微气压传感器及多通道式微压传感系统的制作方法

文档序号:6247077阅读:437来源:国知局
专利名称:微气压传感器及多通道式微压传感系统的制作方法
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体是高温固化炉内应用的微气压传感器及多通道式微压传感系统。
背景技术
目前,能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成。气压传感器是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将检测感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动化检测和控制的首要环节。高温固化炉是对封框胶进行完全热固化的设备,支撑柱在高温固化过程中对基板起支撑作用。高温下当支撑柱高度不一致,或者支撑柱太硬,就容易损坏像素区,形成黑缺口或黑色斑点。目前使用基板传感器多为光学传感器,但在热处理高温设备内容易发生失效,造成损失,且光学传感器并不能感知每一个支撑架上的受力状况。为了解决以上问题,本实用新型做了有益改进。

实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型的目的是提供一种微气压传感器及微压传感系统,该微气压传感器和微压传感系统能够在高温固化炉内对支撑柱进行精确监测,并能稳定运行。(二)技术方案本实用新型是通过以下技术方案实现的:本实用新型提供一种微气压传感器,包括变容式硅膜盒和数据采集器,所述变容式硅膜盒包括上半导体单晶形变膜、下半导体单晶形变膜和电极,所述电极分别与所述上、下半导体单晶形变膜连接;且所述变容式硅膜盒与所述数据采集器连接。其中,所述的上半导体单晶形变膜、下半导体单晶形变膜均为扩散硅感应芯体。此外,所述上半导体单晶形变膜与下半导体单晶形变膜平行设置。而且,所述数据采集器包括信号放大器和模数转换器,该模数转换器分别与所述多个变容式硅膜盒连接。另外,本实用新型还提供一种应用于高温固化炉中的多通道式微压传感系统,包括支撑柱和多个上述的微气压传感器,所述支撑柱内设支撑柱腔体,所述多个微气压传感器均通过导气管连接在所述支撑柱腔体内。其中,所述支撑柱的材料采用高弹橡胶。此外,所述支撑柱的腔体内设置有气压表。(三)有益效果与现有技术和产品相比,本实用新型有如下优点:1、本实用新型的微压传感系统可以感知基板是否有实物存在,避免当信息丢失时,发生碰撞的严重事件;2、本实用新型通过微压传感系统得到的数据,经分析能得到基板在设备内的倾斜度;3、本实用新型通过对支撑柱内气压的控制,可以有效控制支撑柱瑕疵的产生;4、本实用新型可以通过长期分析基板在支撑柱上压力的情况,来判断支撑柱是否到了更换期,这样可以只更换变性(弹性系数改变)的支撑柱;5、本实用新型的变容式硅膜盒采用扩散硅感压芯体,具有高分辨率和高精度的信号输出。

