专利名称：放射图像检测设备及其制造方法
技术领域：
本发明涉及放射图像检测设备以及制造在医学放射图像设备中使用的放射图像检测设备的方法等。
背景技术：
使用放射图像检测设备的DR (数字射线照相术)，例如将放射图像例如X射线图像转换为数字数据的FPD (平板检测器)，最近已付诸实践。当与相关技术的使用由光激发荧光体(累积突光体(accumula tive phosphor))制成的成像板的CR(计算机射线照相术)系统相比时，放射图像检测设备具有能够立即确定图像的优点。因此，DR迅速激増。已经提出各种类型的放射图像检测设备。放射图像检测设备之ー是已知的间接转换类型。此类放射图像检测设备通过闪烁器，例如CsI:Tl闪烁器和GOS(Gd2O2S = Tb)闪烁器，将X辐射临时转换成可见光，半导体层将可见光转换成电荷，积累由此产生的电荷(例如，见专利文献 1(JP-A-2011-17683))。在结合专利文献I描述的X射线图像检测设备中，闪烁器被曝光于光电检测单元方向上施加的X放射线。在此构成中，闪烁器的X射线进入侧的主要光发射区与光电检测単元之间距离短，从而可以获得高分辨率检测图像。同时，布置于闪烁器的X射线进入侧的光电检测単元的基板无法避免地吸收X辐射，造成了进入闪烁器的X辐射量減少的问题。通过包含各自由a-Si等形成的光电ニ极管(PD)和TFT (薄膜晶体管)构建所述光电检测単元。无碱玻璃通常用于支持ro和TFT的基板。这样做的原因是当使用钠玻璃时，在高温时形成a-Si膜期间a-Si可能被源于玻璃的Na污染，可能从而使元件的性能变坏。然而，无碱玻璃比钠玻璃更加昂贵且比钠玻璃吸收更大量的X辐射。例如，当通过将具有2_的铝当量的滤波器应用于光电检测単元使用在50kV的管电压产生的X射线成形波束时，无碱玻璃基板显示的X射线吸收因子高达16. 8%。具体地，光到达闪烁器，而照射光电检测単元的X辐射的15%或更多由于基板吸收X辐射而损失。如上所述，当考虑维持a-Si膜的性能时，使用无碱玻璃作为基板是十分必要的。由于基板吸收X辐射，不可避免进入闪烁器的X辐射量大大降低。具体地，当闪烁器被曝光于从光电检测単元方向发出的X放射线时产生的高图像质量特征降低。专利文献2 (JP-A-2009-133837)和专利文献 3 (JP-A-2008-235649)描述了在通过在基板上形成传感器而形成光电检测単元之后剥离和去除基板。由于基板引起辐射的吸收，因此这种包括不具有基板的光电检测単元的放射图像检测设备可以说是优选的。
发明内容
然而，与使用从光电检测单元的方向发出的X辐射照射闪烁器的放射图像检测设备的类型有关，如果从光电检测単元剥离基板，如结合专利文献2和3所描述，可能产生例如下面所述的新问题。即，如果不能維持光电检测単元的強度，则将对光电检测単元造成损害。外部空气中包含的湿气将腐蚀光电检测单元。可选地，由于薄的光电检测単元，湿气渗透将使闪烁器的性能恶化。存在解决伴随剥离基板的这些问题的需求，从而更大程度地增强图像质量。本发明的ー个目的是提供能够解决包括无基板光电检测単元的放射图像检测设备中存在的缺点且减少光电检测单元吸收的辐射程度从而能够增加进入闪烁器的辐射量的放射图像检测设备；放射图像检测设备的制造方法；以及具有放射图像检测设备的放射成像暗盒。根据本发明的一方面，提供一种用于制造放射图像检测设备的方法，所述放射图像检测设备具有闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧，所述方法包括光电检测 単元产生过程，将显示出比基板显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的保护部件层叠在基板上，在保护部件上形成将荧光检测为电信号的薄膜部，从而产生所述光电检测单元；基板剥离-去除过程，从保护部件剥离和除去基板；以及整合过程，在基板剥离-去除处理之前或之后将先前产生的闪烁器和光电检测单元整合在一起。根据本发明的另一方面，提供一种用于制造放射图像检测设备的方法，所述放射图像检测设备具有闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧，所述方法包括光电检测単元产生过程，将显示出比基板显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的保护部件层叠在基板上，在保护部件上形成将荧光检测为电信号的薄膜部，从而产生所述光电检测单元；闪烁器产生过程，用于在光电检测単元的薄膜部上形成闪烁器，并且在闪烁器的相对于面对薄膜部的一侧的另ー侧上放置支持部件；以及基板剥离-去除过程，从在闪烁器产生过程中与闪烁器整合的保护部件剥离和除去基板。根据本发明的另一方面，提供ー种放射图像检测设备，其包括闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧上，其中，所述光电检测単元包括由显示出比玻璃材料显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的低辐射吸收材料形成的保护部件；以及在保护部件的面对闪烁器的ー侧上形成的且将荧光检测为电信号的薄膜部。根据本发明的另一方面，提供ー种放射成像暗盒，其包括放射图像检测设备；壳体，所述壳体具有用于在其上放置被摄体的顶板，且以薄膜部经由保护部件与顶板的背面相对的方式容纳所述放射图像检测设备。使用上述的过程或过程，所述光电检测单元具有保护膜。即使剥离光电检测单元的基板，也将保护薄膜部。这种保护部件的存在能够保护薄膜部不受外部空气中的湿气、负载等的影响。具体地，解决了从光电检测単元剥离基板导致的缺陷。因此，可以充分地发挥通过构成产生的图像质量增强效果，在此构成中，闪烁器被曝光于从光电检测単元的方向施加的放射线。另外，使用具有低辐射吸收因子的保护部件。因此，可以将在闪烁器的辐射进入侧实现的辐射吸收抑制到尽可能小的程度，因此，进入闪烁器的辐射量増加。因此，可以实现检测图像的图像质量的最大化。此外，在放射图像检测设备的制造期间在基板与薄膜之间夹有保护部件，可以防止基板的影响(钠污染等)引起的薄膜部的性能恶化。结合上述内容，通过辐射经由光电检测单元进入闪烁器的构成可以实现图像质量的进ー步增强。
图I是示意性示出X射线成像暗盒的一般构成的侧横截面视图；图2是示意性示出光电检测单元的一般构成的侧横截面视图；图3是示意性示出光电检测单元的构成的平面图；图4是示意性示出闪烁器的晶体结构的侧横截面视图；图5是示出闪烁器的柱状晶体的横截面的
