磁传感器装置制造方法
【专利摘要】磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
【专利说明】磁传感器装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及检测被检测体所具有的磁性图案(magnetic pattern)的磁传感器装置。
【背景技术】
[0002]磁传感器装置是使用了如下磁阻效应元件的传感器装置，该磁阻效应元件具有电阻值与磁场强度对应地变化的特性。纸币等纸片状介质所具有的磁性图案的磁化量是微小的。为了提高检测磁化量微小的被检测体的磁性图案的灵敏度，磁传感器装置除了使用与半导体磁阻效应元件相比检测灵敏度高的各向异性磁阻效应元件，将各向异性磁阻效应元件设置于灵敏度成为最高的磁场强度环境下，还需要以被检测体通过强磁场环境的方式构成。
[0003]然而，在使用了各向异性磁阻效应元件的磁传感器装置中，由于各向异性磁阻效应元件在IOmT左右的磁场强度下饱和，故存在各向异性磁阻效应元件不饱和，难以配置在检测灵敏度成为最高的磁场强度环境下的问题。
[0004]另外，在非接触型的磁传感器装置中，由于纸片状介质等被检测体与磁阻效应元件隔开既定的距离，故存在磁阻效应元件的电阻值的变化的输出变小，检测灵敏度降低的问题。
[0005]为了解决此种问题，在专利文献I中，公开了一种磁传感器，其以永久磁铁的检测用磁场所赋予的强磁性体薄膜磁阻元件的感磁方向的偏置磁场强度成为饱和磁场以下的磁通量的方式调整并配置永久磁铁的位置。
[0006]专利文献
专利文献1:日本特开2008 - 145379号公报。
【发明内容】
[0007]然而，在专利文献I中，未公开具体的强磁性体薄膜磁阻元件的感磁方向的偏置磁场强度成为饱和磁场以下的磁通量的永久磁铁的配置方法。另外，为了提高非接触型的磁传感器装置的检测灵敏度，需要提高偏置磁铁的磁力，对各向异性磁阻效应元件施加适当的偏置磁场，并且提高搬运被检测体的搬运路的磁场强度。但是，存在像被检测体与各向异性磁阻效应元件相比通过偏置磁铁的远方的情况那样，若被检测体的磁场强度变化小，则各向异性磁阻效应元件的输出信号变小的问题。
[0008]本发明为了解决如上所述的问题而完成，目的在于提高在具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件隔开既定的距离的非接触状态下检测被检测体的磁性图案的灵敏度。
[0009]本发明所涉及的磁传感器装置具备搬运包含磁性图案的被检测体的搬运路。具备相对于搬运路而相互位于相反侧的一对磁铁、或者相对于搬运路而相互位于相反侧的磁铁以及磁性体的磁场生成部，在搬运路中生成交叉磁场，在该交叉磁场中，间隔方向的磁场强度为既定的范围，间隔方向是与被检测体的搬运方向正交的方向、且是垂直地贯穿磁性图案的方向。磁传感器装置具备:磁阻效应元件，该磁阻效应元件在交叉磁场中位于磁铁或者磁性体与搬运路之间，将被检测体的磁性图案引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化检测；输出部，该输出部连接于磁阻效应元件，输出磁阻效应元件检测到的电阻值的变化。
[0010]根据本发明，能够提高在具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件隔开既定的距离的非接触状态下检测被检测体的磁性图案的灵敏度。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是示出沿着本发明的实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；
图2是示出与实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运方向正交的截面图；
图3是示出向实施方式I所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装多层基板和AMR元件的状态的放大图；
图4是从搬运路侧看实施方式I所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图；
图5是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置中的AMR元件与外部电路的连接的连接
图；
图6是由实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运路中的第一磁铁和第二磁铁生成的磁场分布的图；
图7是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运路中的间隔方向的磁场遍及搬运方向的强度变化的图；
图8是说明实施方式I所涉及的磁传感器装置的检测原理的磁力线向量图；
图9是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运路中的搬运方向以及间隔方向的磁场遍及间隔方向的强度变化的图；
图10是示出AMR元件的施加磁场和电阻变化率的图；
图11是实施方式I所涉及的磁传感器装置中的具有弯曲(meander)形状的电阻的AMR元件的俯视图；
图12是从搬运路侧看本发明的实施方式2所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图；
图13是示出实施方式2所涉及的磁传感器装置中的AMR元件与外部电路的连接的连接图；
图14是实施方式2所涉及的磁传感器装置中的具有弯曲形状的电阻的AMR元件的俯视图；
图15是示出沿着本发明的实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图16是由实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运路中的第一磁铁用磁轭和第二磁铁用磁轭生成的间隔方向的磁场分布的图；
图17是示出实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运路中的搬运方向以及间隔方向的磁场遍及间隔方向的强度变化的图；
图18是示出沿着本发明的实施方式4所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图； 图19是示出由实施方式4所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图；
