻隔膜5A、5B由臭氧或紫外线的透过率低于第1、第2膜体4A、4B的材料构成。第1、第2阻隔膜5A、5B可以用与第1、第2接合膜3A1、3B1相同的材料同时形成。 此时，第1、第2阻隔膜5A、5B如图2所示可以具有含有硅氧烷(Si-O-SiO)键302的Si骨架301、和与该Si骨架301键合的离去基团303。第1、第2阻隔膜5A、5B没有被活化，所以离去基团303没有脱离而残留。未使第1、第2阻隔膜5A、5B活化的第1、第2掩模部件6A、6B由臭氧或紫外线的透过率低的材料形成。该第1、第2掩模部件6A、6B也可以通过成膜而紧贴着第1、第2膜体4A、4B上形成，但是根据第1、第2膜体3A、3B的功能，需要在后来除去第1、第2掩模部件6A、6B。在活化能赋予工序之后，如果难以在不使第1、第2阻隔膜5A、5B活化的情况下将第1、第2掩模部件6A、6B除去(例如蚀刻等)，则第1、第2掩模部件6A、6B优选通过成膜不紧贴着第1、第2膜体4A、4B上而形成。这种情况下，第1、第2掩模部件6A、6B优选利用粘合或通过其他方法可自由装卸地安装于第1、第2基体2A、2B。2.对滤光器的适用2. 1.滤光器构造的概要图4是本发明的接合体的实施方式涉及的滤光器10整体的纵向剖面图，图5是将滤光器10的一部分截断后的立体示意图。图4和图5所示的滤光器10包括第1基板(广义的是第1基体)20、与第1基板20对置的第2基板(广义的是第2基体)30。本实施方式中，将第1基板20作为固定基板或基础基板，使第2基板30为可动基板或光圈基板，但可以是任一方或双方为可动。第1、第2基板20、30分别由例如钠钙玻璃、结晶玻璃、石英玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃等各种玻璃、水晶等形成。在本实施方式中，各基板20、30的构成材料为合成石英玻璃。第1、第2基板20、30各自的一边形成例如IOmm的正方形，作为圆形的光圈发挥作用的那部分的最大直径例如是5mm。第1基板20具有与第2基板30对置的对置面20A，第2基板30具有与第1基板 20对置的对置面30A。在本实施方式中，对置面20A形成有例如各自高度不同的第1 第 4对置面20A1 20A4，对置面30A平坦地形成。第1基板20的第1对置面20A1上形成有第1反射膜(广义的是第1膜体)40， 第2对置面20A2上形成有第1电极60，第3对置面20A3上形成有第1接合膜100，第4对置面20A4上形成有第1配线层62。第2基板30的对置面30A上分别形成有与第1反射膜40对置的第2反射膜(广义的是第2膜体)50、与第1电极60对置的第2电极70、与第 1接合膜100对置的第2接合膜110、以及与中间配线层62B对置的第2配线层72。另外， 在第1反射膜40的表面形成有第1阻隔膜120，在第2反射膜50的表面形成有第2阻隔膜 130。需要说明的是，第1阻隔膜120还可以形成在第1反射膜40以外的膜上。同样地，第 2阻隔膜130也可以形成在第2反射膜50以外的膜上。需要说明的是，如图4所示，在第1、第2基板20、30的外周部形成有用于将第1电极60与外部连接的第1电极引出部64、和用于将第2电极70与外部连接的第2电极引出部74。第1电极引出部64中，与第1电极60导通的第1配线层62与第1引线68连接。 第2电极引出部74中，在第2基板30上形成的第2配线层72借助焊锡等导电件66与第 1基板20侧的转接配线层62B导通，转接配线层62B上连接有第2引线76。作为基础基板的第1基板20，是使厚度形成为例如500 μ m的玻璃基板通过蚀刻而形成第1 第4对置面20A1 20A4。第1基板20在与第2基板30对置的对置面20A中的中央的第1对置面20A1上形成有例如圆形的第1反射膜40。就第2基板30而言，是通过使厚度形成为例如200 μ m的玻璃基板通过蚀刻形成如图5所示的薄壁例如环状的光圈部32，其中心位置形成厚壁的反射膜支撑部34。第2基板30在与第1基板20对置的对置面30A上在反射膜支撑部34的位置形成有与第1反射膜40对置的例如圆形的第2反射膜 50。第1、第2反射膜40、50形成例如直径约为3mm的圆形。该第1、第2反射膜40、 50用同样的材料以同一厚度形成。第1、第2反射膜40、50例如使用溅射法或蒸镀法将Ag、 Al、SiO2, TiO2, Ta2O5等材料形成单层膜或层叠而成膜，最外表面形成Ag、Al等金属膜。第 1、第2反射膜40、50可以形成单层金属层，也可以例如将TW2和SW2交替地层叠而形成电介质多层膜。进而，在与第1、第2基板20、30的各对置面20A1、20A2、30A相反侧的面，在与第 1、第2反射膜40、50对应的位置可以形成无图示的防反射膜(AR)。该防反射膜通过交替地层叠低折射率膜和高折射率膜而形成，在第1、第2基板20、30的界面，使可见光的反射率降低，使透射率增大。在表面形成有第1、第2阻隔膜120、130的第1、第2反射膜40、50，隔着图4所示的第1间隙Gl对置地配置。另外，在本实施方式中，将第1反射膜40作为固定镜，将第2反射膜50作为可动镜，但也可以与上述第1、第2基板20、30的方式相对应地将第1、第2反射膜40、50中的任一方或双方设为可动。