图6是示出闪烁器的非柱状晶体的横截面的电子显微镜照片(SEM图像)；图7是示意性示出在剥离基板之前实现的光电检测单元的构成的侧横截面视图；图8是示意性示出图7所示的光电检测単元与置于支持件上的闪烁器整合在一起的侧横截面视图；图9是示出从光电检测单元剥离基板的过程的侧横截面视图；图10是示意性示出暗盒壳体中容纳的X射线图像检测设备的侧横截面视图；图11是示出保护部件的变型例的侧横截面视图；图12是示出由聚对ニ甲苯等制成的保护膜的变型例的侧横截面视图；图13是示意性示出与图I所示不同的X射线成像暗盒的一般构成的侧横截面视图；图14是示出光电检测单元的薄膜部的变型例的示意图；以及图15是示出光电检测単元的薄膜部的另ー变型例的示意图。
具体实施例方式下面通过參考图I至图10描述用于解释本发明的实施方式的示例X射线图像检测设备。与先前描述的构成类似的构成被分配了相同的标号，并且为了简明省略或简化了其重复解释。[I.整体构成]图I是示意性示出间接转换类型的X射线成像暗盒100的一般构成的侧横截面视图。暗盒100具有X射线图像检测设备I和用于容纳X射线图像检测设备I的壳体60。X射线图像检测设备I配置有闪烁器10，其包括荧光物质，在被曝光于X放射线时发出荧光(由图I中所示的轮廓箭头所示)；光电检测単元50，其布置于闪烁器10的X射线进入侧且将从闪烁器10发出的荧光检测为电信号；以及控制模块70，其与闪烁器10的X射线进入侧相对布置。控制模块70包括电路板，在该电路板上实现作为控制模块用于激活和控制光电检测单元50的IC ;用于处理图像信号等的IC ;以及电源电路。以整合方式将控制模块70组装到闪烁器10和光电检测単元50中。壳体60容纳闪烁器10、光电检测単元50和控制模块70。与示意性示图的图I所示的相比，闪烁器10的厚度和光电检测単元50的厚度较小，形成的壳体也比图I中所示的对应部分薄。因此，壳体60具有顶板60A，在顶板60A上，放置被摄体，按照光电检测単元50与顶板60A的背面相対的方式放置X射线图像检测设备I。[2.光电检测单元的配置]
图2是示意性示出光电检测単元50的侧横截面视图。图3是示意性示出以ニ维布局排列元件的光电检测单元50的构成。光电检测単元50具有保护部件49和形成于保护部件49上的薄膜部40。(薄膜部的构成)薄膜部40包括由硅等制成的H)(光电ニ极管)41 ;以及TFT 42，TFT 42是由硅等制成的薄膜开关元件。如图2所示，在光电检测单元50的厚度方向上，PD 41和TFT 42分别地一一彼此叠置。PD 41具有光电导层，将经由闪烁器10进入的光(由图2中的实线箭头所指示)转换成电荷。每个ro 41被布置为对应于光电检测单元50检测到的图像的像素。如图3所示，每个ro 41配置有TFT 42、栅极线43和数据线44。各个栅极线43和各个数据线44延伸到连接终端45，且进一歩通过柔性布线46连接到控制模块70的电路板，所述柔性布线46如连接到连接终端45的各向异性导电膜。各个TFT 42利用经由栅极线43从电路板上实现的控制块发送的控制信号，以列为単位在接通和关断之间切換。通过数据线44，电路板上的信号处理块读取其相应TFT 42保持在接通位置的各个H) 41中的电荷作为图像信号。以列为单位顺序地读取各个H) 41中的电荷，从而检测ニ维图像。在图2中，通过平坦化层(由树脂制成的膜)47在厚度方向上使光电检测単元50的两侧平滑。优选地，提供具有平坦化层47的光电检测単元50。然而，也可以省略平坦化层47。通过粘接层48将光电检测单元50结合到闪烁器10。可以在闪烁器10和光电检测単元50之间不插入粘接层48也不插入平坦化层47。也可以压紧抵靠闪烁器10且使其与光电检测単元50的表面实现紧密直接接触。关于构成置于光电检测单元50与闪烁器10之间的平坦化层和粘接层的树脂以及构成匹配油层的透明液体或胶体的树脂层，对树脂没有特定限制，只要树脂能够使从闪烁器10发出的闪烁光在基本不衰减的情况下到达光电检测单元50。聚酰亚胺、聚对ニ甲苯等是可以用作构成平坦化层的树脂，显示出膜形成便利性的聚酰亚胺是优选的。用于构成粘接层的优选的粘合剂是对从闪烁器10发出的闪烁光显示出光学透明的ー种粘合剂，例如，热塑性树脂、紫外光固化粘合剂、热固化粘合剂、室温固化粘合剂、双面粘合剂基板等。从防止图像锐度恶化的角度看来，使用由低粘度环氧树脂制成的粘合剂是优选的，原因是，环氧树脂可以形成相对于光电检测単元50的像素尺寸足够薄的粘接层。从灵敏度和图像质量的角度看来，由树脂制成的粘接层例如平坦化层和粘接层的厚度，优选为50微米或者更小。更优选地，厚度为5微米至30微米。(保护部件的构成)保护部件49布置于薄膜部40的X射线进入侧。保护部件49由低X射线吸收材料制成，该低X射线吸收材料显示出比玻璃材料显示的X射线吸收率更低的X射线吸收率且显示出比此后描述的基板51的X射线吸收率更低的X射线吸收率。保护部件49对于在60kV的管电压下产生的X辐射的铝当量在I. 8mm以下。此处，铝当量是示出当X射线吸收率与铝的透明度进行比较时获得的铝板(纯度99%或更高)厚度的指标。当测量铝当量时，作为测试目标的部件通常放置在与X射线源间隔开I至2米的位置处，并且在X射线源与所述部件之间没有阻碍的情况下测量通过所述部件的X辐射量。根据X射线图像检查设备的使用条件，设想吸收X辐射的另一部件放置在保护部件49的X射线进入侧。因此，在考虑所述部件和保护部件49吸收的X辐射的总量的情况下，保护部件49的铝当量(在60kV的管电压下)优选地为I. Omm或更小。同时，保护部件49用于支持薄膜部40，因此需要给定的強度。允许这一点和被摄体的曝光剂量減少，对于在60kV的管电压产生的X辐射，保护部件49的优选铝当量优选为O. Imm 至 I. Omnin