图20是示出沿着本发明的实施方式5所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图21是示出由实施方式5所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁用磁轭与磁性体生成的磁场分布的图；
图22是示出沿着本发明的实施方式6所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图23是示出由实施方式6所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图；
图24是从搬运路侧看本发明的实施方式7所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图；
图25是示出沿着本发明的实施方式8所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图26是示出由实施方式8所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图；
图27是示出沿着本发明的实施方式9所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图28是示出向实施方式9所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装单层基板和AMR元件的状态的放大图；
图29是示出沿着本发明的实施方式10所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图30是示出向实施方式10所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装单层基板和AMR元件的状态的放大图；
图31是示出沿着本发明的实施方式11所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图32是示出实施方式11所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图；
图33是示出沿着本发明的实施方式12所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图34是示出实施方式12所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图；
图35是示出沿着本发明的实施方式13所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图；图36是示出实施方式13所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图。
【具体实施方式】[0012](实施方式I)
图1是示出沿着本发明的实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。图2是示出与实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运方向正交的截面图。将图中的X轴方向设为搬运方向，将Y轴方向设为读取宽度方向，将Z轴方向设为间隔方向。搬运方向、读取宽度方向以及间隔方向相互正交。另外间隔方向是垂直地贯穿被检测体5所具有的磁性图案的方向。搬运路2是用于搬运作为纸币等纸片状介质的被检测体5的部分。被检测体5从遍及读取宽度方向地设在框体I的一个侧面(侧壁)的第一狭缝部3插入。被检测体5由未图示的搬运单元沿图中的箭头示出的搬运方向在搬运路2中搬运，从遍及读取宽度方向地设在另一个侧面(侧壁)的第二狭缝部4排出。[0013]为永久磁铁的第一磁铁6以及第二磁铁7相对于搬运路2而相互位于相反侧，第一磁铁6的各磁极与第二磁铁7的和该磁极不同的磁极相向。即,第一磁铁6的N极与第二磁铁7的S极相向，第一磁铁6的S极与第二磁铁7的N极相向。第一磁铁6以及第二磁铁7分别位于与被检测体5隔开的位置。以与搬运路2的第一磁铁6侧和第二磁铁7侧分别相接的方式设置电屏蔽板31。
[0014]以与第二磁铁7的搬运路2侧相接的方式设置非磁性体的金属载体191。在与被检测体5隔开的位置且在金属载体191的表面设置由玻璃环氧树脂(glass epoxy)等树脂形成的多层基板9、以及AMR (Anisotropic MagnetoResistance effect:各向异性磁阻效应)元件10。AMR元件10在表面具备电阻，具有电阻值与和流过电阻的电流的方向正交的磁场的变化对应地变化的特性。
[0015]图3是示出向实施方式I所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装多层基板和AMR元件的状态的放大图。图3是将图1的一部分放大了的图。图4是从搬运路侧看实施方式I所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图。图5是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置中的AMR元件与外部电路的连接状态的连接图。多层基板9至少具备第一层基板91以及第二层基板92，固定于金属载体191。多层基板9具有孔部9a，孔部9a由第一层基板的孔部91a以及第二层基板的孔部92a构成，第一层基板的孔部91a的开口部比第二层基板的孔部92a的开口部大。此外多层基板9还可以以具备第三层之后的基板的方式构成。
[0016]AMR兀件10通过粘合材料固定于金属载体191的如下表面,该表面露出于第二层基板的孔部92a，多层基板9包围AMR元件10。第一层孔部91a和第二层孔部92a以不超过第一层基板91的表面的方式使用树脂13密封。AMR元件10的电极IOla?IOlc分别通过作为电连接单元的金属引线12连接于电极Illa?111c，电极Illa?Illc设于第二层基板92的如下表面,该表面露出于第一层基板的孔部91a。电极Illa?Illc通过传输线路11与在多层基板9的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。
[0017]AMR元件10的电阻102a和电阻102b分别以矩形形状的长边沿读取宽度方向延伸的方式形成。电阻102a、102b例如由薄膜形成。电阻102a与电阻102b串联连接，电阻102a与电阻102b的连接点连接于电极101b，电极IOlb通过金属引线12而连接于电极111b，并经由连接焊盘112b以及线缆71而连接于处理信号的处理电路15。电阻102a的另一端连接于电极IOla,电极IOla通过金属引线12而连接于电极Illa,通过连接焊盘112a而连接于直流电源电压Vcc。电阻102b的另一端连接于电极101c，电极IOlc通过金属引线12而连接于电极Illc,经由连接焊盘112c而直流接地。