在俯视图中位于第1反射膜40周围的位置并在第1基板20的第1对置面20A1 周围的第2对置面20A2上形成有第1电极60。同样地，在第2基板30的对置面30A上，与第1电极60对置地设置有第2电极70。第1电极60与第2电极70如图5所示，例如形成环状，隔着图4所示的第2间隙G2对置地配置。另外，第1、第2电极60、70的表面可以用
绝缘膜覆盖。在本实施方式中，第1基板20的对置面20A具有形成有第1反射膜40的第1对置面20A1、以及在俯视图中配置在第1对置面20A1的周围并形成有第1电极60的第2对置面20A2。第1对置面20A1和第2对置面20A2可以是同一面，但在本实施方式中，第1对置面20A1和第2对置面20A2之间有高低平面差，第2对置面20A2设置在比第1对置面20A1 更靠近第2基板30的位置。由此，第1间隙61>第2间隙G2的关系成立。不限于此，也可以是第1间隙Gl <第2间隙G2。第1、第2电极60、70用同样的材料以同一厚度形成。在本实施方式中，第1、第2 电极60、70是使用以氧化锡为杂质掺杂而成的透明ITOandium Tin Oxide 氧化铟锡)， 利用溅射法以例如0. 1 μ m左右的厚度成膜而得到的。因此，驱动部的间隙取决于凹部的深度、电极的厚度、接合膜的厚度。这里，电极部的材料不限于ΙΤ0，材料也可以使用金等金属， 但在本实施方式中，出于透明且容易确认是否放电等理由决定采用ΙΤ0。此处，一对第1、第2电极60、70作为使第1、第2反射膜40、50间的第1间隙Gl 的大小可变的间隙可变驱动部80发挥作用。本实施方式的间隙可变驱动部80是静电驱动器。静电驱动器80对一对第1、第2电极60、70赋予电位差，利用由此产生的静电引力使一对第1、第2电极60、70间的第2间隙G2的大小可变，由此使第2基板30对于第1基板20 相对地移动，从而使第1、第2反射膜40、50间的第1间隙Gl的大小可变。另外，间隙可变驱动部80不限于静电驱动器，也可以用压电元件等来代替。2. 2.接合膜与阻隔膜在俯视图中位于第1电极60周围的位置并在第1基板20的第2对置面20A2周围的第3对置面20A3上形成有第1接合膜100。同样地，在第2基板30的对置面30A上与第1接合膜100对置地设有第2接合膜110。第1阻隔膜120覆盖第1反射膜40的表面而形成，用臭氧或紫外线的透过率低于第1反射膜40的材料形成。同样地，第2阻隔膜130覆盖第2反射膜50的表面而形成，用臭氧或紫外线的透过率低于第2反射膜50的材料形成。此处，第1、第2接合膜100、110可以在通过照射臭氧或紫外线而被赋予活化能后进行接合。并且，第ι阻隔膜120可以在至少对第1接合膜100赋予活化能之前形成，第2 阻隔膜130可以在至少对第2接合膜110赋予活化能之前形成。这样一来，在通过照射臭氧或紫外线对第1接合膜100或第2接合膜110赋予活化能时，就可以抑制臭氧或紫外线入射到第1反射膜40或第2反射膜50。这样，可以抑制第1、第2反射膜40、50因暴露于臭氧、紫外线中而发生变质或恶化，抑制其反射率降低。第1、第2反射膜40、50尤其是在作为高反射膜时有时会使用金属膜例如Ag、Al 等。这些金属膜的耐环境性差，例如会由于暴露在氧等离子体的臭氧中或者暴露在通过照射紫外线而产生的臭氧中而使得金属氧化膜发生变质。进而，金属膜如果被紫外线照射会因光电效应而使金属原子离子化，变得容易氧化或硫化。另一方面，作为第1、第2反射膜40,50即使使用电介质多层膜，也会由于电介质多层膜用金属氧化膜等形成而不易与氧发生本来的反应，有可能受到物理破坏或者发生过度氧化而使膜质发生变化。本实施方式中， 利用第1、第2阻隔膜120、130抑制了第1、第2反射膜40、50的这些变质、恶化。需要说明的是，第1、第2阻隔膜120、130的形成时期未必限于赋予活化能工序之前。这是因为在滤光器10组装到使用紫外线的设备时，就可以保护第1、第2反射膜免受臭氧、紫外线的影响。这样，在考虑滤光器10的实际使用时，如果从长期保护第1、第2反射膜 40,50的观点来讲，第1、第2阻隔膜120、130优选是除了耐受臭氧或紫外线以外、耐环境性也强的膜质。特别是，第1、第2阻隔膜120、130优选还具有如下特性与第1、第2反射膜 40、50相比较，与硫化氢(H2S)等的反应性(硫化性)更低、与卤素类的反应性(卤化性) 更低、从作为商品的可靠性角度考虑耐湿性更高等其他特性。这里，第1、第2接合膜100、110可以是利用等离子体聚合法成膜而得到的等离子体聚合膜。此时，第1、第2阻隔膜120、130可以是与第1、第2接合膜100、110在同一工序中形成的等离子体聚合膜。这样，就可以将第1、第2阻隔膜120、130的成膜工序兼用作第1、第2接合膜100、110的成膜工序，没必要增加制造工序，因此可以维持滤光器10的低成本化。另外，第1阻隔膜120可以由与第1接合膜100不同的材料形成。同样地，第2阻隔膜130可以由与第2接合膜110不同的材料形成。在等离子体聚合时，第1、第2接合膜 IOOUlO及第1、第2阻隔膜120、130各自可以含有具有硅氧烷(Si-O-Si)键的Si骨架和与Si骨架键合的离去基团。图2模式地示出了这种等离子体聚合膜的构造。尤其，图2示出了由等离子体聚合膜形成的第1、第2阻隔膜120、130的构造，并且，与由等离子体聚合膜形成的第1、第2 接合膜100、110的赋予活化能之前的构造是相同的。