尽管在此将保护部件的X射线吸收能力限定为如上所述的对于在60kV的管电压下产生的X辐射的铝当量，但是不言而喻，可以从在上述要求下获得的铝当量计算对于在不同于60kV的管电压(例如，80kV)下产生的X辐射的铝当量。可以根据JESRA标准(辐射设备的日本工程标准)测试X辐射的吸收率。例如，还可以在与JESRA规定的要求类似的80kV、2mA和40秒的情况下进彳丁招当量的测量。此外，当如图I所示将X射线图像检测设备I容纳在壳体60中制成X射线成像暗盒时，当使用壳体60的顶板60A和保护部件49两者时实现的铝当量(60kV的管电压)优选为1.8mm以下。更优选地,招当量为O. Imm至I. 0mm。可以基于在顶板60A和保护部件49保持叠置关系的同时从X射线源发出的X辐射依次通过顶板60A和保护部件49之后实现的X辐射量，測量使用壳体60的顶板60A和保护部件49两者时实现的铝当量(在60kV的管电压下)。可选地，可以分别測量通过顶板60A实现的铝当量和通过保护部件49实现的铝当量，也可以确定測量值的总和。在考虑施加的X辐射能量的情况下分别确定通过保护部件49实现的铝当量以及通过顶板60A实现的铝当量。例如，在应用乳腺X射线照相术的情况下，施加的X辐射的能量通常低至28keV或其附近。当与施加较高能量的X辐射的情况相比，优选地，将保护部件49的铝当量以及顶板60A的铝当量设置为相对较低的值。只要保护部件49对于在60kV的管电压下产生的X辐射的铝当量在I. 8mm以下，对用于构成保护部件49的低X辐射吸收材料没有任何特定的限制。然而，使用金属(包括金属化合物和合金)和/或树脂是优选的。优选的金属包括至少ー种単独的金属，例如Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及其金属合金。可以通过使用Mg、Cr、Zr、Ti和Mn中的至少ー种作为保护部件49的金属材料来增强薄膜部40的耐腐蚀性。通过这种铝合金的表面处理在所述铝合金的表面上形成氧化铝(Al2O3)等，从而可以进ー步增强薄膜部40的耐腐蚀性。优选的树脂是聚酰亚胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺(所有芳香族聚酰胺)。可以用于保护部件49的单独树脂膜包括例如，透明聚酰亚胺膜、聚烯丙基化物(polyallylate) (PAR)膜、OPS (注册商标)膜(聚苯こ烯膜)、芳族聚酰胺膜等。所有这些膜产生的优点是低X射线吸收率和高耐热性。由Tosoh公司制造的产品和Asahikasei化工公司制造的产品被称为OPS膜，并且这些膜显示出优异的机械强度(刚度)和低吸水率的优点。优异的机械强度有利于在基板51剥离之后支持薄膜部40。此外，低吸水率有利于防止薄膜部40和闪烁器10的腐蚀和恶化。关于保护部件49的耐热温度，透明聚酰亚胺膜具有约300摄氏度的耐热温度；聚烯丙基化物膜具有约175摄氏度的耐热温度；OPS膜具有约250摄氏度的耐热温度；芳族聚酰胺膜具有约200摄氏度或更高的耐热温度。这些高耐热温度在闪烁器置于保护部件49上的情况下(见图13)特别有效。可以仅用金属或树脂或者组合使用金属和树脂如包括分散金属颗粒的树脂形成保护部件49。此外，可以将保护部件49形成为单层或者两层或更多层，如图11所示。此夕卜，保护部件49优选是反射从闪烁器10发出的荧光的光反射部件。根据构成保护部件49的低X射线吸收材料，保护部件49的优选厚度通常为O. Olmm至1mm。只要保护部件49的厚 度小于此后描述的基板51的厚度,置于顶板60A上的被摄体与薄膜部40之间的距离可以做得更短，从而可以促进图像质量的增强。通过光刻处理等在保护部件49上制作构成薄膜部40的多个H) 41和多个TFT42。在薄膜部40和保护部分49之间不存在粘接层，薄膜部40与保护部件49的表面保持紧密接触。顺便提及，在制造X射线图像检测设备I的过程中，在保护部件49保持层叠在基板51上时，在保护部件49的与面对基板51的一侧相对的另ー侧上形成薄膜部40(图7)。随后，将保护部件49从基板上剥离。换句话说，将基板51从保护部件49剥离且移除。形成保护部件49的与形成薄膜部4 一侧相对的另ー侧，其对应于从基板51剥离保护部件49时获得的保护部件49的剥离侧。去除基板51的结果是，进入闪烁器10的X辐射量增减。在剥离基板51的状态下，由保护部件49支持薄膜部40。基板51是制造保护部件49的辅助部件，在一些阶段被剥离。为此原因，当然地，在不考虑X射线吸收的情况下可以适当地确定基板51的材料。在保护部件49上形成薄膜部40，并且薄膜部40不受到基板51的材料的不利影响；即，钠污染。因此，也可以考虑使用廉价的钠玻璃用于基板51。由于不需要考虑基板51引起的X辐射的吸收，可以通过増加基板51的厚度在制造期间保证处理足够便利。此外，由于基板剥离使得因此剥离的基板51可以重复利用，可以降低成本。在产生从基板剥离带来的上述效果的同吋，由于在薄膜部40上提供保护部件49，可以增强薄膜部40。因此，可以保证制造期间需要的強度或者X射线成像暗盒100的使用。由于X射线成像暗盒100将经受高概率的下落冲击(drop impact)，保证耐冲击性很重要。此外，对于暗盒顶板60A施加的负载保证承受负载也是重要的。由于在薄膜部40上设置保护部件49，因此使得薄膜部40和闪烁器10耐湿气，例如外部空气中的水含量。因此，可以防止薄膜部件40的腐蚀以及闪烁器10的性能的恶化。尽管也可以对于多个像素提供一个保护部件49，但是从增强角度看来以整合方式在整个薄膜部40上提供保护部件49是优选的。如上所述，轻质金属，例如铝或者树脂可以用作保护部件49的材料。当由铝形成保护部件49且其用作光反射部件时，可以向ro 41反射在已经通过ro 41之后落到保护部件49上的光。因此增加了入射到ro 41上的光量，从而可以增强检测灵敏度。当为了将保护部件49形成为反射部件的目的将例如铝的金属用于保护部件49时，在导热方面，金属部件高于玻璃基板。因此，可以防止从被摄体到光电检测単元50的热传播引起的图像中的不均匀。具体地，支持光电检测単元的玻璃部件中的热不均匀(热量不均匀)将造成图像形成区中ro 41的温度不均匀，进而造成性能的不均匀。为了这些理由，采用显示出优异导热性的金属部件作为保护部件，从而可以增强图像质量。当由単独的金属，例如铝或其合金制成保护部件49时，保护部件49显示出密封薄膜部40的高效果。具体地，通过使用该保护部件49，可以容易保证薄膜部40的气密性和水密性。因此，可以充分防止湿气吸收导致的闪烁器10的性能恶化。[3.闪烁器的构成]闪烁器10置于由例如铝的材料制成的反射光的支持件11上。支持件11不仅限于由铝制成的板。可以从碳板、CFRP(碳纤维增强塑料)、玻璃板、石英板、蓝宝石板等适当地选择用于支持件11的任何材料。只要在支持件的表面上形成闪烁器，支持件11不特别局限于这些板。然而，当支持件11也兼用作光反射部件时，最好使用例如铝的轻质金属作 为支持件的材料。由于在X射线图像检测设备I的与X射线进入侧相对的另ー侧上放置支持件11，因此可以由显示出低X射线透射率的材料形成支持件11。此处，对于X射线图像检测设备1，支持件11不是必须的。具体地，在支持件11上形成并沉积闪烁器之后，闪烁器可以在从支持件11剥离的同时使用。也可以在闪烁器10的与面对光电检测单元50 —侧相对的另ー侧上设置光反射部件。使用由聚对ニ甲苯等制成的保护膜30覆盖闪烁器10。通过气相沉积技术形成保护膜30，且保护膜30密封支持件11上的闪烁器10。通过气相沉积由聚对ニ甲苯制成的保护膜显示出优异的柔性以及与闪烁器10优异的粘接性。