技术总结
本发明提供了一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其包括以下步骤：将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压，以获得栅源电压与栅源电流的关系式以及漏源电压与栅源电流的第一关系式；保持场效应晶体管的漏极开路、源极接地，在漏极注入恒定直流电流，以获得漏源电压与栅源电流的第二关系式；将场效应晶体管的源极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压，以获得栅漏电压与栅漏电流的关系式以及源漏电压与栅漏电流的关系式；对获得的所有关系式进行方程式数值求解得到场效应晶体管的寄生电阻、沟道电阻和夹断电压。通过上述方式，本发明能够简化提取过程，提高提取结果精度以及降低成本。
技术研发人员：陈勇波
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
文档号码：201610506126
技术研发日：2016.06.29
技术公布日：2016.11.16