[0018]图6是由实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运路中的第一磁铁和第二磁铁生成的磁场分布的图。图7是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置中的搬运路中的间隔方向的磁场遍及搬运方向的强度变化的图。横轴是将第一磁铁6的搬运方向的中心作为O时的搬运方向的距离，纵轴是间隔方向的磁场强度。图8是说明实施方式I所涉及的磁传感器装置的检测原理的磁力线向量图。图8是将在图6中被虚线包围的D部放大了的图。此夕卜，在图6以及图8中记载为了根据图1的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。
[0019]如图6所示，通过第一磁铁6以及第二磁铁7，在搬运路2中，生成交叉磁场，在该交叉磁场中，作为与搬运方向正交的既定方向的间隔方向的磁场强度为既定的范围。例如，在第一磁铁6的两端部生成磁场强度可视为强磁场强度的既定值以上的交叉磁场。另外AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0020]在图6中，在与配置AMR元件10的搬运方向正交的交叉磁场中，从第二磁铁7的N极朝向第一磁铁6的S极的间隔方向的分量为磁力线17的主要分量。如图8(a)所示，由于磁力线17从间隔方向向搬运方向稍微倾斜，故交叉磁场的搬运方向分量作为AMR元件10的偏置磁场起作用。
[0021]当被检测体5接近时，如图8(b)所示，由于磁力线17向被检测体5侧倾斜，故交叉磁场的搬运方向分量变小。当被检测体5离开时，如图8 (c)所示，由于磁力线17向被检测体5侧倾斜，故交叉磁场的搬运方向分量变大。由于交叉磁场的搬运方向分量的变化，对交叉磁场的搬运方向分量的变化感磁的AMR元件10的电阻值变化，能够检测被检测体5。
[0022]图9是示出实施方式I所涉及的磁传感器装置的搬运路中的搬运方向以及间隔方向的磁场遍及间隔方向的强度变化的图。横轴是间隔方向的距离Z(单位:_)，表示与第二磁铁7的距离。纵轴是搬运方向的磁场强度以及间隔方向的磁场强度(单位:mT)。图10是示出AMR元件的施加磁场和电阻变化率的图。横轴是施加磁场(单位:mT)，纵轴是电阻变化率(单位:%)。在图6中，第一磁铁6以及第二磁铁7的搬运方向的厚度A = 5mm，第一磁铁6以及第二磁铁7的间隔方向的厚度B = 10_，第一磁铁6与第二磁铁7的间隔G=5_。作为第一磁铁6以及第二磁铁7，使用钕烧结磁铁。而且，计算了从第一磁铁6的中心沿搬运方向隔开距离C = 2.7mm的位置处的、搬运方向的磁场强度Bx和间隔方向的磁场强度Bz的遍及间隔方向的强度变化。磁场强度Bx为实线的曲线，磁场强度Bz为虚线的曲线。
[0023]在第一磁铁6与第二磁铁7的间隔G的中间地点(Z = 2.5mm = G/2)处磁场强度Bx成为O。AMR元件10的饱和磁场强度如在图10中以实线示出的那样为5mT，如图9所示，在Z = 2.65mm附近Bx成为5mT。设AMR元件10的位置为从第一磁铁6与第二磁铁7的间隔G的中间地点向第一磁铁6的方向移动了 α的位置。在设定为O < α < 0.15mm的情况下，对AMR元件10施加适当的偏置磁场，AMR元件10的输出不会饱和。最为理想的是被施加AMR元件10的灵敏度斜率为最大的磁场强度Bx = 2.5mT左右的偏置磁场的状态，当设定为α = 0.08mm附近时，能够获得最高的输出。
[0024]在被检测体5的磁性图案施加于电阻102a、102b时AMR元件10所检测到的磁场变化与被检测体5的周边的磁场(施加于被检测体5的磁场)成比例。为了增大AMR元件10的输出，需要对被检测体5施加更大的磁场。在实施方式I所涉及的磁传感器装置中，当被检测体5与AMR元件10的距离较近时，例如当被检测体5处于Z = 3mm附近时，根据图9，施加于被检测体5的磁场Bz =大约300mT。当被检测体5与AMR元件10的距离进一步隔开，被检测体5处于Z = 4mm附近时，Bz =大约370mT。即使AMR元件10与被检测体5位于进一步隔开的位置，也维持一定以上的检测灵敏度。
[0025]当以被检测体5通过Z = 4mm的地点的方式构成时，AMR元件10与被检测体5的间隔根据上述记载接近为1.5mm左右。使用图3以及图4说明保持非接触状态并且保护AMR元件10的AMR元件10的安装方法。[0026]AMR元件10的厚度为0.5mm左右，电阻102a、102b形成于AMR元件10的表面。以电阻102a、102b位于Z = G/2 + α = 2.52mm的地点的方式，在厚度为2.02mm的金属载体191的表面粘合有AMR元件10。
[0027]设第二层基板92的厚度为0.5_。第二层基板92的电极Illa?Illc与AMR元件10的电极IOla?IOlc通过金属引线12连接。通过使第二层基板92的厚度与AMR元件10的厚度相同，能够使金属引线12的匝高(>一7°高$ )最小。
[0028]将第一层基板91的厚度设为与金属引线12的匝高相同程度的0.3mm，对第一层基板的孔部91a以及第二层基板的孔部92a以不从第一层基板91的表面突出的方式涂布粘性较低的环氧类的树脂13，保护AMR元件10和金属引线12。第二层基板92的电极Illa?Illc通过传输线路11与在多层基板9的背面设置的连接焊盘112a?112c连接，经由连接焊盘112a?112c而连接于电源电压Vcc、处理电路15等。通过该安装，AMR元件10受到保护，另外没有妨碍被检测体5的搬运的突起物，稳定地在多层基板9的表面与被检测体5之间确保1.2mm的间隔。
[0029]如此，对被检测体5施加间隔方向的强磁场，由于随着与AMR元件10的距离隔开，施加更强的磁场，故即使AMR元件10与被检测体5隔开，也能够检测被检测体5的磁性图案，能够维持一定以上的检测灵敏度。另外，对AMR元件10施加的搬运方向的偏置磁场的强度根据间隔方向的位置的变化较小，故组装精度提高。而且，由于第一磁铁6与第二磁铁7以相向的方式配置，故能够形成稳定的磁路，不易受到外部的磁性体的影响，稳定地检测被检测体5的磁性图案。
[0030]图11是实施方式I所涉及的磁传感器装置中的具有弯曲形状的电阻的AMR元件的俯视图。关于AMR元件10的电阻102a、102b的矩形状图案，也可以如图11所示那样为以长边沿读取宽度方向延伸的方式配置的弯曲形状。弯曲形状是指如图11所示的曲折花纹形状。与矩形形状的电阻102a、102b相比，电阻102a、102b的电阻值增加，成为高电阻值，故AMR元件10的磁场变化的检测灵敏度提高，磁传感器装置的检测灵敏度提高。
