1.一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，它包括高精度时钟电路(1)、基带同步电路(2)、同步处理电路(3)和上行场强测量电路(4)；
所述高精度时钟电路(1)的高稳时钟信号输出端与同步处理电路(3)的高稳时钟信号输入端连接；
基带同步电路(2)接收解调TDD-LTE基站的下行信号，基带同步电路(2)的上行同步信号输出端与同步处理电路(3)的上行同步信号输入端连接，基带同步电路(2)的锁定指示信号输出端与同步处理电路(3)的锁定指示信号输入端连接；
同步处理电路(3)的同步指示信号输出端与上行场强测量电路(4)的同步指示信号输入端连接；
上行场强测量电路(4)输出上行场强测量信号。
2.根据权利要求1所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述高精度时钟电路(1)采用SA.3Xm微型铷钟或SA.45s芯片级原子钟实现。
3.根据权利要求1所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述高精度时钟电路(1)采用HJ5441LM GPS驯服时钟实现，且所述高精度时钟电路(1)外接GPS天线。
4.根据权利要求2或3所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述高精度时钟电路(1)的精度为±10ppd。
5.根据权利要求1所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述基带同步电路(2)采用TDD-LTE基带同步电路(2)实现。
6.根据权利要求5所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述基带同步电路(2)输出的锁定指示信号用于指示基站的下行信号的解调状态，当下行信号强度符合要求，成功解调出下行信息时，该锁定指示信号为高电平；当下行信号强度低时，无法正常解调，该锁定指示信号为低电平。
7.根据权利要求1所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述上行场强测量电路(4)在基带信号或中频信号上进行场强测量，当进行基带测量时采用直接下变频接收电路实现，当进行中频测量时采用混频下变频接收电路实现。
8.根据权利要求7所述的一种内置高精度时钟的TDD-LTE上行信号场强测量仪，其特征在于，所述直接下变频接收电路采用AD9361射频收发芯片实现。