1.一种光电检测电路的噪声分析方法,其特征在于,光电二极管处于反偏状态,在进行噪声分析时,将整个光电检测电路划分成光电二极管、三极管、运算放大器三个级联模块,先分别计算每一模块的输出噪声电压或电流值,然后计算整个光电检测电路的总输出噪声电压值,根据总输出噪声电压值分析噪声因素,从而修正电路参数。
2.如权利要求1所述光电检测电路的噪声分析方法,其特征在于,对于光电二极管模块,分别计算出散粒噪声源和热噪声源在输出端产生的噪声电流,然后根据噪声叠加定律获得噪声源在光电二极管模块输出端的总噪声电流值。
3.如权利要求2所述光电检测电路的噪声分析方法,其特征在于,光电二极管模块包括散粒噪声源,第一电阻RD产生的第一热噪声源,以及第二电阻Rs产生的第二热噪声源。
4.如权利要求1所述光电检测电路的噪声分析方法,其特征在于,对于三极管模块,分别计算源电阻热噪声源、基级电阻热噪声源、散粒噪声源Ib产生的第一散粒噪声源以及散粒噪声源Ic产生的第二散粒噪声源在输出端产生的噪声电压值,然后根据噪声叠加原理计算三极管输出的总噪声电压值。
5.如权利要求4所述光电检测电路的噪声分析方法,其特征在于,整个光电检测电路的总输出噪声电压为:
其中,β0为三极管的电流放大倍数,q为电荷量常数,K为玻尔兹曼常数,T为电阻的绝对温度值,Δf为系统带宽,RL为三极管的负载电阻,Rf为运算放大器端的反馈电阻,R1为运算放大器的输入电阻,RD为光电二极管的漏电阻,Rs为供电电源的源电阻,rbb’是三极管的基区体电阻,rb’e是三极管的发射结结电阻,rb’c为集电结结电阻,rce为输出电阻,Cb’e为发射结结电容,Cb’c为集电结及电容,gm为晶体管跨导。