因此，下面参照图2对第1、第2阻隔膜120、130进行说明，此说明也适用于第1、第2接合膜100、110赋予活化能之前的第1、第 2接合膜100A、1IOA (参照后述的图7 (C)及图9 (D))。另外，图3示出了利用活化能使具有图2所示构造的赋予活化能之前的第1、第2 接合膜100A、110A活化后的第1、第2接合膜100B、110B(参照后述的图10)的构造。第1、第2阻隔膜120、130如上述的图2所示，活化后的第1、第2接合膜100B、1IOB 如上述的图2所示，均含有硅氧烷(Si-O-Si)键302，具有例如具有不规则原子构造的Si骨架301。图2所示的第1、第2阻隔膜120、130和第1、第2接合膜100、110具有与Si骨架 301键合的离去基团303。另一方面，图3所示的活化后的第1、第2接合膜100B、110B，离去基团303从Si骨架301脱离而具有活性键304。第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、110B由于含有硅氧烷键302且受到具有不规则原子构造的Si骨架301的影响而形成不易变形的坚固的膜。考虑这是由于Si骨架301的结晶性降低，因而不易产生晶界的错位、偏离等缺陷的缘故。因此，膜自身的接合强度、耐化学药品性和尺寸精度提高，在最终获得的第1、第2接合膜100、 110及第1、第2阻隔膜120、130中，也可以得到耐化学药品性及尺寸精度高的膜，第1、第2 阻隔膜120、130可以得到高的接合强度。上述第1、第2阻隔膜120、130的特性也可以由具有包含硅氧烷(Si_0_Si)键302 的Si骨架301、和与Si骨架301键合的离去基团303的构造来进行说明。即，气体的通过路径被硅氧烷(Si-O-Si)键302阻断而能够具有高的气体阻隔性。另外，第1、第2阻隔膜120、130由于不具有图3所示的未结合键304，因此反应性低，具有难以氧化或硫化的性质。 进而，硅氧烷(Si-O-Si)键302像SiO2那样会吸收包括紫外线波段在内的200nm以下的波长。第1、第2阻隔膜120、130即使吸收紫外线而激发也只是能量状态增高，由于硅氧烷 (Si-O-Si)键302的键能比因紫外线而得到的激发能高，因此状态没有变化。具有图2构造的赋予活化能之前的第1、第2接合膜100A、110A如被赋予活化能， 则离去基团303从Si骨架301脱离，如图3所示，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面及内部产生活性键(未结合键)304。由此，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面呈现粘合性，第1、第2接合膜100B、110B的活性键304中的未结合键彼此键合，由此得到图4所示的接合后的第1、第2接合膜100、110。具备已活化的第1接合膜100B的第1基板20可以以较高的尺寸精度牢固且高效地与具备已活化的第2接合膜IlOB的第2基板30 接合。第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、110B成为不具有流动性的固体状。因此，与以往具有流动性的液态或粘液状的粘合剂相比，膜的厚度和形状几乎没有变化。由此，膜的尺寸精度与以往相比有显著提高。进而，无需粘合剂固化所需的时间，因此以短时间就能牢固地接合。第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110特别优选在从构成膜的全部原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率和0原子的含有率的总计为10 90原子％左右，更优选20 80原子％左右。如果Si原子和0原子的含有率在该范围内，则对于接合膜31而言，Si原子和0原子形成牢固的网络，对于第1、第2阻隔膜120、130及第1、 第2接合膜100、110而言，膜自身变得牢固。另外，第1、第2接合膜100、110可以以较高的接合强度将第1、第2基板20、30接合。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si原子和0原子的存在比例优选是3 7 7 3左右，更优选4 6 6 4左右。通过将Si原子和 0原子的存在比例设定在该范围内，膜的稳定性提高。由此，第1、第2接合膜100、110可以以较高的接合强度将第1、第2基板20、30接合。需要说明的是，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si骨架301的结晶度优选是45%以下，更优选40%以下。由此，Si骨架301成为包含足够的不规则原子构造的结构。因此，使上述的Si骨架301的特性变得明显。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110优选在其构造中包含 Si-H键。该Si-H键是硅烷经等离子体聚合法在发生聚合反应时在聚合物中生成的，认为此时Si-H键会阻碍有规则地进行硅氧烷键的生成。因此，硅氧烷键的形成是为了避免Si-H 键，Si骨架301的原子构造的规则性降低。