1.一类面向表面辅助激光解吸离子化质谱的二维基底，其特征在于，该二维基底(11)表面分为若干区域，每个区域(13)包含二维微结构(21)的阵列，其排列方式为矩形阵列，不同区域内的二维微结构(21)相同或不同；样品直接附载于基底，基底表面的二维微结构(21)与激光耦合，吸收并转移激光能量到待测分析物分子，使之脱附并裂解成带电荷的分子碎片。
2.根据权利要求1所述的一类面向表面辅助激光解吸离子化质谱的二维基底，其特征在于，所述的二维基底(11)选用单晶硅，电阻率为0.001～100Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的一类面向表面辅助激光解吸离子化质谱的二维基底，其特征在于，所述的二维微结构(21)尺寸为50nm～20μm，其尖端或狭缝间距为20～100nm。
4.根据权利要求3所述一类面向表面辅助激光解吸离子化质谱的二维基底，其特征在于，所述的的二维微结构(21)，其表面蒸镀银、金、铂、钯、铜中的一种或几种，厚度为10～100nm。
5.根据权利要求1所述的一类面向表面辅助激光解吸离子化质谱的二维基底，其特征在于，所述的激光为纳秒脉冲激光，脉冲能量峰值0.01～100mJ，脉宽1～10ns，频率1～100Hz，波长集中在紫外区或近红外区。