探针台的结构及利用该探针台测试晶圆的方法
【专利摘要】本发明公开了一种探针台的结构，该探针台内部设计有可移动的支架，用于支撑晶圆，并带动晶圆一起移动；探针台的卡盘固定不动，且上表面面积大于或等于被测芯片的面积，小于被测晶圆的面积。本发明还公开了利用上述探针台测试晶圆的方法，步骤包括：1)在支架的上表面加负压；2)将被测晶圆放置在支架上方，利用负压吸住晶圆；3)晶圆跟随支架移动，当被测芯片移动到卡盘和探针卡中间时，对芯片进行测试。本发明通过减小探针台卡盘的上表面面积，并利用多根支架固定支撑晶圆，使薄晶圆的背部可以和探针台的卡盘很好地接触，从而提高了测试的精度。
【专利说明】探针台的结构及利用该探针台测试晶圆的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及大规模集成电路测试领域，特别是涉及一种新型的探针台的结构，及利用该探针台测试晶圆的方法。
【背景技术】
[0002]现有大规模集成电路在进行测试时，一般是将晶圆直接放置在探针台的chuck (卡盘)上,测试时,在chuck上通负压,将晶圆吸住,然后晶圆随着chuck —并移动进行测试。
[0003]一般情况下，探针台的chuck大小和晶圆的大小一致。对于较厚的晶圆，晶圆和chuck对齐后，平置在chuck的表面(表面实心)，会接触良好，如图1所示，这样，在测试时晶圆会随着chuck —起移动。
[0004]对于薄的晶圆，例如厚度小于140 μ m时，晶圆本身会产生翘曲，如图2所示，当把它放置到探针台上后，尽管仍然会被探针台Chuck上的负压气体吸住，但是和探针台chuck的接触特性变差，甚至在翘曲变大时，会产生吸不住的现象，导致晶圆甩出，造成损坏。随着晶圆厚度的不断变薄，晶圆的翘曲不断变大，其在探针台Chuck上的平整度也不断变差。晶圆背面和chuck的接触性变差，会导致特别是MOSFET类需要在chuck上印加信号的产品的测试精度变差。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题之一是提供一种探针台的结构，它可以提高薄晶圆的测试精度。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的探针台的结构，包括卡盘和支架，所述卡盘固定不动，且上表面面积大于或等于被测芯片的面积，小于被测晶圆的面积；所述支架能够移动。
[0007]本发明要解决的技术问题之二是提供利用上述探针台测试晶圆的方法，其步骤包括:
[0008]I)在支架的上表面加负压；
[0009]2)将被测晶圆放置在支架上方，利用负压吸住晶圆；
[0010]3)晶圆跟随支架移动，当被测芯片移动到卡盘和探针卡中间时，对芯片进行测试。[0011 ] 本发明通过减小chuck的上表面面积，并利用多根支架支撑晶圆，使薄晶圆(特别是TAIKO晶圆)的背部和探针台chuck的上表面可以很好地接触，从而提高了测试的精度。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是常规探针台chuck承载厚晶圆时的不意图。其中，右图为chuck的俯视图。
[0013]图2是常规探针台chuck承载薄晶圆时的不意图。其中，右图为chuck的俯视图。
[0014]图3是本实施例的探针台承载薄晶圆的不意图。其中，右图为chuck的俯视图。【具体实施方式】
[0015]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下:
[0016]如图3所示，本实施例在探针台的内部增加了 4根可移动的支架，由于TAIKO晶圆边缘厚，而中心部分薄，因此，4根支架放置在晶圆的边缘位置处。同时，探针台chuck的顶部面积被减小，chuck的上表面面积具体比晶圆的面积小多少可以根据接触的结果而定,最小可以做得和被测芯片一样小。
[0017]测试时，首先在4根支架的上表面通负压，通过探针台内部的机械手装置，把TAIKO晶圆放置在4根支架上方，利用负压吸住晶圆。然后，晶圆跟随支架前后左右移动，chuck和探针卡则固定不动。当被测芯片移动到探针卡和chuck中间时,探针卡对芯片进行测试。测试时，chuck的上表面可以根据情况选择是否加负压，加负压可以使接触更好，但会增加芯片的稳定时间。
[0018]由于本实施例的探针台chuck的面积比晶圆小，因此可以提高晶圆和chuck的接触特性，使晶圆背面和chuck上表面实现良好的接触，这样，测试的结果也更加准确。
【权利要求】
1.一种探针台的结构，其特征在于，包括卡盘和支架，所述卡盘固定不动，且上表面面积大于或等于被测芯片的面积，小于被测晶圆的面积；所述支架能够移动。
2.根据权利要求1所述的探针台的结构，其特征在于，所述支架的数量在3根以上。
3.利用权利要求1或2的探针台测试晶圆的方法，其特征在于，步骤包括: 1)在支架的上表面加负压； 2)将被测晶圆放置在支架上方，利用负压吸住晶圆； 3)晶圆跟随支架移动，当被测芯片移动到卡盘和探针卡中间时，对芯片进行测试。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤3)，测试时，在卡盘的上表面加负压。
【文档编号】G01R31/28GK103852711SQ201210501682
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年11月30日 优先权日:2012年11月30日
【发明者】辛吉升, 桑浚之 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司