因此，在支持件11和保护部件49中，保护膜显示出对于翅曲的追踪性(followability to warpage)。只要通过另一方式，例如以气密和水密方式用防湿膜包裹闪烁器10，对闪烁器进行防湿保护，则可以省略保护膜30。由通过使荧光材料生长为柱状形成的柱状晶体组制成闪烁器10，CsI: Tl (铊激活的碘化铯)用作荧光材料。另外，NaIiTl (铊激活的碘化钠)、CsI :Na(钠激活的碘化铯)等也可以用作闪烁器10的荧光材料。使用CsI:Tl作为材料是优选的，原因是，发光发射谱符合a-Si光电ニ极管的光谱灵敏度的局部极大值(约550nm)。闪烁器10不包括任何柱状晶体也是可能的。此外，也可以通过使用例如GOS [Gd2O2S: Tb (铽激活的钆硫氧化物)]涂布支持件来形成闪烁器。现在，期望通过气相沉积形成闪烁器10。气相沉积的一般描述如下。也就是说，通过如激发在环境中或在O. 01至IOPa的真空度下在电阻加热坩埚中加热作为基础材料的CsI，直到CsI蒸发。类似地，通过如激发在环境中或在O. 01至IOPa的真空度下在电阻加热坩埚中加热作为活化剂的Tl，直到Tl蒸发。支持件11的温度被设置为室温(20摄氏度)至300摄氏度，从而CsI = Tl沉积在支持件11上。可以通过改变真空度、支持件的温度、沉积率等控制闪烁器10的形状、尺寸和孔隙率。图4是示意性示出闪烁器10的结晶结构的侧横截面视图。闪烁器10包括由ー组柱状晶体12A形成的柱状部12以及在柱状晶体12A的基端形成的包括非柱状晶体13A的非柱状部13。在高度方向(晶体生长的方向)由柱状晶体12A引导当闪烁器被曝光于X放射线时从闪烁器10发出的荧光，因此其进入光电检测単元50。此时，通过非柱状部13和支持件11反射向支持件11传播的光，因此其进入光电检测单元50。
[柱状部的构成]柱状部12是多个柱状晶体12A的聚集体。在图4所示的示例中，各个柱状晶体12A在支持件11上基本保持竖直。柱状晶体12A的前端形成为收缩形状。各个柱状晶体12A的前端也可以被研磨。多个柱状晶体12A与光电检测单元50的一个像素(ー个H) 41)相对。在结晶性能方面柱状晶体12A优于非柱状晶体且柱状晶体12A发射大量荧光。通过空隙彼此邻接的柱状晶体12A在闪烁器的厚度方向直立，因此，柱状晶体12A作为光导，因此在圆柱的高度方向引导光。由于柱状晶体12A的光导效果防止了像素之间产生的光的散射，使检测的图像鲜鋭。图5是示出沿图4中所示的截面A_A(即，在高度方向基本在中心得到的柱状部12的截面)的柱状部12的电子显微镜照片。相邻柱状晶体12A之间存在空隙(在图5中密集地看出)。柱状晶体12A相对于晶体生长方向具有基本均匀的截面直径。在柱状部12 的一部分区域中相邻柱状晶体12A彼此连接，从而构成整合柱状体(例如，见图5中的标记P)。在考虑与要求的灵敏度相应的X射线吸收能力的情况下，对于乳房X射线照相术应用，将柱状部12的厚度设置为约200微米的值，对于一般照相术，将柱状部12的厚度设置为500微米或更大的值。然而，当柱状部12太厚吋，荧光的使用效率将可能因为光吸收或散射而降低。为此，在考虑灵敏度和荧光的使用效率的情况下将柱状部12的厚度设置为适当值。[非柱状部的构成]非柱状部13包括基本为球形或不定形非柱状晶体13A。非柱状晶体13A通常包括无定形(非结晶)部分。考虑到晶体之间容易保持空隙和增强反射效率的能力，非柱状晶体13A的优选形状基本为球形。具体地，优选从基本为球形晶体的聚集体形成非柱状部13 (非柱状晶体13A基本为球形晶体)。图6是示出沿图4中所示的截面B-B (即，在厚度方向在非柱状部13的基端侧的截面)的非柱状部13的电子显微镜照片。在非柱状部13中，在直径上小于图5中所示的柱状晶体12A的非柱状晶体13A彼此不规则接合和重叠。观察到晶体之间的非常少数的明确空隙。图6中所示的空隙在数量上少于图5中所示的空隙。图5和图6中所示的观察结果明确示出非柱状部13的孔隙率低于柱状部12的孔隙率。根据支持件11上的非柱状部13的沉积面积、非柱状部13的厚度，CsI密度和实际测量的闪烁器面板的重量来计算非柱状部13的孔隙率。由此计算的非柱状部13沿其厚度方向整体所得的的孔隙率是10%或更小。非柱状部13是在沉积的初始阶段形成在支持件11上的区域。与支持件11的表面接触的非柱状部13的区域的孔隙率是O或者接近O。非柱状部13的基端仍然沿整个接触面与支持件11紧密接触。非柱状部13的厚度小于柱状部12的厚度，优选为5微米至125微米。具体地，为了保证与支持件11的粘接，非柱状部13的厚度应当优选为5微米或更大。如果不显示出任何光导效果的非柱状部13的厚度太大，则在非柱状部13的像素之间光彼此穿过，其上，图像可能变得模糊。为此，优选非柱状部13的厚度小于125微米。此外，非柱状部13的足够厚度是实现粘接到支持件11且实现光反射能力的最小值。取决于制造条件等，非柱状部13也可以被构成为多个堆叠的层而不是单个层。在此情况下，非柱状部13的厚度是指从支持件11的表面到非柱状部13的最顶面的距离。
关于晶体保持彼此粘接时实现的晶体直径的测量，如在非柱状部13的情况中，互连在邻接的非柱状晶体13A之间存在的凹痕(凹部)的线被认为是晶粒边界。保持彼此粘接的晶体按照形成最小多边形的方式彼此分开，并且测量晶体的直径。如在柱状部12的柱状晶体12A的直径的情况中，确定测量的晶体直径的平均值，并且采用该平均值。从有效反射性能和粘接到支持件11的角度看来，非柱状部13的非柱状晶体13A的优选直径为O. 5微米至7. O微米。非柱状晶体13A的直径小于柱状晶体12A的直径。由于容易维持晶体的基本为球形的形状，因此对于非柱状晶体13A，较小直径是优选的。然而，如果非柱状晶体13A的直径太小，则孔隙率将接近0，并且非柱状部13将不充当光反射层的角色。为此，非柱状晶体13A的优选直径是O. 5微米或更大。相反，如果非柱状晶体13A的直径太大，则非柱状部13的平坦度和表面积将减小，进而可能造成与支持件11的粘接的退化。此外，晶体将彼此连接，从而减小孔隙率且使反射效果恶化。为此，非柱状部13的优选晶体直径是7. O微米或更小。由于形成这种非柱状部13，在将非柱状部13作为基础的同时，可以使柱状晶体12A在优异的结晶状态下生长。在考虑光反射特征和与支持件11的粘接的情况下，确定非柱状晶体13A的直径、厚度和孔隙率。由于通过提供非柱状部13增强了支持件11与闪烁器10之间的粘接，因此即使从控制模块70发出的热传播到闪烁器10，闪烁器10也不太可能从支持件11掉落。