专利名称：芯片内部模拟信号测试条件的判定方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种芯片内部模拟信号测试条件的判定方法。
背景技术：
集成电路芯片的整个制造过程主要包括:芯片设计、芯片生产(主要通过晶圆制造来实现芯片的生产)及芯片测试。其中，每个过程都在集成电路芯片的制造过程中发挥着至关重要的作用。芯片设计及芯片生产的功能不言而喻，这两者是芯片产生的基础过程，亦决定着芯片功能的好坏。而芯片测试，其在集成电路芯片的制造过程中亦发挥着非常重要的作用。芯片测试能够发现在芯片设计或者芯片生产中存在的问题/缺陷，从而防止不良产品进入市场；同时，还能够尽早对存在于芯片设计及芯片生产中的问题进行改正，制造出合格的集成电路芯片。在集成电路芯片的测试过程中，使用的测试设备主要包括:测试机(AutomaticTest Equipment, ATE)及探针台(prober)。其中，测试机是用于芯片和其他成品测试的一种专用设备，可以实现各种电性参数的测量，以检测集成电路芯片的电性功能。探针台是集成电路芯片制造过程中用于芯片测试的一种设备，主要完成晶圆的固定步距移动，以检测晶圆上的不同芯片。在利用上述测试设备对集成电路芯片进行测试时，测试机将向待测芯片(也即待测晶圆)输出一驱动电压。在此驱动电压下，待测芯片将产生多个电性参数，例如基准电压Vbg/Vep/Vee等，测试机检测/获取这些电性参数。根据这些电性参数，便能够判断出待测芯片的质量，即待测芯片是合格还是不合格。在现有的集成电路芯 片测试过程中，测试机输出的驱动电压为一固定值。但是，随着晶圆上集成的芯片越来越复杂、精细，特别的，晶圆上集成了干扰比较强的RFIP芯片之后，这样的测试方式(测试机输出一固定值的驱动电压)所得出的测试结论越来越不可靠了。在一些芯片测试中，出现了:芯片良率小于30%;并且70%的不良芯片中，有50%的芯片是因为基准电压Vbg不合格的测试结果。但是，进一步的检测实验却发现:那些基准电压Vbg不合格的结论有很大部分是错误的，S卩很多合格芯片被误测为不合格芯片。由此可知，现有的芯片测试中，特别的，芯片内部模拟的信号测试条件存在着误差。因此，判定芯片内部模拟信号测试条件的可靠与否成了本领域技术人员亟待解决的一大难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，以解决现有的芯片内部模拟信号测试条件不可靠，导致芯片测试不准确的问题。为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，所述芯片内部模拟信号测试条件的判定方法包括:
提供多个不同的驱动电压；在多个不同的驱动电压下，获取多个输出信号；当该多个输出信号之间的差值小于一参考值时，判定当前测试条件可靠。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，所述输出信号为基准电压Vbg。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，所述参考值为2mV IOmV。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，所述参考值为3mV 6mV0可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，提供的驱动电压数量为3个 5个。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，所述驱动电压的电压值取值范围为1.8V 3.3V。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，电压值大小相邻的两个驱动电压之间的差值范围为0.1V 0.8V。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，提供的驱动电压数量为3个，3个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.5V及3.3V ;或者3个驱动电压的电压值分别为 1.8V、2.6V 及 3.3V。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，提供的驱动电压数量为5个，5个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.2V、2.6V、3.0V及3.3V。可选的，在所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，当该多个输出信号两两之间的差值均小于一参考值时，判定当前测试条件可靠；或者当该多个输出信号两两之间的差值中超过一半小于一参考值时，判定当前测试条件可靠。在本发明提供的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法中，通过提供多个不同的驱动电压，从而获取多个输出信号，根据该多个输出信号之间的差值与参考值的比较结果，从而判定当前测试条件可靠与否。在此，利用了当测试条件可靠时，所得出的测试结论也将可靠，而可靠的测试结论将指向一个稳定的测试结果这一原理，从而能够判断出当前测试条件可靠与否，进而保证了对芯片内部模拟信号测试的可靠性。
图1是本发明实施例的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法的流程示意图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本发明提出的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。请参考图1，其为本发明实施例的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法的流程示意图。如图1所示，所述芯片内部模拟信号测试条件的判定方法包括:
SlO:提供多个不同的驱动电压；Sll:在多个不同的驱动电压下，获取多个输出信号；S12:当该多个输出信号之间的差值小于一参考值时，判定当前测试条件可靠。在此，通过提供多个不同的驱动电压，从而获取多个输出信号，根据该多个输出信号之间的差值与参考值的比较结果，从而判定当前测试条件可靠与否。在此，利用了当测试条件可靠时，所得出的测试结论也将可靠，而可靠的测试结论将指向一个稳定的测试结果这一原理，从而能够判断出当前测试条件可靠与否，进而保证了对芯片内部模拟信号测试的可靠性。接下去，结合两个具体实施例予以进一步说明。实施例一在本实施例中，提供三个不同的驱动电压，该三个驱动电压的电压值分别为1.8V、