这样一来，利用等离子体聚合法，可以高效地形成结晶度低的Si骨架301。另一方面，并不是说第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的 Si-H键的含有率越多结晶度就越低。具体来讲，在红外吸收光谱中，将归属于硅氧烷键的峰强度设为1时，归属于Si-H键的峰强度优选在0. 001 0. 2左右，更优选0. 002 0. 05左右，进而优选0. 005 0. 02左右。通过使Si-H键与硅氧烷键的比例在该范围内，原子构造就相对地最为不规则。因此，Si-H键的峰强度与硅氧烷键的峰强度之比在该范围内时，第 1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐化学药品性及尺寸精度特别优异，第1、第2接合膜100、110的接合强度也优异。另外，与Si骨架301键合的离去基团303如上所述，通过从Si骨架301脱离，而起到使接合膜31产生活性键的作用。因此，通过对离去基团303赋予能量，可以比较简单且均一地脱离离去基团，但在未赋予能量时，有必要切实可靠地键合在Si骨架301上以便不发生脱离。从这个观点出发，离去基团303优选使用选自下述基团中的至少一种来构成H原子、B原子、C原子、N原子、0原子、P原子、S原子及卤素系原子、或者含有这些各个原子且这些各个原子是以与Si骨格301键合的方式配置而成的原子团。该离去基团303对赋予能量所带来的键合/脱离的选择性比较优异。因此，这种离去基团303能充分满足上述的必要性，可以得到更高的第1、第2接合膜100、110的粘合性。需要说明的是，作为上述那样的各原子以与Si骨架301键合的方式配置而成的原子团(基团)，可以列举例如甲基、乙基之类的烷基、乙烯基、烯丙基之类的烯基、醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、商代烷基、巯基、磺酸基、氰基、异氰酸酯基等。在这些各基团中，离去基团303特别优选是烷基。烷基的化学稳定性高，因此包含烷基的第1、第2阻隔膜120、130的耐候性及耐化学药品性等阻隔性优异。这里，当离去基团303为甲基(-CH3)时，其优选的含有率由红外吸收光谱中的峰强度作以下规定。即，在红外吸收光谱中，当将归属于硅氧烷键的峰强度设为1时，归属于甲基的峰强度优选是0. 05 0. 45左右，更优选是0. 1 0. 4左右，进而优选是0. 2 0. 3 左右。通过使甲基的峰强度相对于硅氧烷键的峰强度比例在该范围内，就可以防止甲基阻碍硅氧烷键生成为必需以上，且活化后的第1、第2接合膜100B、110B中会产生必要且足够个数的活性键304，因此活化后的第1、第2接合膜100B、110B产生足够的粘合性。作为具有这种特征的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的构成材料，可以列举例如聚有机硅氧烷这样的包含硅氧烷键的聚合物等。由聚有机硅氧烷构成的膜，其自身具有优异的机械特性。另外，对许多材料都显示出特别优异的粘合性。因此，由聚有机硅氧烷构成的第1、第2接合膜100、110显示出特别强的粘附力，其结果，可以将第1、第2基板20、30牢固地接合。另外，聚有机硅氧烷通常显示出疏水性(非粘合性)，但通过被赋予活化能而可以容易地使有机基团脱离，亲水性发生变化，从而呈现出粘合性，具有容易且可靠地对该非粘合性和粘合性进行控制的优点。需要说明的是，该疏水性(非粘合性)主要是由于聚有机硅氧烷中所含的烷基所带来的作用。因此，由聚有机硅氧烷构成的活化前的第1、第2接合膜100A、110A通过被赋予活化能还具有如下优点使得表面呈现粘合性，并且表面以外的部分会得到由上述的烷基带来的作用、效果。因此，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐候性及耐化学药品性优异。另外，在聚有机硅氧烷中，尤其优选以八甲基三硅氧烷的聚合物为主要成分。以八甲基三硅氧烷的聚合物为主要成分的第1、第2接合膜100、110的粘合性尤其优异，所以特别优选。另外，以八甲基三硅氧烷为主要成分的原料在常温下为液态，具有适度的粘度，因此还具有容易处理的优点。另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的平均厚度优选1 1000nm左右，更优选2 SOOnm左右。通过使第1、第2接合膜100、110的平均厚度在该范围内，不仅可以防止尺寸精度显著降低，而且可以更牢固地将第1、第2基板20、30接合。即， 在其平均厚度低于下限值时，可能无法得到足够的接合强度，而平均厚度高于上限值时，有可能尺寸精度显著降低。进而，若平均厚度在上述范围内，则可以确保某种程度的形状追随性。因此，即使在第1、第2基板20、30的接合面上存在凹凸，其凹凸的高度也不同，但可以使第1、第2接合膜100、110粘附从而追随凹凸的形状。其结果是，第1、第2接合膜100、110可以吸收凹凸，缓解在其表面产生的凹凸高度，可以提高相互的贴紧性。这样的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110可以用任何方法制作，可以利用等离子体聚合法、CVD法、PVD法之类的各种气相成膜法、各种液相成膜法等来制作，在这些方法中优选用等离子体聚合法制作。