[0031]在实施方式I中,AMR兀件10粘合于多层基板9的金属载体191的表面。在使用电阻变化率、饱和磁场强度不同的AMR元件10，使AMR元件10接近第一磁铁6的情况下，还可以是不设置金属载体191，将AMR元件10粘合于第一磁铁6的搬运路2侧的表面的构造。
[0032]此外，还可以替代AMR兀件 10,使用 GMR(Giant MagnetoResistance effect:巨磁阻效应)元件、TMR(Tunnel MagnetoResistance effect:隧道磁阻效应)元件。
[0033](实施方式2)
图12是从搬运路侧看本发明的实施方式2所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图。对与图4相同的构成要素附以相同符号。在图12中，AMR元件10的电阻102a以矩形形状的长边沿读取宽度方向延伸的方式配置，电阻102b以矩形形状的长边沿搬运方向延伸的方向配置，电阻102a与电阻102b串联连接的连接点连接于AMR元件10的电极101b，电阻102a的另一端连接于电极101a，电阻102b的另一端连接于电极101c。
[0034]图13是示出实施方式2所涉及的磁传感器装置中的AMR元件与外部电路的连接状态的连接图。对与图5相同的构成要素附以相同符号。在图12以及图13中，电极IOla通过金属引线12而连接于电极Illa,通过连接焊盘112a而连接于直流电源电压Vcc。电极IOlb通过金属引线12而连接于电极111b，通过连接焊盘112b而连接于处理信号的处理电路15。电极IOlc通过金属引线12而连接于电极Illc,通过连接焊盘112c而直流接地。
[0035]在实施方式2所涉及的磁传感器装置中，与实施方式I所涉及的磁传感器装置同样地，在交叉磁场中间隔方向的分量成为磁力线17的主要分量。另外由于磁力线17从间隔方向向搬运方向稍微倾斜，故该磁场的搬运方向分量作为AMR兀件10的偏置磁场起作用。虽然偏置磁场Bx施加于电阻102a,但是电阻102b由于Bx不是感磁方向，故不施加偏置磁场。在该状态下，被检测体5被向搬运方向搬运，当对电阻102a上施加被检测体5的磁性图案时，电阻102a附近的磁场Bx变化且电阻102a的电阻值变化。另一方面，即使电阻102b附近的磁场Bx变化，电阻102b也不对该磁场变化感磁，因而电阻102b的电阻值始终为恒定的。从而，能够仅仅通过电阻102a所感磁的磁场变化来探测磁性图案。
[0036]图14是实施方式2所涉及的磁传感器装置中的具有弯曲形状的电阻的AMR元件的俯视图。关于AMR元件10的电阻102a、102b，也可以如图14所示那样，电阻102a为以长边沿读取宽度方向延伸的方式配置的弯曲形状，电阻102b为以长边沿搬运方向延伸的方式配置的弯曲形状。此时，电阻102a、102b的电阻值与矩形形状的电阻相比增加，成为高电阻值，因而AMR元件10的磁场变化的检测灵敏度提高，磁传感器装置的检测灵敏度提高。
[0037](实施方式3)
图15是示出沿着本发明的实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。对与图1相同的构成要素附以相同符号。实施方式3所涉及的磁传感器装置在图1所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置的构成之外，还具备:第一磁铁用磁轭81，其是在第一磁铁6的侧面内与和搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体；以及第二磁铁用磁轭82，其是在第二磁铁7的侧面内与和搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体。
[0038]图16是由实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运路中的第一磁铁用磁轭和第二磁铁用磁轭生成的间隔方向的磁场分布的图。此外，在图16中，记载为了根据图15的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。
[0039]如图16所示，AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0040]第一磁铁用磁轭81由搬运方向的厚度为P (第一磁铁6以及第二磁铁7的间隔方向的厚度B > P)的板状的软磁性体形成。以第一磁铁用磁轭81与第一磁铁6的间隔方向的下端的位置相同的方式，或者以第一磁铁用磁轭81的间隔方向的下端与第一磁铁6的间隔方向的下端相比位于既定厚度下方的方式，第一磁铁用磁轭81通过粘合、一体成型、基于磁力的吸引等方法安装于第一磁铁6的两侧。第二磁铁用磁轭82由搬运方向的厚度为P的板状的软磁性体形成。以第二磁铁用磁轭82与第二磁铁7的间隔方向的上端的位置相同的方式，或者以第二磁铁用磁轭82的间隔方向的上端与第二磁铁7的间隔方向的上端相比位于既定厚度上方的方式，第二磁铁用磁轭82通过粘合、一体成型、基于磁力的吸引等方法安装于第二磁铁7的两侧。
[0041]根据本构成，从第一磁铁6以及第二磁铁7的侧面发射的磁力线17集磁于搬运方向的厚度为P的第一磁铁用磁轭81以及第二磁铁用磁轭82。如图16所示，磁力线17画出从与第一磁铁6的N极侧相接的第一磁铁用磁轭81的端部发射、朝向与第二磁铁7的S极侧相接的第二磁铁用磁轭82的端部的环。另外，磁力线17画出从与第二磁铁7的N极侧相接的第二磁铁用磁轭82的端部分别发射、朝向与第一磁铁6的S极侧相接的第一磁铁用磁轭81的端部的环。在实施方式3所涉及的磁传感器装置中，也能够以与图8所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置所使用的原理同样的原理进行纸币等被检测体5的检测。通过设置第一磁铁用磁轭81以及第二磁铁用磁轭82，与仅仅使第一磁铁6以及第二磁铁7相向的情况相比，更大的磁场施加于被检测体5，另外组装精度得到改善。
[0042]图17是示出实施方式3所涉及的磁传感器装置的搬运路中的搬运方向以及间隔方向的磁场遍及间隔方向的强度变化的图。横轴是间隔方向的距离Z(单位:_)，表示与第二磁铁用磁轭82的距离。纵轴是搬运方向的磁场强度以及间隔方向的磁场强度(单位:mT) ο在图16中,第一磁铁6以及第二磁铁7的搬运方向的厚度A = 5mm,第一磁铁6以及第二磁铁7的间隔方向的厚度B = 10mm，第一磁铁用磁轭81以及第二磁铁用磁轭82的搬运方向的厚度P = 3_。第一磁铁用磁轭81的间隔方向的下端与第一磁铁6的间隔方向的下端相比位于Q = Imm下方，第二磁铁用磁轭82的间隔方向的上端与第二磁铁7的间隔方向的上端相比位于Q = Imm上方。第一磁铁用磁轭81与第二磁铁用磁轭82的间隔为G= 5mm。作为第一磁铁6以及第二磁铁7，使用钕烧结磁铁。而且，计算了从第一磁铁6的中心沿搬运方向隔开距离C = 4.0mm的位置处的、搬运方向的磁场强度Bx和间隔方向的磁场强度Bz的遍及间隔方向的强度变化。磁场强度分量Bx为实线的曲线，磁场强度分量Bz为虚线的曲线。