图1是本实用新型提供的微气压传感器示意图;图2是本实用新型的微气压传感器内部结构示意图;图3是本实用新型的微气压传感器的信号连接示意图;图4是本实用新型提供的支撑柱立体图;图5是本实用新型提供的支撑柱的截面图;图6是本实用新型提供的多通道式微压传感系统的结构示意图。附图中,各标号所代表的组件列表如下:1、变容式硅膜盒;2、半导体单晶形变膜;21、上半导体单晶形变膜;22、下半导体单晶形变膜;3、电极;4、信号放大器;5、数据采集器;6、模数转换器;7、支撑柱;71、支撑柱腔体;8、导气管。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做一个详细的说明。如图1、图2和图3所示,本实施例提供了一种微气压传感器,包括变容式硅膜盒I和数据采集器5,该变容式硅膜盒I上设有半导体单晶形变膜2,可分为上半导体单晶形变膜21、下半导体单晶形变膜22和电极3,电极3分别与所述上、下半导体单晶形变膜21、22连接;且变容式硅膜盒I与所述数据采集器5连接。其中,所述数据采集器5包括信号放大器4和模数转换器6,该模数转换器6分别与所述多个变容式硅膜盒I连接。其中,上半导体单晶形变膜21、下半导体单晶形变膜22均为扩散硅感应芯体,该扩散硅感应芯体具有高精度的信号输出和分辨率。此外,上、下半导体单晶形变膜21、22相互平行设置,这样能够对气压变化精确感应。如图3所示,当该变容式硅膜盒I受到气体压力发生变化时,上、下半导体单晶形变膜随着发生弹性变形,从而引起电容式硅膜盒I电容量的变化,产生0-5V的信号电压,经过数据采集器5中采集、转换信号。该数据采集器5包括信号放大器4、模数转换器6,产生的电压信号依次经过信号放大器4和模数转换器6处理,然后数据采集器5以适当的形式把结果传送给计算机。电容式硅膜盒I中上、下半导体单晶形变膜的形变强度选择要根据所测量的气体压强变化量来决定:PS=kx (P为气体压强量,S是膜面积,K是膜的弹性系数,X是形变量)通过形变膜的微动,电容量发生变化,得到电信号,通过电信号放大,信号分析电路,最终得到压强变化。如图4、图5和图6所示本实施例还提供一种应用于高温固化炉中的多通道式微压传感系统,包括支撑柱7和多个上述的微气压传感器。所述支撑柱7内设支撑柱腔体71,微压传感系统中的多个微气压传感器均通过导气管8连接在所述支撑柱腔体71内。所述多个微气压传感器优选采用矩阵式方式布置。高温固化炉是对封框胶进行完全热固化的设备,支撑柱在高温固化过程中对基板起支撑作用。高温下当支撑柱高度不一致,或者支撑柱太硬,就容易损坏像素区,形成黑缺口或黑色斑点。 本实施例中的支撑柱的材料采用高弹橡胶。采用高弹橡胶制成的支撑柱既具有良好的支撑强度,也具备良好的回复弹力,可以防止划伤基板。支撑柱腔体内设置有气压表。气体冲入支撑柱腔体内,在支撑柱腔体内设置有气压表(附图中未标示),通过气体压力的变化来感知支撑柱上增加的重量。本实施例通过微压传感系统得到的数据,经分析能得到基板在高温固化设备内的平台度,并可通过对支撑柱内气压的控制,可以有效控制支撑柱瑕疵的产生;当对盒后基板放置在支撑柱上时,支撑柱形变量仅为0.5mm,压力变化很小,因此微气压传感器能够满足精度要求。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种微气压传感器,其特征在于,包括变容式硅膜盒和数据采集器,所述变容式硅膜盒包括上半导体单晶形变膜、下半导体单晶形变膜和电极,所述电极分别与所述上、下半导体单晶形变膜连接;且所述变容式硅膜盒与所述数据采集器连接。
2.根据权利要求1所述的微气压传感器,其特征在于,所述的上半导体单晶形变膜、下半导体单晶形变膜均为扩散硅感应芯体。
3.根据权利要求1所述的微气压传感器,其特征在于,所述上半导体单晶形变膜与所述下半导体单晶形变膜平行设置。
4.根据权利要求1所述的微气压传感器,其特征在于,所述数据采集器包括信号放大器和模数转换器,所述模数转换器分别与所述多个变容式硅膜盒连接。
5.一种应用于高温固化炉中的多通道式微压传感系统,其特征在于,包括支撑柱和多个如权利要求1-4中任一项所述的微气压传感器,所述支撑柱内设支撑柱腔体,所述多个微气压传感器均通过导气管连接在所述支撑柱腔体内。
6.根据权利要求5所述的多通道式微压传感系统,其特征在于,所述支撑柱的材料采用闻弹橡胶。
7.根据权利要求6所述的多通道式微压传感系统,其特征在于,所述支撑柱的腔体内设置有气压表。
专利摘要本实用新型涉及显示技术领域,具体是高温固化炉内应用的微气压传感器及多通道式微压传感器系统,该微气压传感器包括变容式硅膜盒和数据采集器,该变容式硅膜盒包括上半导体单晶形变膜、下半导体单晶形变膜和电极,所述电极分别与所述上、下半导体单晶形变膜连接;且所述变容式硅膜盒与所述数据采集器连接;多通道式微压传感系统,包括支撑柱和多个上述的微气压传感器,所述支撑柱内设支撑柱腔体,所述多个微气压传感器均通过导气管连接在所述支撑柱腔体内。本实用新型提供的微气压传感器及多通道式微压传感系统在高温固化炉内对支撑柱进行精确监测,保证支撑柱稳定运行,具有高分辨率和高精度的信号输出。
文档编号G01L9/12GK203011607SQ20132001096
公开日2013年6月19日 申请日期2013年1月9日 优先权日2013年1月9日
发明者井杨坤 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司
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