若利用等离子体聚合法，则可以高效地制成致密且勻质的膜。由此，用等离子体聚合法制成的第1、第2接合膜100、110可以将第1、 第2基板20、30特别牢固地接合。进而，用等离子体聚合法制成的第1、第2接合膜100、110 被赋予活化能，活化后的状态能维持较长的时间。因此，可以实现滤光器10的制造过程的简单化、高效化。3.滤光器的制造方法3. 1.第1基板20的制造工序图6㈧ 图6(C)及图7㈧ 图7(C)示出了第1基板20的制造工序。首先，如图6 (A)所示，将合成石英玻璃基板的两面进行镜面研磨，制作厚度500 μ m的第1基板20。接着，在第1基板20的两面20A、20B上，形成由厚度例如为50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜构成的掩模层(在图6(B)中省略了，但与图8(B)的掩模层140、 141相同)，在单面20A侧的掩模层上涂布抗蚀剂(未图示)，对单面20A实施用于形成凹部22的抗蚀图案形成，该凹部22用于形成第1对置面20A1。然后，用碘和碘化钾的混合液对抗蚀剂开口部的Au膜进行蚀刻，用硝酸铈铵水溶液蚀刻Cr膜，用氢氟酸水溶液以例如约 1.5μπι的深度对凹部22进行湿法蚀刻(参照图6(B))。然后，将抗蚀剂及掩模层从第1基板20剥离。接着，在第1基板20的两面20Α、20Β形成掩模层，在单面20Α的掩模层上涂布抗蚀剂(未图示)，进一步对形成有凹部22的面20Α实施用于形成第2、第4对置面20Α2、20Α4 的抗蚀图案形成。然后，对抗蚀剂开口部的Au膜和Cr膜进行蚀刻，例如用氢氟酸水溶液以约Ιμπι的深度对单面20Α进行湿法蚀刻(参照图6 (C))。由此，在第1基板20的对置面 20Α上同时形成第2、第4对置面20Α2、20Α4，与此同时，未被蚀刻的对置面20Α就成为第3 对置面20Α3。之后，将抗蚀剂和掩模层从第1基板20上剥离。接下来，在第1基板20的已蚀刻的面上使用溅射法以例如0. 1 μ m的厚度形成整个面的ITO膜。在该ITO膜上涂布抗蚀剂，实施抗蚀图案的形成，例如用硝酸和盐酸的混合液对ITO膜进行蚀刻，剥离抗蚀剂。由此，在第1基板20的第2对置面20A2上形成第1电极60，在第1基板20的第4对置面20A4上形成第1配线层62和中间配线层62B(参照图 7㈧)。接着，仅在第1基板20上的第1反射膜40的形成区域实施开口样的抗蚀图案形成，利用溅射法或蒸镀法将反射膜材料成膜。使第1反射膜材料从第2基板20侧以例如厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的顺序层叠。然后，通过将抗蚀剂剥离， 第1反射膜材料被拿走，仅在抗蚀剂上有开口的区域残留第1反射膜材料，形成第1反射膜 40(参照图7(B))。然后，仅在应当形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120的区域实施开口样的抗蚀图案形成，利用等离子体CVD法以厚度例如30nm形成兼作接合膜及阻隔膜的等离子体聚合膜。在本实施例中，以同一工序形成第1接合膜100A和第1阻隔膜120。等离子体聚合膜通过硅氧烷(Si-O-Si)键阻断气体的通过路径，从而可以具有高气体阻隔性，反应性低，具有不易氧化或硫化的性质。进而，硅氧烷(Si-O-Si)键像SiO2那样会吸收包括紫外线波段在内的200nm以下的波长。第1阻隔膜120即使吸收紫外线而激发也只是能量状态增高， 由于硅氧烷(Si-O-Si)键的键能比因紫外线而得到的激发能高，因此没有状态变化。等离子体聚合膜的主要材料优选上述的聚有机硅氧烷。就等离子体聚合而言，在一对电极间施加的高频功率的频率为1 100kHz，优选是10 60kHz，腔体内压力为IXKT5 lOTorr， 优选1 X 1(Γ4 ITorr (133. 3 X 1(Γ4 133. 3Pa)，原料气体流量为0. 5 200sccm,优选1 IOOsccm,载气流量为5 750sccm，优选10 500sccm，处理时间为1 10分钟，优选4 7分钟。然后，通过将抗蚀剂剥离，等离子体聚合膜被拿走，形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120(参照图7(C))。由此，第1基板20完成。3. 2.第2基板30的制造工序图8㈧ 图8(D)及图9㈧ 图9(D)表示了第2基板30的制造工序。首先，对合成石英玻璃基板的两面进行镜面研磨，制作厚度200 μ m的第2基板30 (参照图8 (A))。接着，在第2基板30的两面30A、30B上形成由厚度为例如50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜构成的掩模层140、142 (参照图8 (B))。接着，在第2基板30的掩模层140上涂布抗蚀剂(未图示)，在单面30B实施用于形成光圈部32 (参照图幻的抗蚀图案形成。然后，用碘和碘化钾的混合液对掩模层140的 Au膜进行蚀刻，用硝酸铈铵水溶液对掩模层140的Cr膜进行蚀刻，形成图案化后的掩模层 141(参照图 8(C))。接着，将第2基板30浸入氢氟酸水溶液中，对光圈部32蚀刻如约150 μ m(参照图 8 (D))。光圈部32的厚度达到例如约50 μ m,包括反射膜支撑部34的壁厚区域残留200 μ m