[0043]在磁场强度中，在第一磁铁用磁轭81与第二磁铁用磁轭82的间隔G的中间地点(Z = 2.5mm = G/2)处磁场强度Bx成为O。AMR元件10的饱和磁场强度如在图10中以实线示出的那样为5mT，如图17所示，在Z = 3.0mm附近Bx成为5mT。设AMR元件10的位置为从第一磁铁用磁轭81与第二磁铁用磁轭82的间隔G的中间地点向第一磁铁用磁轭81的方向移动了 α的位置。在设定为O < α < 0.5mm的情况下，对AMR元件10施加适当的偏置磁场，AMR元件10的输出不会饱和。可知这与实施方式I所涉及的磁传感器装置的组装精度(0< α < 0.15mm)相比较得到了大幅的改善。另外，最为理想的是被施加AMR元件10的灵敏度斜率为最大的磁场强度Bx = 2.5mT左右的偏置磁场的状态，当设定为α =0.25mm附近时，能够获得最高的输出。
[0044]在被检测体5的磁性图案施加于电阻102a、102b时AMR元件10所检测到的磁场变化与被检测体5的周边的磁场(施加于被检测体5的磁场)成比例。为了增大AMR元件10的输出，需要对被检测体5施加更大的磁场。在实施方式2所涉及的磁传感器装置中，当被检测体5与AMR元件10的距离较近时，例如当被检测体5处于Z = 3mm附近时，根据图17,施加于被检测体5的磁场Bz =大约480mT。当被检测体5与AMR元件10的距离进一步隔开，被检测体5处于Z = 4mm附近时，Bz =大约540mT。即使AMR元件10与被检测体5位于进一步隔开的位置，也维持一定以上的检测灵敏度。可知这与在实施方式I所涉及的磁传感器装置中对被检测体5施加的磁场相比较得到了大幅的强化。其结果，能够获得稳定的输出。
[0045]另外,通过将第一磁铁用磁轭81以及第二磁铁用磁轭82分别安装于第一磁铁6以及第二磁铁7的两侧面，能够使第一磁铁6以及第二磁铁7的读取宽度方向的磁力的偏差均等化。特别是在线型磁传感器的情况下，能够抑制各通道之间的偏置磁场的偏差，结果上抑制线间的输出的偏差，实现成品率提高、成本削减。
[0046](实施方式4)
图18是示出沿着本发明的实施方式4所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。对与图1相同的构成要素附以相同符号。在实施方式4所涉及的磁传感器装置中，与图1所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置不同，磁铁8与磁性体80相向。此外作为磁性体80，例如使用铁等软磁性体。
[0047]图19是示出由实施方式4所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图。此外，在图19中，记载为了根据图18的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。在图19中，由相向的磁铁8与磁性体80生成的间隔方向的磁场的遍及搬运方向的强度变化与图7同样，具有在磁铁8的搬运方向的中央附近成为O、绝对值朝向磁铁8的两端部而增大的分布。
[0048]如图19所示，AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0049]在图19中，在与配置AMR元件10的搬运方向正交的交叉磁场中，从磁铁8的N极朝向磁性体80的间隔方向的分量为磁力线17的主要分量。在实施方式4所涉及的磁传感器装置中，也能够以与图8所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置所使用的原理同样的原理进行纸币等被检测体5的检测。
[0050]根据实施方式4所涉及的磁传感器装置，仅仅将偏置磁铁配置于单侧，在相向侧配置廉价的铁等软磁性体，因而能够削减磁传感器装置的制造成本。
[0051](实施方式5)
图20是示出沿着本发明的实施方式5所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。在实施方式5所涉及的磁传感器装置中，在图18所示的实施方式4所涉及的磁传感器装置之夕卜，配置有磁铁用磁轭83，其是在磁铁8的侧面内与和搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体。磁轭的形状与实施方式3所涉及的磁传感器装置所具备的第一磁铁用磁轭81相同。对与图18相同的构成要素附以相同符号。
[0052]图21是示出由实施方式5所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁用磁轭与磁性体生成的磁场分布的图。此外，在图21中，记载为了根据图20的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。
[0053]如图21所示，AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0054]在图21中，在与配置AMR元件10的搬运方向正交的交叉磁场中，从与磁铁8的N极侧相接的磁铁用磁轭83朝向磁性体80的间隔方向的分量为磁力线17的主要分量。在实施方式5所涉及的磁传感器装置中，也能够以与图8所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置所使用的原理同样的原理进行纸币等被检测体5的检测。
[0055]根据本构成，从磁铁8的侧面发射的磁力线17集磁于搬运方向的厚度为P的磁铁用磁轭83，磁力线17画出如图21所示那样从与磁铁8的N极侧相接的磁铁用磁轭83的端部发射并朝向磁性体80的环。通过设置磁铁用磁轭83，与实施方式4所涉及的磁传感器装置相比，更大的磁场施加于被检测体5，另外组装精度得到改善。
[0056]另外根据实施方式5所涉及的磁传感器装置，仅仅将偏置磁铁配置于单侧，在相向侧配置廉价的铁等软磁性体，因而能够削减磁传感器装置的制造成本。
[0057](实施方式6)
图22是示出沿着本发明的实施方式6所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。在实施方式6所涉及的磁传感器装置中，变更图18所示的实施方式4所涉及的磁传感器装置所具备的磁铁8的朝向，以磁铁8的任一个磁极与磁性体80相向的方式进行配置。对与图18相同的构成要素附以相同符号。