例如，有机光电转换(OPC)材料、有机TFT、使用非晶氧化物的TFT (例如，IGZ0)和柔性材料(芳族聚酰胺和生物纳米纤維)等可以用于光电检测器単元50(包括保护部件49)、支持件11等。稍后将描述这些器件相关材料。[4.制造X射线图像检测设备和X射线成像暗盒的方法]通过參考图7至图10，现在给出对制造具有上述各种构成的X射线图像检测设备I的示例方法的解释。在制造X射线图像检测设备I吋，使用例如图7所示的层叠产品55。在制造层叠产品55期间，通过用溶解粘合剂等形成的剥离层52在例如无碱玻璃的基板51上层叠保护部件49。通过使用例如光刻、蚀刻等(光电检测単元产生过程)在保护部件49上制造构成薄膜部40的H) 41和TFT 42 (图2)。因此制造的层叠产品55包括基板51、剥离层52、保护部件49和薄膜部40。由于在随后的过程中剥离基板51且基板51不最终构成光电检测単元50，因此不需要考虑基板51的X射线吸收特性。期望采用具有在随后的过程中足以保证容易处理和剥离的厚度的基板51。溶解粘合剂具有如下优点能够牢固结合和促进结合对象的容易溶解。当基板51是半透明部件例如玻璃时，可以优选使用在被曝光于光例如UV辐射时可以溶解的溶解粘合剤。
如图8所示，在支持件11上形成的且使用保护膜30覆盖的闪烁器10通过粘接层48结合到层叠产品55，从而使闪烁器10和薄膜部40以整合方式彼此均匀紧密接触(整合过程)。对将闪烁器10和薄膜部40彼此紧密结合的方法没有任何特别的限制，并且结合的最低要求是闪烁器10和薄膜部40光耦合在一起。作为使闪烁器10和薄膜部40两者彼此紧密接触的技术，可以采用在它们保持彼此直接面对时使其彼此紧密接触的技术，或者在它们之间夹入树脂层的同时使其彼此紧密接触的技木。如图9所示，随后溶解层叠产品55(图7)。更具体地，通过剥离将基板51和保护部件49分开，去除基板51和剥离层52 (基板剥离-去除过程)。由于闪烁器10和支持件11此时支持薄膜部40，因此在基板51剥离时实现的薄膜部40的易于处理性是优异的。当适当的处理手段可以保持薄膜部40时，关于基板剥离-去除过程的处理可以在关于闪烁器和光电检测単元整合过程的处理之前首先进行。通过上述操作制造具有不包括基板51的光电检测単元50的X射线图像检测设备
Io如图10所示，在制造X射线成像暗盒100时，将X射线图像检测设备I容纳到壳体60中。为了更加准确，以使薄膜部40通过保护部件49与顶板60A的背面相対的方式将X射线图像检测设备I置于壳体60中。优选通过其保护部件49将光电检测单元50结合到顶板60A。在结合操作吋，优选通过粘接层18使保护部件49和顶板60A整体彼此紧密接触；然而，它们也可以被部分结合在一起。顶板60A和X射线图像检测设备I接收顶板60A支持的被摄体的负载。可以通过如上所述将顶板60A和X射线图像检测设备I 一体化地层叠来增加X射线成像暗盒100的承受负载。如上所述制造X射线成像暗盒100。[5.光电检测单元中容纳的保护部件产生的工作效果]已经描述的X射线图像检测设备I和X射线成像暗盒100迄今产生如下工作效果。保护部件49容纳在光电检测単元50中，在基板51剥离之后利用保护部件49保护薄膜部40 (图9)。可以通过上述提供的保护部件49保护薄膜部40不受外部空气等中水分的影响。此外，还可以增强薄膜部40对抗外部的负载等。具体地，由于解决了基板51从光电检测単元的层叠产品55剥离产生的问题，因此通过将闪烁器曝光于从光电检测単元的方向施加的X放射线的构成产生的图像质量增强效果可以得到充分的发挥。保护部件49的铝当量在I. 8mm以下。由于通过使用显示出低X射线吸收率的这种保护部件49，闪烁器10的X射线进入侧吸收的X辐射可以被减小到最小等级，因此可以实现由于进入闪烁器10的X辐射的量的增加导致的检测图像的图像质量增强。此外，由于在制造操作期间在基板51与薄膜部40之间插入保护部件49，因此可以防止在薄膜部40的生产期间基板51的影响(钠污染等)造成的薄膜部40的性能恶化。此外，由干与在基板上直接形成薄膜部的情况下剥落基板相比，基板51更加容易剥落，因此可以在不对薄膜部40造成损害且闪烁器10仍然与薄膜部40紧密接触的情况下剥落基板51。通过按照要求适当地确定保护部件49的 厚度，可以实现光电检测単元吸收的X辐射量的减少以及保持光电检测単元要求的強度。如上所述，可以利用X辐射通过光电检测单元50进入闪烁器10的构成，进ー步促进图像质量增強。
在X射线成像暗盒100中，X射线图像检测设备I的光电检测单元50结合到暗盒的顶板60A的背面。因此，放置在顶板60A上的被摄体与光电检测单元50之间的距离变短，进而导致灵敏度和MTF的增强。另外，剥离基板51，从而使光电检测単元50变得纤薄。因此，可以尝试图像质量的进ー步增强。换句话说，保护部件49的存在和基板51的剥离导致的影响在闪烁器10被曝光于从光电检测单元50的方向施加的X放射线且光电检测单元50结合到顶板60A的构成中变得更加突出。[6 变型例]光电检测单元中提供的保护部件的构成不限于如上所述。例如，如在图11中所示，还可以采用如下构成，所述构成包括由树脂制成的基质49A(树脂层)和层叠在基质49A的X射线进入侧上且由铝等制成的光反射膜49B (光反射层)。图12示出X射线图像检测设备的变型例。在变型例中，在剥离和去除基板的过程之后，通过使用例如聚对ニ甲苯在薄膜部40的侧面、保护部件49的侧面和保护部件49的面对基板51的剥离面上设置保护膜35。除了在闪烁器10上设置的保护膜30之外，由此设 置的保护膜35无疑地密封了闪烁器10和薄膜部40。因此，足以防止闪烁器10和薄膜部40的性能的恶化。图13示出X射线成像暗盒101。X射线成像暗盒101具有X射线图像检测设备2和壳体60。在图I所示的X射线图像检测设备I中，通过粘接层48将闪烁器10和光电检测单元50结合在一起。在图13所示的X射线图像检测设备2中，闪烁器15置于光电检测単元50上。除此之外，按照与X射线图像检测设备I相同的方式构成X射线图像检测设备2。即使在制造X射线图像检测设备2时，也使用层叠产品55，例如图7所示。在层叠产品55溶解之前，将闪烁器15置于光电检测单元50上(光电检测単元产生过程)。随后，剥离基板51 (基板剥离-去除过程)。然而，优选在剥离基板之前，在将支持部件21放置在闪烁器15的柱状晶体12A的前端(整合过程)之后，从保护部件49剥离基板51。这样可以防止在剥离操作期间晶体彼此接触时引起的柱状晶体12A损坏。支持部件21优选是光反射部件，例如铝。