1.一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：
将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压，对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅源电压与栅源电流的关系式以及漏源电压与栅源电流的第一关系式；
保持场效应晶体管的漏极开路、源极接地，在漏极注入恒定直流电流，对场效应晶体管进行电压电流测试以获得漏源电压与栅源电流的第二关系式；
将场效应晶体管的源极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压，对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅漏电压与栅漏电流的关系式以及源漏电压与栅漏电流的关系式；
对栅源电压与栅源电流的关系式、漏源电压与栅源电流的第一关系式、漏源电压与栅源电流的第二关系式、栅漏电压与栅漏电流的关系式和源漏电压与栅漏电流的关系式进行方程式数值求解得到场效应晶体管的寄生电阻、沟道电阻和夹断电压。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述栅源电压与栅源电流的关系式为栅源电压与栅源电流的伏安特性曲线的斜率。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述正向偏置电压大于1V。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述漏源电压与栅源电流的第二关系式为在恒定直流电流下的漏源电压与栅源电流的伏安特性曲线。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述栅漏电压与栅漏电流的关系式为栅漏电压与栅漏电流的伏安特性曲线的斜率。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述源漏电压与栅漏电流的关系式为源漏电压与栅漏电流的伏安特性曲线。
7.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其特征在于，所述正向偏置电压和恒定直流电流采用半导体参数分析仪或者电流电压计施加。