的厚度。接着，分别将第2基板30的两面30A、30B上附着的抗蚀剂、掩模层141、142剥离 (参照图9(A))。接着，在第2基板30的与抗蚀剂面30B相反的面30A上，使用溅射法将ITO膜以例如0. 1 μ m的厚度成膜。在该ITO膜上涂布抗蚀剂，实施用于形成第2电极70及第2配线层72的抗蚀图案形成，用硝酸和盐酸的混合液对ITO膜进行蚀刻。然后，将抗蚀剂从第 2基板30上除去(参照图9(B))。接着，在第2基板30上形成有第2电极70的单面30A上，仅在第2反射膜50的形成区域实施开口样的抗蚀图案形成，利用溅射法或蒸镀法将第2反射膜材料成膜。作为成膜例子，从第2基板30侧以厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的顺序层叠。然后，通过将抗蚀剂剥离，第2反射膜材料被拿走，形成第2反射膜50(参照图9(C))。
接着，仅在应该形成第2接合膜IlOA及第2阻隔膜130的区域实施开口样的抗蚀图案形成，利用等离子体CVD法以例如30nm的厚度形成兼作接合膜及阻隔膜的等离子体聚合膜。本实施例中，同时形成第2接合膜IlOA和第2阻隔膜130。等离子体聚合膜通过硅氧烷(Si-O-Si)键阻断气体的通过路径，从而可以具有高气体阻隔性，反应性低，具有不易氧化或硫化的性质。进而，硅氧烷(Si-O-Si)键像SiO2那样会吸收包括紫外线波段在内的 200nm以下的波长。第2阻隔膜130即使吸收紫外线而激发也只是能量状态增高，由于硅氧烷(Si-O-Si)键的键能比因紫外线而得到的激发能高，因此没有状态变化。等离子体聚合膜的主要材料优选上述的聚有机硅氧烷。然后，通过将抗蚀剂剥离，等离子体聚合膜被拿走，形成第2接合膜IlOA及第2阻隔膜130(参照图9(D))。由此，第2基板30完成。3. 3.活化能赋予工序图10表示给第1基板20的第1接合膜100A赋予活化能形成活化的第1接合膜 100B的工序。图11表示给第2基板30的第2接合膜IlOA赋予活化能形成活化的第2接合膜IlOB的工序。给第1、第2接合膜100A、110A赋予活化能的方法有多种，此处以2个例子进行说明。一个例子是，利用臭氧进行活化，例如可以举出A等离子体处理。采用A等离子体处理时，在A流量例如为20 40cc/分钟、压力例如为20 35Pa、RF功率例如为150 250W的条件下，在等离子体处理容器中以例如每10 40秒对第1、第2基板20、30分别进行处理。另一个例子是，利用紫外线(UV)照射进行活化，例如作为UV光源使用发光波长 150 300nm，优选使用160 200nm，对活化前的第1、第2接合膜100A、110A以间距3 3000nm、优选10 lOOOnm，对第1、第2接合膜100A、110A照射1 10分钟例如数分钟的
紫外线。如图10和图11所示，可以分别处理第1、第2基板20、30，特别是照射紫外线的情况下，层叠第1、第2基板20、30，例如可以透过石英玻璃制的第1基板20和/或第2基板 30来照射紫外线。在该活化能赋予工序中，如上所述，离去基团303从活化前的第1、第2接合膜 100AUIOA的Si骨架301上脱离，赋予活化能后的第1、第2接合膜100B、IlOB产生活性键 304而被活化。另外，在活化能赋予工序中，如上所述，第1、第2阻隔膜120、130可以保护第1、第2反射膜40、50免受臭氧或紫外线的影响。特别是，在本实施方式中，如图10和图11所示，通过第1、第2掩模部件140、150 抑制臭氧或紫外线入射第1、第2阻隔膜120、130的表面，从而将第1、第2阻隔膜120、130 维持在如图2所示的非活性状态。第1掩模部件140在与第1接合膜100A对置的位置具有第1开口 142，仅给第1接合膜100A赋予活化能。同样地，第2掩模部件150在与第2接合膜IlOA对置的位置具有第1开口 152，仅给第2接合膜IlOA赋予活化能。第1、第2掩模部件140、150可装卸地安装于第1、第2基板20、30。实际上，第1、 第2基板20、30上同时形成有多个滤光器10，粘贴后分开成各个滤光器10，此时，具有多个开口 142、152的第1、第2掩模部件140、150逐个安装在第1、第2基板20、30上即可。第1、第2掩模部件140、150可以紧贴在第1、第2基板20、30的最外层，但是为了防止最外层损伤，也可以不与最外层接触。