更具体地，通过如下过程产生X射线图像检测设备2 :光电检测単元产生过程，将保护部件49层叠在基板51上，从而在保护部件49上形成薄膜部件40且因此制造光电检测单元50 ;闪烁器产生过程，用于在光电检测単元50的薄膜部40上形成闪烁器15且在闪烁器15的相对于其面对薄膜部40 —侧的另ー侧上放置支持部件21 ;以及基板剥离-去除过程，用于从在闪烁器产生过程中与闪烁器15整合的保护部件49剥离和去除基板51。X射线图像检测设备I和2的闪烁器10和15可以不设有包括非柱状晶体13A的非柱状部13，例如上面所述。然而，如果形成非柱状部13，则将产生如下效果。也就是说，可以沿晶体生长的方向在闪烁器的任意位置形成非柱状部。当沿晶体生长的方向在闪烁器的基端或前端形成非柱状部时，可以保证支持件与将在形成闪烁器之后与闪烁器整合的光电检测単元之间的粘接或者在上面沉积有闪烁器的支持件与薄膜部之间的粘接。保证粘接使得可以防止闪烁器从支持件和光电检测単元去除，也可以防止由湿气吸收导致的闪烁器性能恶化。此外，当在柱状晶体12A的前端形成非柱状部时，通过非柱状部将闪烁器的表面平坦化。因此，可以将闪烁器和光电检测単元均匀地结合在一起。从而可以增强检测图像的质量。当在闪烁器的基端(即，初始沉积区域)形成非柱状部时，使得柱状晶体12A基于非柱状部生长为优异的結晶。可以通过为柱状部提供非柱状部来增强闪烁器的強度。从而可以增强闪烁器的耐冲击性。此外，可以确保对抗当闪烁器与支持件或光电检测单元结合在一起时施加到闪烁器上的负载的強度。因此，可以相对于彼此紧紧按压闪烁器和光电检测単元等且使其均匀地彼此紧密接触。此外，可以通过闪烁器強度的增强，増加将通过包括闪烁器形成的面板与壳体的顶板结合形成的暗盒的承受负载。在此情况下，由于基板已经从光电检测単元剥离，因此顶板和各个光电检测单元进ー步彼此接近。因此，可以进一歩增加增强灵敏度和图像质量的效果。由于非柱状部形成在柱状部的前端，因此可以防止保护膜材料流入柱状晶体之间的间隙。因此，也产生了防止MTF恶化的效果。
图14示出可以被图2所示的薄膜部40替换的另ー薄膜部65。属于薄膜部65的PD 651和TFT 652被布置在相同的面上或者基本相同的面上。由于I3D 651和TFT 652如上所述并排布置在面内，因此可以使得薄膜部65更纤薄。非晶氧化物半导体(IGZO)制成的TFT可以用于图2所示的薄膜部40和图14所示的薄膜部65。IGZO的灵敏度是波长350nm或更大，该灵敏度在可见光范围很难实现。因此，在TFT中不发生开关噪声。可以避免提供具有光反射层的TFT的必要性。有机材料也可以用于ro和TFT。图15示出具有由OPC(有机光电转换材料)形成的光电导层的光电转换元件661以及由有机材料形成的TFT 662。也可以使用图2所示的薄膜部40替换包括光电转换元件661和TFT 662的薄膜部66。用于光电转换元件661和TFT 662的有机材料几乎不吸收X辐射。因此，可以增加通过光电转换元件661和TFT 662之后达到闪烁器10的X辐射量。当发出绿色光的CsI: Tl用于闪烁器时，且当TFT的透明有机材料是例如在JP-A-2009-212389中描述的化学式I表示的酞菁化合物或者同一文献中描述的化学式2表示的萘酞菁化合物吋，没有在发光波长范围内显示出灵敏度。因此，在TFT中不发生开关噪声。在此情况下，光电转换元件661的OPC优选是喹吖啶酮。如图14所示，由有机材料形成的光电转换元件661和TFT 662也可以放置在相同的面或者基本相同的面上。如上所述，可以使光电转换元件，例如ro和由例如上述的非晶氧化物或有机材料形成的TFT在低于用于形成a-Si的温度的温度下生长。因此，保护部件49的材料选择余地变得更宽，并且树脂制成的保护部件变得可用。[7 可用的器件材料][7-1. OPC(有机光电转换)材料]例如，JP-A-2009-32854中公开的任何OPC(有机光电转换)材料可以用于上述I3D41(图2)等。由OPC材料形成的膜(以下被称为OPC膜)可以用作ro 41的光电导层。OPC膜包含有机光电转换材料，其吸收从闪烁器发出的光且产生与吸收的光相应的电荷。因此，包含有机光电转换材料的OPC膜在可见光范围内具有尖锐的吸收光谱。OPC膜几乎不吸收闪烁器发出的光之外的电磁波。因此，可以有效地抑制由放射线例如OPC膜吸收的X射线产生的噪声。优选形成OPC膜的有机光电转换材料的吸收峰值波长更接近闪烁器发出的光的峰值波长，以更加有效地吸收闪烁器发出的光。理想地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与闪烁器发出的光的峰值波长一致。然而，如果有机光电转换材料的吸收峰值波长与闪烁器发出的光的峰值波长之间的差值小，则可以令人满意地吸收闪烁器发出的光。具体地，有机光电转换材料的吸收峰值波长与由闪烁器响应于放射线发出的光的峰值波长之间的差值优选不大于IOnm,更优选不大于5nm。能够满足这种条件的有机光电转换材料的示例包括基于亚芳基的有机化合物、基于喹吖啶酮的有机化合物和基于酞菁的有机化合物。例如，在可见光范围内喹吖啶酮的吸收峰值波长是560nm。因此，当喹吖啶酮用作有机光电转换材料且CsI (Tl)用作闪烁器的荧光材料时，上述峰值波长的差值可以被设置为5nm内，从而基本上可以将OPC膜中产生的电荷量増加到最大值。在偏压电极与ro 41的电荷收集电极之间设置的有机层的至少一部分可以由OPC膜形成。更具体地，有机层可以由下述各部分的堆叠或混合形成用于吸收电磁波的部分、光电转换部分、电子传输部分、电子空穴传输部分、电子阻挡部分、电子空穴阻挡部分、结晶防止部分、电极、层间接触改善部分等。 优选有机层包含有机p型化合物或有机n型化合物。有机p型半导体(化合物)是主要由电子空穴传输有机化合物代表的施主型有机半导体(化合物)，是指着具有容易供予电子的特性的有机化合物。更详细地，在彼此接触地使用的两种有机材料中，具有较低电离势的ー个被称为施主型有机化合物。因此，任何有机化合物可以被用作施主型有机化合物，只要该有机化合物具有供予电子的特性。可以使用的施主型有机化合物的示例包括三芳胺化合物、联苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯こ烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花菁化合物、部花青化合物、氧杂菁(oxono I)化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撑化合物、稠合芳香碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、荧蒽衍生物)、具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物等。