检测碲化物半导体探测器内建电场的装置制造方法

文档序号:6056698阅读:297来源:国知局
检测碲化物半导体探测器内建电场的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机,所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上,所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表,所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑,所述卤钨灯上设有开关。本实用新型可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比,来研究碲化物半导体探测器的电场分布,进一步的得到空间电荷的分布,从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
【专利说明】检测碲化物半导体探测器内建电场的装置
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置。
【背景技术】
[0002]检测碲化物半导体探测器由于外加电场作用下,在探测器工作中很难获得实际电场的作用,而在探测器工作中,假设是匀强电场,其实内部的电场是非线性的,从而引起了碲化物半导体探测器的收集效率和能量分辨率收到影响。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置。
[0004]为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机,所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上,所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表,所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑,所述卤钨灯上设有开关,所述相机为红外相机。
[0005]所述卤钨灯为低能量卤钨灯。
[0006]其中,所述齒钨灯、980nm滤波片、碲化物半导体探测器、起偏器、检偏器、无连接关系,所述物镜和相机相连。
[0007]其中,本实用新型应用了泡克耳斯效应(Pockels),泡克耳斯效应(Pockels):偏振光沿着处在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现象,且两个主折射率之差与外电场强度平方成正比,这种电光效应即为泡克耳斯效应。其原理是:某些晶体在外加电场方向与入射光传播方向垂直时,在施加电场时,电场将改变晶体的各向异性的性质,产生感应双折射。
[0008]本实用新型由于双折射的产生,导致光在不同振动方向上的折射率不同。因为折射率决定了光在介质中的传播速度,导致了光程差从而引起了相位差,从而改变了光的偏振状态。本实用新型可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比,来研究碲化物半导体探测器的电场分布,进一步的得到空间电荷的分布,从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]为了使本实用新型的目的及优点更加清楚明白,以下结合实例对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。[0011]如图1所示,本实用新型的一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,包括卤钨灯l、980nm滤波片9、透镜10、碲化物半导体探测器4、三维平移台5、起偏器8、检偏器
6、物镜2和相机7,所述碲化物半导体探测器4横放在所述三维平移台5上,所述碲化物半导体探测器4上设有直流电压表,所述三维控制平台5和相机7均通过数据线连接有电脑3,所述卤钨灯I上设有开关,所述相机7为红外相机。
[0012]所述卤钨灯为低能量卤钨灯。
[0013]本装置的原理是:透过红外滤光片所产生的红外光,通过起偏器后,照射于两端加有电压的碲化物半导体探测器上。随后再让投射光通过于起偏器偏振方向垂直的检偏器。由于碲化物半导体探测器上所发生的Pockels效应,使得位于检偏器后的相机能接收到光。
[0014]相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比。
【权利要求】
1.一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,其特征在于,包括卤钨灯(I)、980nm滤波片(9)、透镜(10)、碲化物半导体探测器(4)、三维平移台(5)、起偏器(8)、检偏器(6)、物镜(2)和相机(7),所述碲化物半导体探测器(4)横放在所述三维平移台(5)上,所述碲化物半导体探测器(4)上设有直流电压表,所述三维控制平台(5)和相机(7)均通过数据线连接有电脑(3),所述卤钨灯(I)上设有开关,所述相机(7)为红外相机。
2.根据权利要求1所述的一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,其特征在于,所述卤钨灯(I)为低能量卤钨灯。
【文档编号】G01N21/23GK203824901SQ201420262603
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年5月18日 优先权日:2014年5月18日
【发明者】罗翔祥, 介万奇, 查钢强, 王涛, 徐亚东, 谷亚旭, 席守智, 张文珑 申请人:西北工业大学
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