3. 4.第1、第2基板的接合工序赋予活化能后，进行第1、第2基板20、30的调整，如图12所示，将第1、第2基板 20、30重叠，并施加荷重。此时，如上所述，赋予活化能后的第1、第2接合膜100B、110B的活性键(未结合键)304彼此键合，将第1、第2接合膜100、110牢固地接合。由此，第1、第 2基板20、30彼此的接合完成。之后，形成图1所示的第1电极引出部64、和用于将第2电极70与外部连接的第2电极引出部74，滤光器10完成。4.分析设备图13是表示使用了本发明所涉及的作为接合体的滤光器的分析设备的一例即测色仪的大致构成的框图。在图13中，测色仪200具备光源装置202、分光测定装置203和测色控制装置204。 该测色仪200从光源装置202向检测对象A射出例如白色光，使由检测对象A反射的光即检测对象光入射到分光测定装置203。接着，用分光测定装置203对检测对象光进行分光， 实施对分光后的各波长的光的光量进行测定的分光特性测定。换言之，使由检测对象A反射的光即检测对象光入射到滤光器(标准具)10，实施对从标准具10透射的透射光的光量进行测定的分光特性测定。接着，测色控制装置204基于所得到的分光特性，对检测对象A 的测色处理，即，对什么波长的颜色含量多少进行分析。光源装置202具备光源210、多个透镜212(图13中仅记载了一个)，将白色光向检测对象A射出。另外，多个透镜212包括准直透镜，光源装置202利用准直透镜将从光源 210射出的白色光变成平行光，从未图示的投射透镜向检测对象A射出。分光测定装置203如图13所示，具备标准具10、作为受光元件的受光部220、驱动电路230和控制电路部M0。另外，分光测定装置203在与标准具10对置的位置具备将由检测对象A反射的反射光(测定对象光)导入内部的未图示的入射光学透镜。受光部220由多个光电交换元件构成，产生与受光量对应的电信号。并且，受光部 220与控制电路部240连接，将产生的电信号作为受光信号输出到控制电路部M0。驱动电路230与标准具10的第1电极60、第2电极70及控制电路部240连接。 该驱动电路230基于从控制电路部240输入的驱动控制信号，在第1电极60及第2电极70 间施加驱动电压，使第2基板30移动到规定的变位位置。作为驱动电压，以在第1电极60 和第2电极70之间产生所需电压的方式施加即可，例如可以对第1电极60施加规定电压， 将第2电极70作为地电位。作为驱动电压，优选使用直流电压。控制电路部240对分光测定装置203的整体操作进行控制。该控制电路部240如图13所示，由例如CPU250、存储部260等构成。而且，CPU250基于在存储部沈0中存储的各种程序、各种数据实施分光测定处理。存储部260具备例如存储器或硬盘等存储介质而构成，可以将各种程序、各种数据等适当地读出并存储。此处，存储部沈0中，作为程序存储了电压调整部、间隙测定部沈2、光量识别部263及测定部沈4。另外，间隙测定部262如上述也可以省略。另外，存储部260中存储了与用于调整第1间隙Gl的间隔而施加于静电驱动器80 的电压值和施加该电压值的时间相关联的电压表数据265。测色控制装置204与分光测定装置203及光源装置202连接，实施光源装置202 的控制、基于由分光测定装置203取得的分光特性的测色处理。作为该测色控制装置204，可以使用例如通用的个人电脑、便携式信息终端、除此之外还有测色专用电脑等。而且，测色控制装置204如图13所示，具备光源控制部272、分光特性取得部270 及测色处理部271等而构成。光源控制部272与光源装置202连接。并且，光源控制部272基于例如利用者的设定输入，对光源装置202输出规定的控制信号，使规定亮度的白色光从光源装置202射出。分光特性取得部270与分光测定装置203连接，取得从分光测定装置203输入的分光特性。测色处理部271基于分光特性实施对检测对象A的色度进行测定的测色处理。例如，测色处理部271将从分光测定装置203取得的分光特性图形化，实施向未图示的打印机、显示器等输出装置进行输出等的处理。图14是表示分光测定装置203的分光测定操作的流程图。首先，控制电路部240 的CPU250使电压调整部沈1、光量识别部263及测定部264启动。另外，作为CPU250的初始状态，将测定次数变量η初始化(设定为η = 0)(步骤Si)。另外，测定次数变量η取0 以上的整数值。然后，测定部264在初始状态、即未对静电驱动器80施加电压的状态下，对透射标准具10的光的光量进行测定(步骤S2)。需要说明的是，该初始状态下的第1间隙Gl的大小，例如可以在制造分光测定装置时预先进行测定并存储在存储部260中。而且，将此处得到的初始状态的透射光的光量及第1间隙Gl的大小输出到测色控制装置204。接着，电压调整部261读取在存储部沈0中存储的电压表数据沈5 (步骤。另外，电压调整部261在测定次数变量η上加上“1” (步骤S4)。然后，电压调整部261从电压表数据265取得与测定次数变量η对应的第1、第2 电极60、70的电压数据及电压施加期间数据(步骤S5)。而且，电压调整部对驱动电路 230输出驱动控制信号，实施按照电压表数据沈5的数据来驱动静电驱动器80的处理(步骤 S6)。另外，测定部264在施加时间经过时机实施分光测定处理(步骤S7)。S卩，测定部 264利用光量识别部263来测定透射光的光量。另外，测定部264对将分光测定结果向测色控制装置204输出进行控制，所述分光测定结果是与测得的透射光的光量和透射光的波长关联的。需要说明的是，光量的测定可以如下进行，即，预先将多次或所有次数的光量数据存储于存储部260中，在取得多次光量的数据或全部光量的数据后，综合，就得到各自的光量。然后，CPU250对测定次数变量η是否达到最大值N进行判断(步骤S8)，如果判断测定次数变量η为N，则结束一系列的分光测定操作。另一方面，在步骤S8中，当测定次数变量η小于N时，返回步骤S4，实施在测定次数变量η上加上“ 1 ”的处理，重复步骤S5 步骤S8的处理。5.光设备图15是表示本发明涉及的使用了作为接合体的滤光器的光设备的一例即波分复用通信系统的发报机的大致构成的框图。在波分复用(WDM Wavelength Division Multiplexing)通信中，利用波长不同的信号互不干涉的特性，将波长不同的多个光信号在一根光纤内多重使用，不增设光纤线路就能够使数据的传送量提高。