[0058]图23是示出由实施方式6所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图。此外，在图23中，记载为了根据图22的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。在图23中，间隔方向的磁场强度具有在磁铁8的搬运方向的中央附近绝对值成为最大、朝向磁铁8的两端部而减少的分布。
[0059]如图23所示，AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0060]在图23中，在与配置AMR元件10的搬运方向正交的交叉磁场中，从磁铁8的N极朝向磁性体80的间隔方向的分量为磁力线17的主要分量。在实施方式6所涉及的磁传感器装置中，也能够以与图8所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置所使用的原理同样的原理进行纸币等被检测体5的检测。
[0061](实施方式7)
图24是从搬运路侧看本发明的实施方式7所涉及的磁传感器装置中的多层基板和AMR元件的俯视图。实施方式7所涉及的磁传感器装置是将图12所示的实施方式2所涉及的磁传感器装置所具备的AMR元件10阵列状地配置的装置。在图24中对与图12相同的构成要素附以相同符号。在图24中，遍及读取宽度方向，多个AMR元件10阵列状地安装于多层基板9的孔部9a。关于动作，与本发明的实施方式2所涉及的磁传感器装置相同。此外，AMR元件10的电阻102a、102b与电极IOla?IOlc的连接方法不限于图12所示的方法，也可以如图4所示地连接。另外电阻102a、102b的矩形状的图案还可以像图11或者图14那样为弯曲形状。另外，相对于搬运路2而相互位于相反侧的一对磁铁或者相对于搬运路2相互位于相反侧的磁铁以及磁性体的配置还可以是实施方式I?6所示的任何配置。
[0062]在图24中，全部的AMR元件10位于一个孔部9a，多层基板9统一地包围全部的AMR元件10，但是也可以以多层基板9 一个一个地包围AMR元件的方式构成。另外，还可以以多层基板9具备多个孔部9a，多个AMR元件10位于各个孔部9a，多层基板9分别统一地包围多个AMR元件10的方式构成。
[0063]如此，通过采用将多个AMR元件10沿读取宽度方向配置成阵列状的线型的磁传感器装置，探测宽度变宽。
[0064](实施方式8)
图25是示出沿着本发明的实施方式8所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。实施方式8所涉及的磁传感器装置是将图18所示的实施方式4所涉及的磁传感器装置所具备的磁铁8与磁性体80替换，使磁传感器装置的上下反转的装置。对与图18相同的构成要素附以相同符号。此外作为磁性体80，例如使用铁等软磁性体。
[0065]图26是示出由实施方式8所涉及的磁传感器装置的搬运路中的磁铁与磁性体生成的磁场分布的图。此外，在图26中，记载为了根据图25的构成要素说明磁场分布而所需要的构成要素，省略其他要素。在图26中，相向的磁铁8与磁性体80的间隔方向的磁场的遍及搬运方向的强度变化与图7同样，具有在磁铁8的搬运方向的中央附近成为O、绝对值朝向磁铁8的两端部而增大的分布。
[0066]如图26所示，AMR元件10位于间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。被检测体5以与间隔方向的磁场交叉的方式通过强磁场强度区域。
[0067]在图26中，在与配置AMR元件10的搬运方向正交的交叉磁场中，从磁铁8的N极朝向磁性体80的间隔方向的分量为磁力线17的主要分量。在实施方式8所涉及的磁传感器装置中，也能够以与图8所示的实施方式I所涉及的磁传感器装置所使用的原理同样的原理进行纸币等被检测体5的检测。
[0068]根据实施方式8所涉及的磁传感器装置，与实施方式4所涉及的磁传感器装置同样地，仅仅将偏置磁铁配置于单侧，在相向侧配置廉价的铁等软磁性体，因而能够削减磁传感器装置的制造成本。
[0069]与实施方式5所涉及的磁传感器装置同样地，在配置了实施方式8所涉及的磁传感器装置所具备的磁铁用磁轭的情况下，能够获得与实施方式5所涉及的磁传感器装置同样的作用效果，磁铁用磁轭是在磁铁8的侧面内与和搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体。
[0070]与实施方式6所涉及的磁传感器装置同样地，在将实施方式8所涉及的磁传感器装置所具备的磁铁8的起磁方向作为间隔方向的情况下，能够获得与实施方式6所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。
[0071](实施方式9)
图27是示出沿着本发明的实施方式9所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。图28是示出向实施方式9所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装单层基板和AMR元件的状态的放大图。在图27以及图28中，对分别与图1以及图3相同的构成要素附以相同符号。实施方式9所涉及的磁传感器装置作为实施方式I所涉及的磁传感器装置所具备的多层基板9的替代，具备单层基板20。
[0072]在金属载体191的表面设有单层基板20以及AMR元件10。单层基板20具有孔部20a。AMR元件10通过粘合剂固定于金属载体191的如下表面，该表面露出于孔部20a，单层基板20包围AMR元件10。与图4同样地，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属引线12连接。电极Illa?Illc通过传输线路11与在单层基板20的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。连接焊盘112a连接于直流电源电压Vcc,连接焊盘112b连接于处理电路15,连接焊盘112c直流接地。另夕卜，AMR元件10与金属引线12被树脂13密封并保护。
[0073]在实施方式9所涉及的磁传感器装置中，也能够获得与实施方式I所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。
[0074](实施方式10)
