专利名称：非接触通信芯片的高低温测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及测试验证领域，提出一种非接触通信芯片、尤其是高频段非接触通信芯片的高低温测试装置。
背景技术：
随着物联网应用的推进，非接触通信设备，如13.56MHz的非接触智能卡的需求量快速增加，非接触集成电路芯片的开发及测试验证的工作也越来越多。现有的测试验证设备中，对于非接触集成电路芯片的测试验证，是基于发射带有载波信号的射频场，非接触集成电路芯片通过天线感应到射频场能量，并通过射频场与测试验证设备交换信息，达到测试目的。非接触集成电路芯片的测试验证中，在进行高低温的箱体内测试时，目前由于以上测试方法对空间的要求，一次同测数量小，测试效率低，测试环境对射频场的干扰大，测试结果不稳定。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种非接触通信芯片(包括但不局限于高频非接触卡芯片和非接触读卡器芯片)的高低温测试装置，在保证被测非接触芯片的原有通信模式的前提下，解决了射频场受周围金属、其它射频信号的影响、受空间限制的问题，在对于射频通信来说较恶劣的通信环境中，提高测试验证的效率和结果稳定性。本实用新型所述的高低温测试装置是针对被测芯片样品的待测信号为射频信号、通过高低温测试装置弓I出待测信号。所述高低温测试装置由被测信号的采样触点、阻抗匹配与振幅调节模块、导线、测试探头组成。所述的测试探头可以通过接触的方式获得被测信号，也可以通过非接触耦合的方式感应被测信号。测试探头末端连接于所述导线上，测试探头前部连接在被测芯片的射频信号输出端口上。所述的阻抗匹配与振幅调节模块一端连接于所述导线上，另一端连接于所述采样触点上。测试探头可以通过测试探头与被测芯片样品接触，获得被测信号；也可以通过感应耦合的方式获得被测信号，测试探头的尺寸可以根据被测芯片样品的尺寸进行调节。被测芯片样品与测试探头可以放于屏蔽盒里。屏蔽盒的外层由金属制成，侧面留有孔隙，用于导线通过；屏蔽盒的内层是磁屏蔽材料，侧面与外层孔隙对应处留出孔隙。使用高低温测试装置进行高低温测试时，首先将所述被测芯片样品与测试探头连接，放置于高低温箱中。所述导线通过高低温箱的引线孔弓I出，连接于所述阻抗匹配与振幅调节模块。所述阻抗匹配与振幅调节模块连接到所述采样触点。至此，高低温测试装置连接完成。所述被测芯片样品与测试探头连接，可以采用直接接触的方式连接，也可以通过感应耦合的方式连接。在通过感应耦合方式连接时，为了降低环境的影响，可以增加屏蔽盒。屏蔽盒的外层由金属制成，侧面留有孔隙，用于盒内外空气对流，以及导线引出。屏蔽盒的内层是磁屏蔽材料，用于降低金属对内部射频场的影响，侧面与外层孔隙对应处需要留出孔隙，用于导线通过。所述高低温测试装置连接完成后，在加载测试温度前，需要对所述采样触点的信号进行阻抗匹配和振幅的调节，使其符合测试要求。调节完成后，即可开启高低温箱进行测试，被测信号是在所述采样触点获取的。为提高测试效率，可以将多个所述高低温测试装置同时使用进行测试，相互间不会产生干扰，达到多被测芯片同时测试的目的。
图1表示本实用新型的装置的一种具体形式。图2表示本实用新型的装置的另一种具体形式。图3表示本实用新型的特定实施例。
具体实施方式
在以下的详细描述中，参考通过图示的方式描述的其中本实用新型实施的特定实施例的附图3。该实施例被足够详细的描述，以使得本领域的技术人员能够实施本实用新型。但以下的详细描述不应该理解为限制意义。在本实用新型实施例的附图3中，显示的是四个被测芯片样品同时测试的情况。测试探头4被放置在屏蔽盒5中，屏蔽盒5中还放置了被测芯片样品7(非接触读卡器芯片)以及与被测芯片样品通信的测试用卡8。屏蔽盒5被放置在高低温箱6中。测试探头4通过导线3与高低温箱6外部的阻抗匹配与振幅调节模块2相连，阻抗匹配与振幅调节模块2再与采样触点I相连。将装置及被测芯片样品连接好以后，运行被测芯片样品，通过示波器测量采样触点I上的信号，将信号幅度调整到初始幅度，即未接入测试装置时测量的幅度。将采样触点I上的信号调整好以后，关闭高低温箱门，启动电源，设置需要测试的温度或温度范围等参数，待箱内温度达到测试要求后，在采样触点I上对信号进行测量和分析。
权利要求1.一种非接触通信芯片的高低温测试装置，其特征在于所述装置由采样触点、阻抗匹配与振幅调节模块、导线、测试探头组成；测试探头末端连接于所述导线上，测试探头前部连接在被测芯片的射频信号输出端口上；所述的阻抗匹配与振幅调节模块一端连接于所述导线上，另一端连接于所述采样触点上。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述的测试探头能通过接触的方式获得被测信号，也能通过非接触耦合的方式感应被测信号，在通过感应耦合方式连接时，可以增加屏蔽盒，被测芯片与测试探头放于屏蔽盒里，将屏蔽盒放置于高低温箱中；导线通过高低温箱的引线孔引出，连接于所述阻抗匹配及振幅调节模块；阻抗匹配与振幅调节模块连接到所述采样触点。
3.根据权利要求1所述的一种非接触通信芯片的高低温测试装置，其特征在于测试探头的尺寸可以根据被测芯片的尺寸进行调节。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，屏蔽盒的外层由金属制成，侧面留有孔隙；屏蔽盒的内层是磁屏蔽材料， 侧面与外层孔隙对应处留出孔隙。
专利摘要本实用新型涉及一种非接触通信芯片的高低温测试装置，提供一种非接触通信芯片(包括但不局限于高频非接触卡芯片和非接触读卡器芯片)的高低温测试装置，装置由采样触点、阻抗匹配与振幅调节模块、导线、测试探头组成；测试探头末端连接于所述导线上，测试探头前部连接在被测芯片的射频信号输出端口上；所述的阻抗匹配与振幅调节模块一端连接于所述导线上，另一端连接于所述采样触点上。
文档编号G01R31/00GK203084112SQ201220754719
公开日2013年7月24日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者王西国, 刘丽丽 申请人:北京中电华大电子设计有限责任公司