施主型有机半导体不限于此，但是具有比用作n型(受主型)化合物的有机化合物低的电离势的任何有机化合物可以被用作施主型有机半导体。n型有机半导体(化合物)是主要由电子传输有机化合物代表的受主型有机半导体(化合物)，是指具有容易接收电子的特性的有机化合物。更具体地，当彼此接触地使用两种有机化合物时，两种有机化合物中具有较高电子亲和カ的一种有机化合物是受主型有机化合物。因此，任何有机化合物可以被用作受主型有机化合物，只要该有机化合物具有接收电子的特性。其示例包括稠合芳香碳环化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、荧蒽衍生物)、包含氮原子、氧原子或硫原子的5至7元杂环化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪，三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、异喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、邻ニ氮杂菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、P恶唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并U恶唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并哒嗪、三唑并嘧啶、四氮杂茚J恶ニ唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、批咯并吡啶、噻ニ唑并吡啶、ニ苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚芳撑化合物、芴化合物、环戊ニ烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮杂环化合物作为配体的金属络合物。受主型有机半导体不限于此。具有高于用作施主型有机化合物的有机化合物的电子亲和力的任何有机化合物可以被用作受主型有机半导体。关于p型有机染料或n型有机染料，可以使用任何已知染料。其优选的示例包括花菁染料、苯こ烯染料、半花菁染料、部花菁染料(包括零次甲基部花菁(简单的部花菁))、三核部花菁染料、四核部花菁染料、罗丹花菁(rhodacyanine)染料、复合花菁染料、复合部花菁染料、alopolar染料、氧杂菁染料、半氧杂菁(hemioxonol)染料、方酸'."染料、克酮酸键染料、氮杂次甲基染料、香豆素染料、亚芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲碱染料、螺环化合物、金属茂染料、荷酮染料、flugide染料、花染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛蓝染料、ニ苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、ニ苯胺染料、喹吖唳酮染料、喹酞酮染料、吩P恶嗪染料、酞花(phthaloperylene)染料,卟啉染料,叶绿素染料、酞菁染料、金属络合物染料和稠合芳香碳环染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、荧蒽衍生物)。可以优选地使用在ー对电极之间具 有p型半导体层和n型半导体层的光电转换膜(光敏层)，该P型半导体和n型半导体中的至少ー个是有机半导体，并且其中，将包括该p型半导体和n型半导体的本体异质结结构层设置为在那些半导体层之间的中间层。在该光电转换膜中包括的本体异质结结构层可以弥补有机层的载流子扩散长度短的缺陷。因此，可以提高光电转换效率。在JP-A-2005-303266中详细描述了该本体异质结结构。优选的是，考虑到来自闪烁器的光的吸收，光电转换膜较厚。考虑到对于电荷的分离做出任何贡献的比率，光电转换膜优选不薄于30nm且不厚于300nm,更优选不薄于50nm且不厚于250nm,特别优选不薄于80nm且不厚于200nm。对于关于上述OPC膜的任何其他构成，例如，參考JP-A-2009-32854中的说明。[7-2.有机TFT (薄膜晶体管)]尽管无机材料通常用于上述TFT 42等，但是也可以使用有机材料，例如，如JP-A-2009-212389中所公开。有机TFT可能具有任何类型的结构，但是场效应晶体管(FET)结构是最优选的。在FET结构中，基板布置于底层，在基板的上表面部分地设置栅电极。设置绝缘层以覆盖电极且在电极之外的其他部分触及基板。此外，在绝缘层的上表面上设置半导体有源层，并且在半导体有源层的上表面的一部分上并且彼此相距一段距离地布置源极电极和漏极电扱。此构成被称为顶部接触类型器件。然而，也可以优选地使用底部接触类型器件，其中，在半导体有源层下布置源极电极和漏极电扱。另外，可以使用垂直晶体管结构，其中，载流子在有机半导体膜的厚度方向流动。(半导体有源层)P型有机半导体材料用作半导体有源层的材料。P型有机半导体材料基本上无色且透明。例如，可以通过触针厚度測量仪测量有机半导体薄膜的厚度。可以制造具有不同厚度的多个薄膜，并且可以测量其吸收光谱，从而基于校准曲线可以通过转换获得每30nm膜厚度的最大吸收率。在此提及的有机半导体材料是示出作为半导体的属性的有机材料。有机半导体材料的示例包括P型有机半导体材料(或者被简称为P型材料或电子空穴传输材料)，其传导作为载流子的电子空穴(空穴)；以及，n型有机半导体材料(或者被简称为n型材料或电子传输材料)，其与由无机材料形成的半导体类似地传导作为载流子的电子。在有机半导体材料中，许多P型材料通常示出良好的属性。另外，通常对于在大气下的晶体管的操作稳定性而言，P型晶体管更优异。在此，将进行关于P型有机半导体材料的说明。有机薄膜晶体管的属性之一是载流子迁移率(也被简称为迁移率)UU指示在有机半导体层中的载流子的迁移率。尽管优选的迁移率根据应用改变，但是通常优选较高的迁移率。迁移率优选不低于I. 0*10_7cm2/Vs，更优选不低于I. 0*10_6cm2/Vs，进ー步优选不低于1.0*10_5cm2/VS。当制造场效应晶体管(FET)器件时，可以通过属性或TOF(飞行时间)測量来获得迁移率。p型有机半导体材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是优选是低分子量材料。因为下述原因，许多低分子量材料通常示出优异的属性因为可以对其应用各种精制处理例如升华精制、重结晶、柱色谱法等而易得高度纯化，或者由于因为低分子量材料具有固定的分子结构而易于形成高度有序的晶体结构。低分子量材料的分子量优选不低于100且不高于5，000,更优选不低于150且不高于3，000,进ー步优选不低于200且不高于2，000。 将示出这种p型有机半导体材料的优选特定示例。Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表不乙基，Ph表不苯基。[化学品I]