2.5V及3.3V。在此，考虑到待测芯片的额定电压在1.8V 3.3V之间，因此，所选择的三个不同的驱动电压均位于1.8V 3.3V之间。当然，若随着芯片设计的改进，待测芯片的额定电压发生改变，例如待测芯片的额定电压范围变成2.0V 5.0V，则此时优选的，驱动电压的取值范围位于2.0V 5.0V之间。进一步的，为了确保测试条件判定的可靠性，所选的三个驱动电压之间的差值尽可能的大。优选的，电压值大小相邻的两个驱动电压之间的差值范围为 0.1V 0.8V，例如差值为 0.1V,0.2V、0.3V、0.4V、0.5V、0.6V、0.7V、0.8V 等。在本实施例中，该三个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.5V及3.3V，电压值大小相邻的两个驱动电压之间的差值分别为0.7V及0.8V。可知的，在此取得了三个驱动电压之间的最大差值。在本发明的其他实施例中，所述三个驱动电压也可以取其他值，例如，分别为1.8V、2.6V及
3.3V，此时，同样的 取得了三个驱动电压之间的最大差值；另外，也可以分别取2.0V、2.6V及3.2V等其他组合的值，在此不一一列举。接着，在多个不同的驱动电压下，获取多个输出信号。在本实施例中，所获取的输出信号为基准电压Vbg。在此，考虑到导致待测芯片误判的原因主要在于基准电压Vbg的输出不准确，因此，在本实施例提供的输出信号中，主要考量基准电压Vbg这一参数。具体的，在驱动电压为1.8V的情况下，获取基准电压Vbg的值；接着，将驱动电压更改为2.5V，在该电压值下，获取基准电压Vbg的值；再接着，将驱动电压更改为3.3V，在该电压值下，获取基准电压Vbg的值。在上述三个驱动电压下，便可得到三个基准电压Vbg。接着，将该三个基准电压Vbg进行差值运算，得到三个基准电压Vbg的差值，当该三个基准电压Vbg的差值小于一参考值时，判定当前测试条件可靠。根据对测试条件的严格度不同，所述参考值可以取不同的值，优选的，所述参考值为2mv 10mV，例如，所述参考值取值为2mV、3mV、4mV、5mV、6mV、7mV、8mV、9mV、10mV等。在本实施例中，所述参考值取值为3mV,即当该三个基准电压Vbg的差值小于3mV时,判定当前测试条件可靠。在本实施例中，当该多个输出信号两两之间的差值均小于一参考值(即3mV)时，判定当前测试条件可靠。在本发明的其他实施例中，也可以是当该多个输出信号两两之间的差值中超过一半小于一参考值(即3mV)时，判定当前测试条件可靠。例如，三个基准电压Vbg的差值中两个小于3mV时，即判定当前测试条件可靠。根据上述芯片内部模拟信号测试条件的判定方法便可判定出当前测试条件是否可靠，若当前测试条件可靠，便可进一步进行芯片测试；若测试条件不可靠，便可进行测试条件调整，例如对于用到的测试工具(主要包括测试机及探针台)的工作条件进行调整，将测试机的电压调高；将探针台进行清洗，从而保证与待测芯片之间的接触可靠性等。实施例二在本实施例中，提供的驱动电压数量为五个，该五个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.2V、2.6V、3.0V及3.3V。接着，在该五个驱动电压下，分别得到五个基准电压Vbg，进而得到五个基准电压Vbg差值。将该五个基准电压Vbg差值与一参考值进行比较，当该五个基准电压Vbg差值小于参考值时，判定当前测试条件可靠。相较于实施例一，在本实施例二中，由于选用了更多个驱动电压，从而所得到的测试条件的判断将更可靠。在本发明的其他实施例中，还可以选用更多个驱动电压或者较少个驱动电压，例如选取四个不同的驱动电压进行测试条件判定，或者选取六个不同的驱动电压进行测试条件判定。优选的，结合判定的准确度要求及判定方法的复杂度考量，提供的驱动电压数量为3个 5个。通过本发明提供的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，在判定为测试条件可靠之后，再进行芯片测试中，所得到的芯片良率大于85%;而在15%的不良芯片中，仅有
1.02%的芯片是因为基准电压Vbg不合格。即通过本发明提供的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，滤除了芯片测试中，对于基准电压Vbg的误判，提高了芯片测试的准确度及
可靠性。上述描述仅是对 本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
权利要求
1.一种芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，包括: 提供多个不同的驱动电压； 在多个不同的驱动电压下，获取多个输出信号； 当该多个输出信号之间的差值小于一参考值时，判定当前测试条件可靠。
2.如权利要求1所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，所述输出信号为基准电压Vbg。
3.如权利要求2所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，所述参考值为2mV 10mV。
4.如权利要求3所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，所述参考值为3mV 6mV。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，提供的驱动电压数量为3个 5个。
6.如权利要求5所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，所述驱动电压的电压值取值范围为1.8V 3.3V。
7.如权利要求6所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，电压值大小相邻的两个驱动电压之间的差值范围为0.1V 0.8V。
8.如权利要求5所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，提供的驱动电压数量为3个，3个驱动电 压的电压值分别为1.8V、2.5V及3.3V ;或者3个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.6V及3.3V。
9.如权利要求5所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，提供的驱动电压数量为5个，5个驱动电压的电压值分别为1.8V、2.2V、2.6V、3.0V及3.3V。
10.如权利要求1至4中的任一项所述的芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其特征在于，当该多个输出信号两两之间的差值均小于一参考值时，判定当前测试条件可靠；或者当该多个输出信号两两之间的差值中超过一半小于一参考值时，判定当前测试条件可O
全文摘要
本发明提供了一种芯片内部模拟信号测试条件的判定方法，其中，通过提供多个不同的驱动电压，从而获取多个输出信号，根据该多个输出信号之间的差值与参考值的比较结果，从而判定当前测试条件可靠与否。在此，利用了当测试条件可靠时，所得出的测试结论也将可靠，而可靠的测试结论将指向一个稳定的测试结果这一原理，从而能够判断出当前测试条件可靠与否，进而保证了对芯片内部模拟信号测试的可靠性。
文档编号G01R31/30GK103217640SQ20131010317
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月27日 优先权日2013年3月27日
发明者桂伟, 钱亮, 奚凯华 申请人:上海宏力半导体制造有限公司