图29是沿着本发明的实施方式10所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图，图30是示出向实施方式10所涉及的磁传感器装置中的金属载体安装单层基板和AMR元件的状态的放大图。在图29以及图30中，对分别与图1以及图3相同的构成要素附以相同符号。实施方式10所涉及的磁传感器装置作为实施方式I所涉及的磁传感器装置所具备的多层基板9的替代，具备单层基板20。
[0075]在金属载体191的表面设有单层基板20以及AMR元件10。单层基板20具有孔部20a。AMR元件10通过粘合剂固定于金属载体191的如下表面，该表面露出于孔部20a，单层基板20包围AMR元件10。与图4同样地，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属接头21连接。电极Illa?Illc通过传输线路11与在单层基板20的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。连接焊盘112a连接于直流电源电压Vcc,连接焊盘112b连接于处理电路15,连接焊盘112c直流接地。
[0076]在实施方式10所涉及的磁传感器装置中，也能够获得与实施方式I所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。而且，由于AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc通过金属接头21连接，故AMR元件10与电屏蔽板31之间的间隙变小，AMR元件10与被检测体5的距离变短，AMR元件10的输出变大，因而检测灵敏度提闻。
[0077](实施方式11)
图31是示出沿着本发明的实施方式11所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。图32是示出实施方式11所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图。在图31以及图32中，对分别与图1以及图3相同的构成要素附以相同符号。实施方式11所涉及的磁传感器装置作为实施方式I所涉及的磁传感器装置所具备的多层基板9的替代，具备单层基板20。另外，实施方式11所涉及的磁传感器装置不具备金属载体191。
[0078]AMR元件10通过粘合剂固定于单层基板20的表面。与图4同样地，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属引线12连接。电极Illa?Illc通过传输线路11与在单层基板20的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。连接焊盘112a连接于直流电源电压Vcc，连接焊盘112b连接于处理电路15，连接焊盘112c直流接地。另外，AMR元件10与金属引线12被树脂13密封并保护。
[0079]在实施方式11所涉及的磁传感器装置中，也能够获得与实施方式I所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。另外，由于不设置金属载体191，故能够简化构造。
[0080](实施方式12)
图33是示出沿着本发明的实施方式12所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。在实施方式12所涉及的磁传感器装置中，变更实施方式11所涉及的磁传感器装置所具备的第一磁铁6以及第二磁铁7的朝向，以第一磁铁6的任一个磁极与第二磁铁7的和该磁极不同的磁极相向的方式进行配置。而且，以将AMR元件10设置于第二磁铁7的表面，单层基板20包围AMR元件10的方式进行配置。图34是示出实施方式12所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图。在图33以及图34中，对与图31以及图32相同的构成要素附以相同符号。
[0081]单层基板20固定于第二磁铁7，具有孔部20a。AMR元件10通过粘合剂固定于第二磁铁7的如下表面,该表面露出于孔部20a,单层基板20包围AMR兀件10。与图4同样地，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属引线12连接。电极Illa?Illc通过传输线路11与在单层基板20的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。连接焊盘112a连接于直流电源电压Vcc，连接焊盘112b连接于处理电路15，连接焊盘112c直流接地。另外，AMR元件10与金属引线12被树脂13密封并保护。
[0082]由于第一磁铁6与第二磁铁7异极相向，故与图23同样地,搬运方向的磁场施加于被检测体5以及AMR元件10，因而能够获得与实施方式6所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。
[0083](实施方式13)
图35是示出沿着本发明的实施方式13所涉及的磁传感器装置的搬运方向的截面图。作为实施方式12所涉及的磁传感器装置所具备的金属引线12的替代，使用金属接头21连接AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?111c。图36是示出实施方式13所涉及的磁传感器装置中的单层基板和AMR元件的安装状态的放大图。在图35以及图36中，对与图33以及图34相同的构成要素附以相同符号。
[0084]单层基板20固定于第二磁铁7，具有孔部20a。AMR元件10通过粘合剂固定于第二磁铁7的如下表面,该表面露出于孔部20a,单层基板20包围AMR兀件10。与图4同样地，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属接头21连接。电极Illa?Illc通过传输线路11与在单层基板20的背面设置的连接焊盘112a?112c连接。连接焊盘112a连接于直流电源电压Vcc，连接焊盘112b连接于处理电路15，连接焊盘112c直流接地。
[0085]由于第一磁铁6与第二磁铁7异极相向，故与图23同样地,搬运方向的磁场施加于被检测体5以及AMR元件10，因而能够获得与实施方式6所涉及的磁传感器装置同样的作用效果。而且，AMR元件10的电极IOla?IOlc与在单层基板20的表面设置的电极Illa?Illc分别通过金属接头21连接。因此，AMR元件10与电屏蔽板31之间的间隙变小，AMR元件10与被检测体5的距离变短，AMR元件10的输出变大，因而检测灵敏度提高。
[0086]上述实施方式都能够在本发明的主旨的范围内进行各种变形。上述实施方式用于说明本发明，而不意图限定本发明的范围。本发明的范围由所附的权利要求而不是由实施方式示出。在权利要求的范围内、以及与发明的权利要求等同的范围内作出的各种变形包含于本发明的范围内。