权利要求
1.一种制造放射图像检测设备的方法，所述放射图像检测设备具有闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧，所述方法包括 光电检测単元产生过程，用于在基板上层叠显示出比基板显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的保护部件，以及在保护部件上形成将荧光检测为电信号的薄膜部，从而产生所述光电检测单元； 基板剥离-去除过程，用于从保护部件剥离和除去基板；以及 整合过程，用于在基板剥离-去除过程之前或之后将先前产生的闪烁器和光电检测单元整合在一起。
2.一种制造放射图像检测设备的方法，所述放射图像检测设备具有闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧，所述方法包括 光电检测単元产生过程，用于在基板上层叠显示出比基板显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的保护部件，以及在保护部件上形成将荧光检测为电信号的薄膜部，从而产生所述光电检测单元； 闪烁器产生过程，用于在所述光电检测单元的薄膜部上形成闪烁器，并且在闪烁器的相对于其面对薄膜部的一侧的另ー侧上放置支持部件；以及 基板剥离-去除过程，用于从在闪烁器产生过程中与闪烁器整合的保护部件剥离和除去基板。
3.根据权利要求I或2所述的制造放射图像检测设备的方法，其中以对于在60kV的管电压下发出的X辐射的铝当量在I. 8mm以下的方式设置所述保护部件。
4.根据权利要求I或2所述的制造放射图像检测设备的方法，其中 在所述光电检测单元产生过程中，通过剥离层在基板上层叠所述保护部件。
5.ー种放射图像检测设备，其包括 闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及 光电检测単元，其布置于闪烁器的辐射进入侧上，其中 所述光电检测单元包括由显示出比玻璃材料显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的低辐射吸收材料形成的保护部件，以及在保护部件的面对闪烁器的ー侧上形成的且将荧光检测为电信号的薄膜部。
6.根据权利要求5所述的放射图像检测设备，其中， 对于在60kV的管电压下发出的X辐射的保护部件的铝当量在I. 8mm以下。
7.根据权利要求6所述的放射图像检测设备，其中 对于在60kV的管电压下发出的X辐射的保护部件的铝当量为O. Imm至I. Omm。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 所述低辐射吸收材料是金属(包括金属互化物或合金)和/或树脂。
9.根据权利要求8所述的放射图像检测设备，其中 所述保护部件包括树脂层以及在树脂层的辐射进入侧上设置的由金属制成的光反射层。
10.根据权利要求8所述的放射图像检测设备，其中所述金属是单种金属Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及包括各个单种金属的合金中的至少ー种。
11.根据权利要求8所述的放射图像检测设备，其中 所述树脂是聚酰亚胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺中的至少ー种。
12.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 所述保护部件是在所述薄膜部的相对于其面对闪烁器的ー侧的另ー侧上布置的且向所述薄膜部反射荧光的光反射部件。
13.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 由非晶氧化物或有机材料形成所述薄膜部的至少一部分。
14.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 所述保护部件的厚度为0. Olmm至1mm。
15.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 所述闪烁器包括从由荧光晶体的柱状生长得到的柱状晶体组形成的柱状部。
16.根据权利要求15所述的放射图像检测设备，其中 在所述闪烁器的柱状晶体的一端设置包括非柱状晶体的非柱状部。
17.根据权利要求5至7中任一项所述的放射图像检测设备，其中 保护部件的相对于其的上面形成所述薄膜部的一侧的另ー侧对应于从支持所述保护部件的基板剥离所述保护部件时获得的所述保护部件的剥离表面。
18.—种放射成像暗盒，其包括 根据权利要求5至17中任一项所述的放射图像检测设备； 壳体，其以薄膜部通过所述保护部件与顶板的背面相対的方式容纳所述放射图像检测设备，其中 所述壳体具有顶板，在所述顶板上放置被摄体。
19.根据权利要求18所述的放射成像暗盒，其中 所述保护部件固定到所述顶板。
20.根据权利要求18或19所述的放射成像暗盒，其中 当使用所述保护部件和所述顶板时对于在60kV的管电压下产生的X辐射实现的铝当量在I. 8mm以下。
全文摘要
本发明涉及一种放射图像检测设备及其制造方法，所述放射图像检测设备具有闪烁器，当其被曝光于放射线时发出荧光；以及光电检测单元，其布置于所述闪烁器的放射进入侧，所述方法包括光电检测单元产生过程，用于在基板上层叠显示出比基板显示出的辐射吸收率更低的辐射吸收率的保护部件，以及在保护部件上形成将荧光检测为电信号的薄膜部，从而产生所述光电检测单元；基板剥离-去除过程，从保护部件剥离和除去基板；以及整合过程，在基板剥离-去除过程之前或之后将先前产生的闪烁器和光电检测单元整合在一起。
文档编号G01T1/20GK102650697SQ20121004571
公开日2012年8月29日 申请日期2012年2月24日 优先权日2011年2月24日
发明者中津川晴康, 岩切直人 申请人:富士胶片株式会社