在图15中，波分复用发报机300具有来自光源310的光所入射的滤光器10，多个波长λ 0、λ 1、λ 2、...的光从滤光器10透射。每个波长都设置发报机311、312、313。将来自发报机311、312、313的多通道的光脉冲信号用波分复用装置321复合成一个信号，然后输送到一根光纤传送路331。本发明可以同样地应用于光码分复用(OCDM =Optical Code Division Multiplexing)发报机。OCDM利用符号化的光脉冲信号的图案匹配来识别通道，这是因为构成光脉冲信号的光脉冲包含不同波长的光成分。上面对几个实施方式进行了说明，但本领域技术人员可以容易地理解在实质上不脱离本发明的范围及效果的很多变形例都是可行的。因此，这种变形例全部包括在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，至少一次与更广义或意义相同的不同用语一起记载的用语，在说明书或附图中的所有位置都可以替换成其不同的用语。
权利要求
1.一种滤光器的制造方法，其特征在于，包括准备第1基板的工序，所述第1基板具有第1反射膜、和位于所述第1反射膜周围的第 1接合区域，在所述第1反射膜形成第1阻隔膜，并在所述第1接合区域形成第1接合膜的工序，准备第2基板的工序，所述第2基板具有第2反射膜、和位于所述第2反射膜周围的第 2接合区域，在所述第2反射膜形成第2阻隔膜，并在所述第2接合区域形成第2接合膜的工序，隔着第1掩模部件，向所述第1接合膜照射臭氧或紫外线的第1照射工序，隔着第2掩模部件，向所述第2接合膜照射臭氧或紫外线的第2照射工序，和接合所述第1接合膜与所述第2接合膜而使所述第1基板与所述第2基板粘贴的工序；在所述第1照射工序中，第1掩模部件在所述第1接合区域的上方具有第1开口部，所述第1掩模部件的一部分位于所述第1反射膜的上方。
2.根据权利要求1所述的滤光器的制造方法，其中，在所述第2照射工序中，所述第2 掩模部件在所述第2接合区域的上方具有第2开口部，所述第2掩模部件的一部分位于所述第2反射膜的上方。
3.根据权利要求1或2所述的滤光器的制造方法，其中，所述第1阻隔膜与所述第1接合膜由同一工序形成，所述第2阻隔膜与所述第2接合膜由同一工序形成。
4.根据权利要求1或2所述的滤光器的制造方法，其中，所述第1阻隔膜的材料与所述第1接合膜的材料不同，所述第2阻隔膜的材料与所述第2接合膜的材料不同。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的滤光器的制造方法，其中，在所述第1照射工序中，所述第1掩模部件与第1阻隔膜分开设置，在所述第2照射工序中，所述第2掩模部件与所述第2阻隔膜分开设置。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的滤光器的制造方法，其中，在形成所述第1接合膜的工序中，所述第1接合膜含有具有硅氧烷键的Si骨架、和与所述Si骨架键合的离去基团，在形成所述第2接合膜的工序中，所述第2接合膜含有具有硅氧烷键的Si骨架、和与所述Si骨架键合的离去基团，通过所述第1照射工序，从所述第1接合膜的所述Si骨架脱离所述离去基团而形成未结合键，通过所述第2照射工序，从所述第2接合膜的所述Si骨架脱离所述离去基团而形成未结合键，在使所述第1基板与所述第2基板粘贴的工序中，通过所述第1接合膜的所述未结合键与所述第2接合膜的所述未结合键的键合，所述第1接合膜与所述第2接合膜接合。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的滤光器的制造方法，其中，在准备所述第1基板的工序中，所述第1基板在所述第1反射膜与所述第1接合区域之间的区域形成有第1电极，在准备所述第2基板的工序中，所述第2基板在所述第2反射膜与所述第2接合区域之间的区域形成有第2电极。
8.一种分析设备，其特征在于，包含用权利要求1 7中任一项所述的滤光器的制造方法制造的滤光器。
9.一种光设备，其特征在于，包含用权利要求1 7中任一项所述的滤光器的制造方法制造的滤光器。
全文摘要
本发明的滤光器的制造方法是在形成有第1反射膜的第1基板的第1接合区域形成第1接合膜，在形成有第2反射膜的第2基板的第2接合区域形成第2接合膜，隔着第1掩模部件向第1接合膜照射臭氧或紫外线，隔着第2掩模部件向第2接合膜照射臭氧或紫外线，接合第1接合膜与第2接合膜而使第1基板与第2基板粘贴，从而在制造时保护反射膜免受臭氧或紫外线的影响，抑制反射膜的恶化。
文档编号G01J3/46GK102193185SQ20111006493
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月14日 优先权日2010年3月15日
发明者山崎成二 申请人:精工爱普生株式会社