[0087]本发明要求基于在2011年5月16日申请的、包含说明书、权利要求书、说明书附图以及说明书摘要的日本专利申请2011-109628号以及在2012年3月29日申请的、包含说明书、权利要求书、说明书附图以及说明书摘要的日本专利申请2012-077356号的优先权。该成为基础的专利申请的公开内容通过参照来作为整体包含于本申请。
[0088]产业上的利用可能性
本发明能够适宜地采用于提高在具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件隔开既定的距离的非接触状态下检测被检测体的磁性图案的磁传感器装置。
[0089]附图标记说明
I框体；2搬运路；3第一狭缝部；4第二狭缝部；5被检测体；6第一磁铁；7第二磁铁；8磁铁；9多层基板；9a孔部；10 AMR兀件；11传输线路；12金属引线；13树脂；15处理电路；17磁力线；20单层基板；20a孔部；21金属接头；31电屏蔽板；71线缆；80磁性体；81第一磁铁用磁轭；82第二磁铁用磁轭；83磁铁用磁轭；91第一层基板；91a第一层基板的孔部；92第二层基板；92a第二层基板的孔部；101a、101b、IOlc电极；102a、102b 电阻；llla、lllb、lllc 电极；112a、112b、112c 连接焊盘；191 金属载体。
【权利要求】
1.一种磁传感器装置，具备: 搬运路，搬运包含磁性图案的被检测体； 磁场生成部，具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的一对磁铁、或者相对于所述搬运路而相互位于相反侧的磁铁以及磁性体，在所述搬运路中，生成交叉磁场，在所述交叉磁场中，间隔方向的磁场强度为既定的范围，所述间隔方向是与所述被检测体的搬运方向正交的方向、且是垂直地贯穿所述磁性图案的方向； 磁阻效应元件，在所述交叉磁场中，位于所述磁铁或者所述磁性体与所述搬运路之间，将所述被检测体的所述磁性图案引起的所述交叉磁场的所述搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测；以及 输出部，连接于所述磁阻效应元件，输出所述磁阻效应元件检测到的所述电阻值的变化。
2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中， 所述磁场生成部具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的第一磁铁以及第二磁铁，所述第一磁铁的各磁极与所述第二磁铁的与该磁极不同的磁极相向， 所述磁阻效应元件位于为所述第一磁铁或者所述第二磁铁与所述搬运路之间且所述交叉磁场的所述间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。
3.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中， 所述磁场生成部具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的第一磁铁以及磁性体，所述第一磁铁的各磁极与所述磁性体相向， 所述磁阻效应元件位于为所述第一磁铁或者所述磁性体与所述搬运路之间且所述交叉磁场的所述间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。
4.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中， 所述磁场生成部具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的第一磁铁以及第二磁铁，所述第一磁铁的任意一个磁极与所述第二磁铁的与该磁极不同的磁极相向， 所述磁阻效应元件位于所述第一磁铁或者所述第二磁铁与所述搬运路之间且所述交叉磁场的所述间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。
5.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其中， 所述磁场生成部具备相对于所述搬运路而相互位于相反侧的第一磁铁以及磁性体，所述第一磁铁的任意一个磁极与所述磁性体相向， 所述磁阻效应元件位于所述第一磁铁或者所述磁性体与所述搬运路之间且所述交叉磁场的所述间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域。
6.根据权利要求2或3所述的磁传感器装置，其中， 所述磁场生成部还具备第一磁轭，所述第一磁轭是在所述第一磁铁的侧面内与和所述搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体，在具备所述第二磁铁的情况下，还具备第二磁轭，所述第二磁轭是在所述第二磁铁的侧面内与和所述搬运方向正交的侧面分别相接的一对磁性体。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的磁传感器装置，其中， 所述输出部是与所述磁阻效应元件电连接、输出所述磁阻效应元件所检测到的所述电阻值的变化的基板。
8.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其中， 沿与所述搬运方向以及所述间隔方向分别正交的方向存在多个所述磁阻效应元件， 所述基板分别统一地包围一个或者多个所述磁阻效应元件，输出各个所述磁阻效应元件所检测到的所述电阻值的变化。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的磁传感器装置，其中， 所述磁阻效应元件具备沿与所述搬运方向以及所述间隔方向分别正交的方向延伸的矩形状的第一电阻、以及沿与所述搬运方向以及所述间隔方向分别正交的方向或者所述搬运方向延伸的矩形状的第二电阻，经由串联连接所述第一电阻与所述第二电阻的连接点而与所述输出部连接。
10.根据权利要求9所述的磁传感器装置，其中， 所述第一电阻以及所述第二电阻的各个矩形状的图案为弯曲形状。
【文档编号】G01R33/09GK103842838SQ201280023413
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年5月11日 优先权日:2011年5月16日
【发明者】尾込智和, 浅野启行, 庄司俊明, 武舎武史, 井上甚, 冈田正明, 加贺野未来, 真壁和也, 下畑贤司, 岸本健 申请人:三菱电机株式会社